Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

DTMOSVI MOSFETs

Toshiba DTMOSVI MOSFETs offer a low drain-source on-resistance of 0.033Ω (typical), a drain-source voltage of 650V, and a drain current of 57A. The DTMOSVI MOSFETs offer high-speed switching properties with lower capacitance. These MOSFETs are ideal for use in switching power supply applications.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 16

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 230W 1MHz 8x8DFN TK099V65Z,LQ Toshiba 1: ₡3 377,82 7 251En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK099V65Z,LQ N.º de artículo de Mouser 757-TK099V65ZLQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 230W 1MHz 8x8DFN Obtenga más información sobre Toshiba dtmosvi mosfets	Hoja de datos	7 251En existencias	Cinta cortada ₡3 377,82 ₡1 785,20 ₡1 634,26 ₡1 514,55 Ver Envase tipo carrete ₡1 488,53 ₡1 488,53 ₡1 488,53 Presupuesto MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	DFN8x8-5	N-Channel	1 Channel	650 V	30 A	99 mOhms	30 V	4 V	47 nC	- 55 C	+ 150 C	230 W	Enhancement	DTMOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 230W 1MHz TO-247 TK090N65Z,S1F Toshiba 1: ₡4 366,70 2En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK090N65Z,S1F N.º de artículo de Mouser 757-TK090N65ZS1F	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 230W 1MHz TO-247 Obtenga más información sobre Toshiba dtmosvi mosfets	Hoja de datos	2En existencias	Cinta cortada ₡4 366,70 ₡2 290,05 Envase tipo carrete ₡2 290,05	Min.: 1 Mult.: 1 : 30	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	30 A	90 mOhms	30 V	4 V	47 nC	- 55 C	+ 150 C	230 W	Enhancement	DTMOSVI	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ TK090U65Z,RQ Toshiba 1: ₡3 690,10 1 035En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK090U65Z,RQ N.º de artículo de Mouser 757-TK090U65ZRQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ Obtenga más información sobre Toshiba silicon n channel mosfets dtmosvi	Hoja de datos	1 035En existencias	Cinta cortada ₡3 690,10 ₡1 821,63 ₡1 488,53 Envase tipo carrete ₡1 488,53 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 000	Si	SMD/SMT	2-10AF1A-9	N-Channel	1 Channel	650 V	30 A	70 mOhms	30 V	4 V	47 nC	- 55 C	+ 150 C	230 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=190W F=1MHZ TK110U65Z,RQ Toshiba 1: ₡3 034,31 3 792En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK110U65Z,RQ N.º de artículo de Mouser 757-TK110U65ZRQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=190W F=1MHZ Obtenga más información sobre Toshiba silicon n channel mosfets dtmosvi	Hoja de datos	3 792En existencias	Cinta cortada ₡3 034,31 ₡1 530,17 ₡1 290,75 ₡1 238,71 Envase tipo carrete ₡1 238,71 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 000	Si	SMD/SMT	2-10AF1A-9	N-Channel	1 Channel	650 V	24 A	86 mOhms	30 V	4 V	40 nC	- 55 C	+ 150 C	190 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=130W F=1MHZ TK190U65Z,RQ Toshiba 1: ₡2 185,95 1 964En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK190U65Z,RQ N.º de artículo de Mouser 757-TK190U65ZRQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=130W F=1MHZ Obtenga más información sobre Toshiba silicon n channel mosfets dtmosvi	Hoja de datos	1 964En existencias	Cinta cortada ₡2 185,95 ₡1 046,14 ₡983,68 Envase tipo carrete ₡796,31 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 000	Si	SMD/SMT	2-10AF1A-9	N-Channel	1 Channel	650 V	15 A	149 mOhms	30 V	4 V	25 nC	- 55 C	+ 150 C	130 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET 57A 360W 650V TK040N65Z,S1F Toshiba 1: ₡6 490,20 2 017En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK040N65Z,S1F N.º de artículo de Mouser 757-TK040N65ZS1F	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET 57A 360W 650V Obtenga más información sobre Toshiba dtmosvi mosfets	Hoja de datos	2 017En existencias	₡6 490,20 ₡3 591,21 ₡3 586,01 ₡3 357,00	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	57 A	40 mOhms	30 V	3 V	105 nC	- 55 C	+ 150 C	360 W	Enhancement	DTMOSVI	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ TK090A65Z,S4X Toshiba 1: ₡3 971,15 49En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK090A65Z,S4X N.º de artículo de Mouser 757-TK090A65ZS4X	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ Obtenga más información sobre Toshiba dtmosvi mosfets	Hoja de datos	49En existencias	₡3 971,15 ₡2 133,91 ₡1 951,75 ₡1 774,79	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220SIS-3	N-Channel	1 Channel	650 V	30 A	90 mOhms	30 V	3 V	47 nC	- 55 C	+ 150 C	45 W	Enhancement	DTMOSVI	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220AB(OS) PD=130W F=1MHZ TK10E80W,S1X Toshiba 1: ₡2 248,41 90En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK10E80W,S1X N.