Small Signal Automotive MOSFETs

Nexperia Small-Signal Automotive MOSFETs offer performance reliability with full AEC-Q101 compliance. Nexperia offers a broad portfolio of Small-Signal MOSFETs, with drain-source on-state resistance as low as 15mΩ, up to 6A maximum drain current, and drain-source voltage options from 20V to 100V. These Nexperia devices are offered in various package types for design flexibility, with leaded and leadless DFN options. 

Resultados: 99
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV30ENEA/SOT23/TO-236AB
24 000Se espera el 22/1/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 40 V 4.8 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 7.8 nC - 55 C + 175 C 1.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV30XPEA/SOT23/TO-236AB
128 900En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 5.3 A 34 mOhms - 8 V, 8 V 750 mV 11 nC - 55 C + 150 C 980 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV41XPA/SOT23/TO-236AB
39 000Se espera el 22/1/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 28 V 4 A 50 mOhms - 12 V, 12 V 1 V 14 nC - 55 C + 150 C 1.2 W, 7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV48XPA/SOT23/TO-236AB
16 719Se espera el 22/1/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.5 A 55 mOhms - 12 V, 12 V 750 mV 11 nC - 55 C + 150 C 930 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV50EPEA/SOT23/TO-236AB
50 965En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 4.2 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 12.8 nC - 55 C + 150 C 1.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV60ENEA/SOT23/TO-236AB
26 984En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 40 V 3 A 75 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 3.6 nC - 55 C + 175 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV65XPEA/SOT23/TO-236AB
26 926Se espera el 22/1/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.3 A 67 mOhms - 12 V, 12 V 750 mV 9 nC - 55 C + 150 C 890 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK6D120-40E/SOT1220/SOT1220
6 000En pedido
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 N-Channel 1 Channel 40 V 5.7 A 120 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 2.4 nC - 55 C + 175 C 7.5 W Enhancement Reel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK6D125-60E/SOT1220/SOT1220
2 997Se espera el 5/7/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 60 V 7.4 A 271 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 6 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK6D22-30E/SOT1220/SOT1220
5 926Se espera el 14/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 30 V 22 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 9.5 nC - 55 C + 175 C 19 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK6D23-40E/SOT1220/SOT1220
5 900Se espera el 28/6/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 N-Channel 1 Channel 40 V 19 A 23 mOhms - 20 V, 20 V 2.7 V 11 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7D25-40E/SOT1220/SOT1220
5 812En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 40 V 19 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 13 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMN100EPA/SOT457/SC-74
4 850Se espera el 30/7/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-457-6 P-Channel 1 Channel 60 V 2.5 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 11 nC - 55 C + 175 C 1.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMN120ENEA/SOT457/SC-74
2 997Se espera el 30/7/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 1 Channel 60 V 3.1 A 123 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 7.4 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMN20ENA/SOT457/SC-74
6 000Se espera el 30/7/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 1 Channel 30 V 6.7 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 18.6 nC - 55 C + 150 C 1.39 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMN230ENEA/SOT457/SC-74
3 000Se espera el 30/7/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 1 Channel 60 V 2 A 222 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 5 nC - 55 C + 150 C 1.14 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMN25ENEA/SOT457/SC-74
3 000Se espera el 30/7/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 1 Channel 30 V 6.4 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 14 nC - 55 C + 175 C 1.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMN280ENEA/SOT457/SC-74
6 000Se espera el 30/7/2027
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-457-6 N-Channel 1 Channel 100 V 1.2 A 385 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 4.5 nC - 55 C + 175 C 1.7 W Enhancement Reel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMN30ENEA/SOT457/SC-74
11 716Se espera el 30/7/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-457-6 N-Channel 1 Channel 40 V 5.4 A 57 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 7.8 nC - 55 C + 175 C 667 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMN30XPEA/SOT457/SC-74
3 000Se espera el 30/7/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT TSOP6-6 P-Channel 1 Channel 20 V 5.4 A 38 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 16 nC - 55 C + 175 C 660 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMN48XPA2/SOT457/SC-74
5 953Se espera el 30/7/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-96-1-8 P-Channel 1 Channel 20 V 4.4 A 55 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 7 nC - 55 C + 175 C 660 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMN55ENEA/SOT457/SC-74
6 000Se espera el 30/7/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 1 Channel 60 V 4.5 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 19 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMPB100XPEA/SOT1220/SOT1220
8 000Se espera el 5/7/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 P-Channel 1 Channel 20 V 3.2 A 122 mOhms - 8 V, 8 V 1.25 V 5 nC - 55 C + 175 C 1.95 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMPB10R3XN/SOT1220-2/DFN2020M-
6 000Se espera el 30/7/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 N-Channel 1 Channel 30 V 8.9 A 12.2 mOhms - 12 V, 12 V 900 mV 6.6 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMPB20XNEA/SOT1220/SOT1220
2 595Se espera el 5/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 N-Channel 1 Channel 20 V 7.5 A 20 mOhms - 12 V, 12 V 750 mV 15 nC - 55 C + 150 C 1.65 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel