Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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SQ Automotive Power MOSFETs

Vishay / Siliconix SQ Automotive Power MOSFETs are AEC-Q101 qualified and produced using a special process design that is optimized for use in the automotive industry. These SQ MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance. The SQ MOSFETs are available in various packages for design flexibility. Packages include the TO-252, TO-262, TO-263, PowerPAK® SO-8, PowerPAK 8x8L, PowerPAK SO-8L, D2PAK (TO-263), DPAK, and PowerPAK 1212-8W, as well as several space-saving, small-outline options. A full range of polarity options is also available, including N-channel and P-channel co-packages. Vishay / Siliconix SQ Automotive Power MOSFETs are offered in various polarity options, including N-channel and P-channel co-packages.

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQ2318CES-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡353,92
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SQ2318CES-T1_GE3

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78-SQ2318CES-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

40 V

7 A

31 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

8.9 nC

- 55 C

+ 175 C

3 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQ3426CEEV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡431,99
161En existencias
12 000Se espera el 13/8/2026

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SQ3426CEEV-T1_GE3

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78-SQ3426CEEV-T1_GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

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12 000Se espera el 13/8/2026

Cinta cortada

₡431,99

₡269,08

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₡132,72

₡119,71

Envase tipo carrete

₡102,01

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000

: 3 000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

1 Channel

60 V

7 A

42 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ3585EV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡582,92
6 070En existencias
6 000Se espera el 27/8/2026

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SQ3585EV-T1_GE3

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78-SQ3585EV-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified

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₡359,12

₡236,29

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Envase tipo carrete

₡212,87

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Mult.: 1
Máx.: 3 000

: 3 000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

2.5 A, 3.57 A

49 mOhms, 140 mOhms

- 12 V, 12 V

600 mV, 1.5 V

2.5 nC, 3.5 nC

- 55 C

+ 175 C

1.67 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-CHANNEL 30 V

SQ4920EY-T1_BE3
Vishay Semiconductors
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1 482En existencias

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SQ4920EY-T1_BE3

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Vishay Semiconductors

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Envase tipo carrete

₡398,16

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

30 V

8 A

13 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

4.4 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V -4.6A 3.75W AEC-Q101 Qualified

SQ9407EY-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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1 883En existencias

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SQ9407EY-T1_GE3

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781-SQ9407EY-T1_GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V -4.6A 3.75W AEC-Q101 Qualified

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₡263,36

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2 500

: 2 500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

60 V

4.6 A

67 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

3.75 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

SQ2337CES-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡577,72
923En existencias
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SQ2337CES-T1_GE3

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78-SQ2337CES-T1_GE3

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₡115,02

Envase tipo carrete

₡80,15

MouseReel Disponible

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Mult.: 1
Máx.: 3 000

: 3 000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

80 V

2.2 A

290 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

9.3 nC

- 55 C

+ 175 C

3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40V (D-S)

SQ3419EV-T1_BE3
Vishay / Siliconix
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SQ3419EV-T1_BE3

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: 3 000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

40 V

6.9 A

48 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

7.5 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ3419EV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQ3419EV-T1_GE3

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: 3 000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

40 V

6.9 A

48 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

7.5 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60V (D-S)

SQ3427EV-T1_BE3
Vishay / Siliconix
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SQ3427EV-T1_BE3

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: 3 000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

60 V

5.3 A

95 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15.3 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30V (D-S)

SQ3457EV-T1_BE3
Vishay / Siliconix
1: ₡551,69
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SQ3457EV-T1_BE3

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₡136,36

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

30 V

6.8 A

35 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

14 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 8A 3.6W AEC-Q101 Qualified

SQ3460EV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡858,77
224En existencias

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SQ3460EV-T1_GE3

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78-SQ3460EV-T1_GE3

Vishay Semiconductors

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₡546,49

₡362,76

₡284,69

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₡227,44

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: 3 000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

1 Channel

20 V

8 A

25 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

14 nC

- 55 C

+ 175 C

3.6 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 12V

SQ4005EY-T1_BE3
Vishay Semiconductors
1: ₡1 025,32
2 200En existencias

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SQ4005EY-T1_BE3

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₡262,31

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: 2 500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

12 V

15 A

13 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

6 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ4050EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡1 207,48
1 551En existencias

