Small Signal Automotive MOSFETs

Nexperia Small-Signal Automotive MOSFETs offer performance reliability with full AEC-Q101 compliance. Nexperia offers a broad portfolio of Small-Signal MOSFETs, with drain-source on-state resistance as low as 15mΩ, up to 6A maximum drain current, and drain-source voltage options from 20V to 100V. These Nexperia devices are offered in various package types for design flexibility, with leaded and leadless DFN options. 

Resultados: 99
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMPB20XPEA/SOT1220/SOT1220
2 558Se espera el 7/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 P-Channel 1 Channel 20 V 10.3 A 23.5 mOhms - 12 V, 12 V 1 V 45 nC - 55 C + 150 C 12.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMPB215ENEA/SOT1220/SOT1220
6 000Se espera el 21/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 80 V 2.8 A 230 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 7.2 nC - 55 C + 150 C 3.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMPB27EP/SOT1220/SOT1220
2 990Se espera el 19/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 P-Channel 1 Channel 30 V 8.8 A 29 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 30 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMPB43XPEA/SOT1220/SOT1220
3 000Se espera el 7/9/2026
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 P-Channel 1 Channel 20 V 5 A 48 mOhms - 12 V, 12 V 1 V 23.4 nC - 55 C + 150 C 12.5 W Enhancement Reel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMPB55XNEA/SOT1220/SOT1220
5 500Se espera el 7/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 30 V 3.8 A 72 mOhms - 12 V, 12 V 750 mV 5 nC - 55 C + 175 C 1.95 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMT560ENEA/SOT223/SC-73
5 840Se espera el 30/7/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 100 V 1.1 A 715 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 4.4 nC - 55 C + 150 C 1.9 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV100XPEA/SOT23/TO-236AB
8 952Se espera el 22/1/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2.4 A 128 mOhms - 12 V, 12 V 1.25 V 6 nC - 55 C + 150 C 1.06 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV15ENEA/SOT23/TO-236AB
12 715En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 6.2 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 9.5 nC - 55 C + 175 C 1.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV19XNEA/SOT23/TO-236AB
9 000Se espera el 22/1/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT23 (TO-236AB) N-Channel 1 Channel 30 V 6 A 24 mOhms - 8 V, 8 V 900 mV 12.4 nC - 55 C + 175 C 610 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV28ENEA/SOT23/TO-236AB
12 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 4.4 A 37 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 5.3 nC - 55 C + 175 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV28UNEA/SOT23/TO-236AB
5 900En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 4.7 A 32 mOhms - 8 V, 8 V 450 mV 6.2 nC - 55 C + 150 C 1.05 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV30XPA/SOT23/TO-236AB
5 985En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 20 V 4.9 A 38 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 11 nC - 55 C + 175 C 610 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV450ENEA/SOT23/TO-236AB
20 899Se espera el 30/7/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 800 mA 380 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 3.6 nC - 55 C + 150 C 466 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV50XNEA/SOT23/TO-236AB
8 915Se espera el 22/1/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 3.4 A 57 mOhms - 12 V, 12 V 1.25 V 3.3 nC - 55 C + 175 C 5.6 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV52ENEA/SOT23/TO-236AB
6 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 3.2 A 70 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 2.2 nC - 55 C + 175 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK4D38-20P/SOT1220/SOT1220 Plazo de entrega 20 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 P-Channel 1 Channel 20 V 18 A 38 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 16 nC - 55 C + 175 C 19 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK6D23-40E/SOT1220/SOT1220 Plazo de entrega 20 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 40 V 19 A 23 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 19 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK6D38-30E/SOT1220/SOT1220 Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 30 V 17 A 38 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 5.3 nC - 55 C + 175 C 19 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMPB13XNEA/SOT1220/SOT1220 Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 N-Channel 1 Channel 30 V 11.3 A 16 mOhms - 12 V, 12 V 400 mV 36 nC - 55 C + 150 C 3.5 W Enhancement Reel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMPB23XNEA/SOT1220/SOT1220 Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 N-Channel 1 Channel 20 V 7 A 22 mOhms - 12 V, 12 V 400 mV 17 nC - 55 C + 150 C 12.5 W Enhancement Reel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMPB27EPA/SOT1220/SOT1220 Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 P-Channel 1 Channel 30 V 6.1 A 29 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 45 nC - 55 C + 150 C 12.5 W Enhancement Reel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMPB29XNEA/SOT1220/SOT1220 Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 Reel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV130ENEA/SOT23/TO-236AB Plazo de entrega 53 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 40 V 2.1 A 120 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 2.4 nC - 55 C + 150 C 833 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV88ENEA/SOT23/TO-236AB Plazo de entrega 53 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2.2 A 117 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 4 nC - 55 C + 175 C 1.26 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel