Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.

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ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC 650V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3080AR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
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ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3105KR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 650V 70A N-CH SIC
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ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC RECT 1.2KV 5A RDL SIC SKY
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3