QPD0020TR7

Qorvo
772-QPD0020TR7
QPD0020TR7

Fabricante:

Descripción:
GaN FETs DC-6GHz 35W 50V GaN Transistor

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Qorvo
Categoría de producto: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
QFN-20
2.69 GHz
2.62 GHz
GaN
Marca: Qorvo
Configuración: Single
Kit de desarrollo: QPD0020EVB02
Ganancia: 16.7 dB
Sensibles a la humedad: Yes
Potencia de salida: 34.7 W
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Tipo de producto: GaN FETs
Serie: QPD0020
Cantidad de empaque de fábrica: 500
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: HEMT
Alias de las piezas n.º: QPD0020
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

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Códigos de cumplimiento
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Estados Unidos
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

QPD0020 GaN RF Power Transistors

Qorvo QPD0020 GaN RF Power Transistors are 35W unmatched discrete GaN on SiC HEMT which operates from DC to 6GHz on a +48V supply rail. The devices are suited for base station, radar, and communications applications. The transistors support CW and pulsed mode of operations. The QPD0020 can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for small cell, microcell, and active antenna systems. The QPD0020 can also be used as a driver in a macrocell base station power amplifier.

En existencias: 338

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
16 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
₡-,--
Precio ext.:
₡-,--
Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
₡31 186,29 ₡31 186,29
₡25 763,04 ₡257 630,40
₡24 404,62 ₡610 115,50
₡24 102,75 ₡2 410 275,00
₡24 097,55 ₡6 024 387,50
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 500)
₡23 087,85 ₡11 543 925,00

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