º de artículo de Mouser 757-TK10E80WS1X	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220AB(OS) PD=130W F=1MHZ Obtenga más información sobre Toshiba dtmosvi mosfets	Hoja de datos	90En existencias	₡2 248,41 ₡1 181,46	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	9.5 A	550 mOhms	20 V	3 V	19 nC	- 55 C	+ 150 C	130 W	Enhancement	DTMOSVI	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK PD=80W F=1MHZ TK10P50W,RQ Toshiba 1: ₡1 592,62 299En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK10P50W,RQ N.º de artículo de Mouser 757-TK10P50WRQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK PD=80W F=1MHZ Obtenga más información sobre Toshiba dtmosvi mosfets	Hoja de datos	299En existencias	Cinta cortada ₡1 592,62 ₡780,70 ₡702,63 ₡582,92 Envase tipo carrete ₡582,92 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	9.7 A	430 mOhms	30 V	2.7 V	20 nC	- 55 C	+ 150 C	80 W	Enhancement	DTMOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 270W 1MHz TO-247 TK065N65Z,S1F Toshiba 1: ₡4 611,32 458Se espera el 15/1/2027	N.º de artículo del Fabricante TK065N65Z,S1F N.º de artículo de Mouser 757-TK065N65ZS1F	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 270W 1MHz TO-247 Obtenga más información sobre Toshiba dtmosvi mosfets	Hoja de datos	458Se espera el 15/1/2027	Cinta cortada ₡4 611,32 ₡3 138,41 Envase tipo carrete ₡3 138,41	Min.: 1 Mult.: 1 : 30	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	30 A	65 mOhms	30 V	4 V	62 nC	- 55 C	+ 150 C	270 W	Enhancement	DTMOSVI	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=270W F=1MHZ TK065U65Z,RQ Toshiba 1: ₡4 751,85 4 000Se espera el 12/10/2026	N.º de artículo del Fabricante TK065U65Z,RQ N.º de artículo de Mouser 757-TK065U65ZRQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=270W F=1MHZ Obtenga más información sobre Toshiba silicon n channel mosfets dtmosvi	Hoja de datos	4 000Se espera el 12/10/2026	Cinta cortada ₡4 751,85 ₡2 898,99 ₡2 513,85 ₡2 274,43 ₡2 014,20 Envase tipo carrete ₡1 821,63 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 000	Si	SMD/SMT	2-10AF1A-9	N-Channel	1 Channel	650 V	38 A	51 mOhms	30 V	4 V	62 nC	- 55 C	+ 150 C	270 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI TK110N65Z,S1F Toshiba 1: ₡3 507,94 59Se espera el 25/12/2026	N.º de artículo del Fabricante TK110N65Z,S1F N.º de artículo de Mouser 757-TK110N65ZS1F	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI Obtenga más información sobre Toshiba tk110n65z mosfet	Hoja de datos	59Se espera el 25/12/2026	₡3 507,94 ₡2 180,75	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	24 A	110 mOhms	30 V	4 V	40 nC	- 55 C	+ 150 C	190 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 360W 1MHz TO-247-4L(T) TK040Z65Z,S1F Toshiba 1: ₡8 509,61 Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas	N.º de artículo del Fabricante TK040Z65Z,S1F N.º de artículo de Mouser 757-TK040Z65ZS1F	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 360W 1MHz TO-247-4L(T) Obtenga más información sobre Toshiba dtmosvi mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas	Cinta cortada ₡8 509,61 ₡4 949,63 Envase tipo carrete ₡4 949,63 ₡4 595,71 ₡4 522,84	Min.: 1 Mult.: 1 : 25	Si	Through Hole	TO-247-4	N-Channel	1 Channel	650 V	57 A	40 mOhms	30 V	4 V	105 nC	- 55 C	+ 150 C	360 W	Enhancement	DTMOSVI	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO247-4L PD=230W F=1MHZ TK090Z65Z,S1F Toshiba 1: ₡5 704,30 Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas	N.º de artículo del Fabricante TK090Z65Z,S1F N.º de artículo de Mouser 757-TK090Z65ZS1F	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO247-4L PD=230W F=1MHZ Obtenga más información sobre Toshiba dtmosvi mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas	₡5 704,30 ₡3 466,30 ₡2 925,02 ₡2 826,13	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	30 A	90 mOhms	30 V	3 V	47 nC	- 55 C	+ 150 C	45 W	Enhancement	DTMOSVI	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247 PD=230W F=1MHZ TK095N65Z5,S1F Toshiba 1: ₡3 867,06 Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas	N.º de artículo del Fabricante TK095N65Z5,S1F N.º de artículo de Mouser 757-TK095N65Z5S1F	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247 PD=230W F=1MHZ Obtenga más información sobre Toshiba tk095n65z5 mosfet	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas	₡3 867,06 ₡2 144,32 ₡1 967,36 ₡1 686,31 ₡1 634,26	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	29 A	95 mOhms	30 V	4.5 V	50 nC		+ 150 C	230 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=150W F=1MHZ TK155U65Z,RQ Toshiba 2 000: ₡942,04 Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas	N.º de artículo del Fabricante TK155U65Z,RQ N.º de artículo de Mouser 757-TK155U65ZRQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=150W F=1MHZ Obtenga más información sobre Toshiba silicon n channel mosfets dtmosvi	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas	Envase tipo carrete ₡942,04 ₡916,02	Min.: 2 000 Mult.: 2 000 : 2 000	Si	SMD/SMT	2-10AF1A-9	N-Channel	1 Channel	650 V	18 A	122 mOhms	30 V	4 V	29 nC	- 55 C	+ 150 C	150 W	Enhancement		Reel

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