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SQ4050EY-T1_GE3

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Vishay / Siliconix

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₡417,93

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₡353,92

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: 2 500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

40 V

19 A

6.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

6 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30V

SQ4182EY-T1_BE3
Vishay Semiconductors
1: ₡1 337,60
1 237En existencias

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SQ4182EY-T1_BE3

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78-SQ4182EY-T1_BE3

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₡470,50

₡433,03

Envase tipo carrete

₡408,57

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: 2 500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

32 A

3.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

72 nC

- 55 C

+ 175 C

7.1 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30V

SQ4483EY-T1_BE3
Vishay Semiconductors
1: ₡1 254,32
392En existencias

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SQ4483EY-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4483EY-T1_BE3

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₡373,69

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: 2 500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

30 V

30 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8A 5W AEC-Q101 Qualified

SQ3410EV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡634,97
3 674En existencias

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SQ3410EV-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SQ3410EV-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8A 5W AEC-Q101 Qualified

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₡159,78

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

1 Channel

30 V

8 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

21 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ2361ES-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡582,92
88 400En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SQ2361ES-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ2361ES-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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₡582,92

₡298,23

₡218,08

₡186,85

₡178,52

Envase tipo carrete

₡150,93

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: 3 000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

60 V

2.8 A

177 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

9 nC

- 55 C

+ 175 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQ2308FES-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQ2308FES-T1_GE3

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78-SQ2308FES-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

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₡322,69

₡199,34

₡126,99

₡96,29

₡85,88

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₡73,39

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Máx.: 3 000

: 3 000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

60 V

2.3 A

150 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

3.6 nC

- 55 C

+ 175 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ3418EV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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70 968En pedido

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SQ3418EV-T1_GE3

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78-SQ3418EV-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000

: 3 000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

1 Channel

40 V

8 A

26 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

12.7 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified

SQ2315ES-T1_GE3
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Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

12 V

5 A

50 mOhms

- 8 V, 8 V

450 mV

9 nC

- 55 C

+ 175 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-Channel 30V (D-S) 175C MOSFET

SQ2348CES-T1_GE3
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Máx.: 3 000

: 3 000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

8 A

24 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

8.15 nC

- 55 C

+ 175 C

3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 20V (D-S)

SQ2301ES-T1_BE3
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Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

3.9 A

120 mOhms

- 8 V, 8 V

1.5 V

5 nC

- 55 C

+ 175 C

3 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 20V AEC-Q101 Qualified

SQ2301ES-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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: 3 000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

3.9 A

120 mOhms

- 8 V, 8 V

1.5 V

5 nC

- 55 C

+ 175 C

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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ2398ES-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

1.6 A

300 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

2.3 nC

- 55 C

+ 175 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8A 3W AEC-Q101 Qualified

SQ2348ES-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQ2348ES-T1_GE3

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781-SQ2348ES-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

8 A

24 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

7.95 nC

- 55 C

+ 175 C

3 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

SQ Automotive Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

440 mA
780 mA
800 mA
840 mA
850 mA
1.6 A
1.7 A
2 A
2.2 A
2.3 A
2.5 A
2.5 A, 3.57 A
2.8 A
3 A
3.2 A
3.9 A
4.1 A
4.3 A
4.4 A
4.6 A

3.1 mOhms
3.6 mOhms
3.8 mOhms
5.1 mOhms
6.3 mOhms
7 mOhms
9 mOhms
10 mOhms
12.3 mOhms
13 mOhms
13.5 mOhms
14 mOhms
16.5 mOhms
20 mOhms, 20 mOhms
21 mOhms
21 mOhms, 56 mOhms
22 mOhms
23 mOhms
24 mOhms
25 mOhms

700 pC
930 pC, 1 nC
1.15 nC
1.2 nC
1.25 nC
1.4 nC, 1.6 nC
2.3 nC
2.5 nC
2.5 nC, 3.5 nC
3.1 nC
3.4 nC
3.5 nC
3.6 nC
4.1 nC
4.5 nC
4.95 nC
5 nC
5.2 nC
5.4 nC
5.5 nC

430 mW
1.5 W
1.67 W
1.9 W
2 W
2.5 W
2.7 W
3 W
3.3 W
3.6 W
3.75 W
3.9 W
4 W
4.4 W
5 W
6 W
6.8 W
7 W
7.1 W
7.14 W