PJQx 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT PJQx 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are designed with logic level gate drive in a DFN5060X-8L and DFN3333-8L packages. These MOSFETs feature low on−resistance (RDS(on)), excellent Figure Of Merit (FOM), and ±20 gate-source voltage. The PJQx 30V N-Channel MOSFETs are AEC-Q101 qualified and are lead-free in compliance with EU RoHS 2.0 standards. These MOSFETs are ideal for automotive applications.

Resultados: 22
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Empaquetado
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
Hoja de datos
4 990En existencias
Cinta cortada
₡718,24
₡335,70
₡298,23
₡232,13
Envase tipo carrete
₡173,31
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Min.: 1
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: 5 000
Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 55 A 6.5 mOhms 20 V 2.5 V 10.7 nC - 55 C + 175 C 32 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
Hoja de datos
4 899En existencias
Cinta cortada
₡582,92
₡269,60
₡238,89
₡184,24
Envase tipo carrete
₡135,84
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Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 65 A 5.5 mOhms 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 175 C 37.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
Hoja de datos
5 000En existencias
Cinta cortada
₡650,58
₡303,43
₡269,08
₡208,71
Envase tipo carrete
₡154,58
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: 5 000
Si AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
Hoja de datos
4 976En existencias
Cinta cortada
₡619,35
₡286,78
₡253,99
₡196,74
Envase tipo carrete
₡145,21
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: 5 000
Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 38 A 9.3 mOhms 20 V 2.5 V 9.5 nC - 55 C + 175 C 21.4 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
Hoja de datos
2 980En existencias
Cinta cortada
₡931,63
₡593,33
₡395,55
₡311,76
Envase tipo carrete
₡250,34
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: 3 000
Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 93 A 3.6 mOhms 20 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
Hoja de datos
2 996En existencias
Cinta cortada
₡650,58
₡303,43
₡269,08
₡208,71
Envase tipo carrete
₡163,95
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT DFN-5060X-8 N-Channel 1 Channel 30 V 85 A 3.6 mOhms 20 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 150 C 41.7 W Enhancement Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
Hoja de datos
3 000En existencias
Cinta cortada
₡843,15
₡398,16
₡354,96
₡278,45
Envase tipo carrete
₡255,55
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 73 A 5 mOhms 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
Hoja de datos
2 986En existencias
Cinta cortada
₡582,92
₡364,85
₡238,89
₡184,24
Envase tipo carrete
₡144,17
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT DFN-5060X-8 N-Channel 1 Channel 30 V 68 A 4.9 mOhms 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 35.7 W Enhancement Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
2 575En existencias
Cinta cortada
₡780,70
₡367,45
₡326,85
₡255,55
Envase tipo carrete
₡202,98
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 61 A 6 mOhms 20 V 2.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 31.3 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
Hoja de datos
2 730En existencias
Cinta cortada
₡546,49
₡252,43
₡223,28
₡172,27
Envase tipo carrete
₡134,28
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT DFN-5060X-8 N-Channel 1 Channel 30 V 58 A 6 mOhms 20 V 2.5 V 11 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
Hoja de datos
3 000En existencias
Cinta cortada
₡749,47
₡472,06
₡312,80
₡244,10
Envase tipo carrete
₡193,61
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 16.7 A 7.5 mOhms 20 V 2.5 V 12.4 nC - 55 C + 175 C 33 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
Hoja de datos
3 000En existencias
Cinta cortada
₡510,06
₡235,25
₡207,67
₡159,78
Envase tipo carrete
₡123,87
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT DFN-5060X-8 N-Channel 1 Channel 30 V 49 A 7.3 mOhms 20 V 2.5 V 12.4 nC - 55 C + 150 C 27.8 W Enhancement Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
Hoja de datos
3 000En existencias
Cinta cortada
₡718,24
₡335,70
₡298,23
₡232,13
Envase tipo carrete
₡183,72
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 39 A 9.3 mOhms 20 V 2.5 V 9.5 nC - 55 C + 175 C 23 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
Hoja de datos
2 995En existencias
Cinta cortada
₡473,62
₡217,03
₡191,53
₡146,77
Envase tipo carrete
₡113,46
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT DFN-5060X-8 N-Channel 1 Channel 30 V 37 A 8.9 mOhms 20 V 2.5 V 9.5 nC - 55 C + 150 C 19.2 W Enhancement Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Cinta cortada
₡687,01
₡319,57
₡283,65
₡220,68
Envase tipo carrete
₡164,47
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Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 80 A 4.4 mOhms 20 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 175 C 45.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Envase tipo carrete
₡154,58
₡150,41
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000
Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 75 A 4.2 mOhms 20 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 150 C 38 W Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Envase tipo carrete
₡125,43
₡116,58
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000
Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 62 A 5.5 mOhms 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 31.3 W Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Envase tipo carrete
₡116,58
₡107,74
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000
Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 51 A 6.5 mOhms 20 V 2.5 V 10.7 nC - 55 C + 150 C 26.6 W Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Envase tipo carrete
₡112,94
₡99,93
₡96,81
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000
Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 45 A 7.8 mOhms 20 V 2.5 V 12.4 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Envase tipo carrete
₡102,01
₡90,04
₡85,88
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000
Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 36 A 8.9 mOhms 20 V 2.5 V 9.5 nC - 55 C + 150 C 18 W Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Cinta cortada
₡1 394,85
₡687,01
₡614,15
₡492,36
₡481,95
Envase tipo carrete
₡430,95
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 152 A 1.7 mOhms 20 V 2.5 V 45 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Envase tipo carrete
₡389,83
₡387,75
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000
Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 29.6 A 2 mOhms 20 V 2.5 V 43 nC - 55 C + 175 C 3.3 W Enhancement AEC-Q101 Reel