Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

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Min.: 1
Mult.: 1

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS

BSC0906NS
Infineon Technologies
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Min.: 1
Mult.: 1

: 5 000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

63 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2

BSC252N10NSF G
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1: ₡1 254,32
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2

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₡350,27

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Min.: 1
Mult.: 1

: 5 000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

40 A

19.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

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OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

BSZ0902NS
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1: ₡957,66
32En existencias
15 000Se espera el 15/10/2026

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₡316,44

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₡242,02

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Min.: 1
Mult.: 1

: 5 000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

106 A

2.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

26 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

Enhancement

OptiMOS

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BSZ0904NSI
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1: ₡655,79
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₡140,01

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Min.: 1
Mult.: 1

: 5 000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

37 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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BSZ100N03MS G
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1: ₡666,20
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Min.: 1
Mult.: 1

: 5 000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

7.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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BSZ900N15NS3 G
Infineon Technologies
1: ₡791,11
699En existencias
5 000Se espera el 5/11/2026

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BSZ900N15NS3 G

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726-BSZ900N15NS3G

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Min.: 1
Mult.: 1

: 5 000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

150 V

13 A

74 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

7 nC

- 55 C

+ 150 C

38 W

Enhancement

OptiMOS

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IPB072N15N3 G
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1: ₡2 893,79
581En existencias
1 000Se espera el 20/8/2026

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726-IPB072N15N3G

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Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

150 V

100 A

7.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

70 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB081N06L3 G
Infineon Technologies
1: ₡1 145,02
477En existencias

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IPB081N06L3 G

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726-IPB081N06L3G

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Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

6.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

79 W

Enhancement

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC019N04NS G
Infineon Technologies
1: ₡983,68
339En existencias
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BSC019N04NS G

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726-BSC019N04NSG

NRND

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₡614,15

₡403,88

₡317,48

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₡220,16

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Min.: 1
Mult.: 1

: 5 000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

29 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

108 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC060N10NS3 G
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1: ₡1 649,88
4 158En existencias
NRND

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BSC060N10NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC060N10NS3G

NRND

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₡1 649,88

₡1 066,95

₡733,86

₡614,15

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₡536,08

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Min.: 1
Mult.: 1

: 5 000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

90 A

5.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 39A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC120N03LS G
Infineon Technologies
1: ₡530,87
5 272En existencias
NRND

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BSC120N03LS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC120N03LSG

NRND

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Cinta cortada

₡530,87

₡377,86

₡235,25

₡162,39

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₡104,09

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Min.: 1
Mult.: 1

: 5 000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

39 A

10 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

BSZ035N03MS G
Infineon Technologies
1: ₡770,29
24En existencias
5 000Se espera el 8/4/2027
NRND

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BSZ035N03MS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ035N03MSG

NRND

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5 000Se espera el 8/4/2027

Cinta cortada

₡770,29

₡485,59

₡322,17

₡251,91

Envase tipo carrete

₡188,93

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Min.: 1
Mult.: 1

: 5 000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

113 A

3.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

BSZ050N03MS G
Infineon Technologies
1: ₡785,90
730En existencias
5 000Se espera el 29/10/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSZ050N03MS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ050N03MSG

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

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730En existencias

5 000Se espera el 29/10/2026

Cinta cortada

₡785,90

₡487,68

₡321,65

₡264,92

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Envase tipo carrete

₡174,36

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Min.: 1
Mult.: 1

: 5 000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

80 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC031N06NS3 G
Infineon Technologies
1: ₡1 556,19
138En existencias
Fin de vida útil

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BSC031N06NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC031N06NS3G

Fin de vida útil

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

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₡1 556,19

₡1 009,70

₡697,42

₡598,54

₡588,13

Envase tipo carrete

₡582,92

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Mult.: 1

: 5 000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

130 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 58A TDSON-8 OptiMOS

BSC050NE2LS
Infineon Technologies
1: ₡562,10
4 600En existencias

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BSC050NE2LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC050NE2LS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 58A TDSON-8 OptiMOS

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4 600En existencias

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₡562,10

₡345,07

₡226,92

₡178,52

Envase tipo carrete

₡119,71

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Mult.: 1

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

58 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

10.4 nC

- 55 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC0902NS
Infineon Technologies
1: ₡858,77
2 876En existencias

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BSC0902NS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0902NS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

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Cinta cortada

₡858,77

₡530,87

₡348,19

₡273,76

Envase tipo carrete

₡183,20

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Mult.: 1

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TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

Enhancement

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 49A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC093N04LS G
Infineon Technologies
1: ₡520,47
7 103En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC093N04LS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC093N04LSG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 49A TDSON-8 OptiMOS 3

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7 103En existencias

Cinta cortada

₡520,47

₡368,49

₡229,53

₡158,22

Envase tipo carrete

₡101,49

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Min.: 1
Mult.: 1

: 5 000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

49 A

9.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

BSZ019N03LS
Infineon Technologies
1: ₡1 139,82
30 000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSZ019N03LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ019N03LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

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Cinta cortada

₡1 139,82

₡723,45

₡487,68

₡395,03

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Envase tipo carrete

₡318,00

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5 000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

149 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ110N06NS3 G
Infineon Technologies
1: ₡848,36
24 995En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSZ110N06NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ110N06NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3

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Cinta cortada

₡848,36

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73 A
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81 A

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2.9 mOhms
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4.2 mOhms
4.5 mOhms
4.6 mOhms
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16.2 nC
17 nC
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25 nC
26 nC
29 nC
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48 W
50 W
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63 W
69 W
71 W
74 W
78 W
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83 W
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