Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
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N-Channel
1 Channel
30 V
15 A
5.5 mOhms
- 16 V, 16 V
1 V
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- 55 C
+ 175 C
2.5 W
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AEC-Q101
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N-Channel
1 Channel
30 V
75 A
4 mOhms
- 16 V, 20 V
1 V
44 nC
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+ 175 C
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Enhancement
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Si
SMD/SMT
PowerDI5060-8
N-Channel
1 Channel
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22 A
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+ 175 C
136 W
Enhancement
AEC-Q101
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AEC-Q101
Reel
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DMTH4004SK3Q-13
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SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
AEC-Q101
Reel
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DMTH4004SPS-13
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SMD/SMT
PowerDI5060-8
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 6.5mOhm 10Vgs 100A
DMTH4007LPSQ-13
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 6.5mOhm 10Vgs 100A
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SMD/SMT
PowerDI5060-8
N-Channel
1 Channel
40 V
100 A
6.5 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
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- 55 C
+ 175 C
150 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch Enh 20Vgss 7.3mOhm 70A
DMTH4007SPS-13
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Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch Enh 20Vgss 7.3mOhm 70A
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SMD/SMT
PowerDI5060-8
N-Channel
1 Channel
40 V
100 A
7.6 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
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- 55 C
+ 175 C
136 W
Enhancement
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020-6 T&R 10K
DMTH4008LFDFW-13
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621-DMTH4008LFDFW-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020-6 T&R 10K
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SMD/SMT
U-DFN2020-6
N-Channel
1 Channel
40 V
11.6 A
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- 55 C
+ 175 C
2.35 W
Enhancement
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020-6 T&R 3K
DMTH4008LFDFW-7
Diodes Incorporated
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N.º de artículo de Mouser
621-DMTH4008LFDFW-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020-6 T&R 3K
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3 000
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SMD/SMT
U-DFN2020-6
N-Channel
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11.6 A
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- 55 C
+ 175 C
2.35 W
Enhancement
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020-6 T&R 3K
DMTH4008LFDFWQ-7
Diodes Incorporated
1:
₡660,99
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
N.º de artículo de Mouser
621-DMTH4008LFDFWQ-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020-6 T&R 3K
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Embalaje alternativo
1
₡660,99
10
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100
₡263,36
500
₡226,92
3 000
₡136,36
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
Si
SMD/SMT
U-DFN2020-6
N-Channel
1 Channel
40 V
11.6 A
11.5 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
14.2 nC
- 55 C
+ 175 C
2.35 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
DMTH6004LPSQ-13
Diodes Incorporated
1:
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N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6004LPSQ-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
Plazo de entrega no en existencias 44 Semanas
1
₡1 696,72
10
₡890,00
100
₡754,67
500
₡671,40
1 000
₡624,56
2 500
₡511,10
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Si
SMD/SMT
PowerDI5060-8
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
DMTH6009SPS-13
Diodes Incorporated
1:
₡629,76
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6009SPS-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
1
₡629,76
10
₡387,75
100
₡255,03
500
₡200,38
1 000
₡175,92
2 500
₡160,30
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Si
SMD/SMT
PowerDI5060-8
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 20Vgss 2.6W 2090pF
DMTH6010LPS-13
Diodes Incorporated
2 500:
₡291,46
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6010LPS-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 20Vgss 2.6W 2090pF
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
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Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Carrete :
2 500
Detalles
Si
SMD/SMT
PowerDI5060-8
N-Channel
1 Channel
60 V
100 A
8 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
41.3 nC
- 55 C
+ 175 C
2.6 W
Enhancement
PowerDI
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-6 T&R 10K
DMTH6016LFDFW-13
Diodes Incorporated
10 000:
₡155,62
Plazo de entrega no en existencias 44 Semanas
N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6016LFDFW-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-6 T&R 10K
Plazo de entrega no en existencias 44 Semanas
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 10 000
Mult.: 10 000
Carrete :
10 000
Si
SMD/SMT
U-DFN2020-6
N-Channel
1 Channel
60 V
9.4 A
18 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
15.3 nC
- 55 C
+ 175 C
2.3 W
Enhancement
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
DMTH6016LFDFWQ-7
Diodes Incorporated
1:
₡780,70
Plazo de entrega no en existencias 48 Semanas
N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6016LFDFWQ-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
Plazo de entrega no en existencias 48 Semanas
Embalaje alternativo
1
₡780,70
10
₡479,87
100
₡316,44
500
₡248,78
1 000
₡212,35
3 000
₡211,31
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
Si
SMD/SMT
U-DFN2020-6
N-Channel
1 Channel
60 V
9.4 A
18 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
15.3 nC
- 55 C
+ 175 C
2.3 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
DMTH6016LK3Q-13
Diodes Incorporated
1:
₡848,36
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6016LK3Q-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
1
₡848,36
10
₡469,98
100
₡348,19
500
₡336,22
2 500
₡212,87
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
10.8 A
17 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
17 nC
- 55 C
+ 175 C
60 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 80V 20Vgss 80A
DMTH8012LPS-13
Diodes Incorporated
2 500:
₡188,41
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
N.º de artículo de Mouser
621-DMTH8012LPS-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 80V 20Vgss 80A
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Comprar
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Carrete :
2 500
Detalles
Si
SMD/SMT
PowerDI5060-8
N-Channel
1 Channel
80 V
10 A
17 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
34 nC
- 55 C
+ 175 C
136 W
Enhancement
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
Diodes Incorporated DMT10H010LPSW-13
DMT10H010LPSW-13
Diodes Incorporated
2 500:
₡331,54
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
621-DMT10H010LPSW-13
Nuevo producto
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
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Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Carrete :
2 500
Detalles
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
Diodes Incorporated DMT10H010SPSW-13
DMT10H010SPSW-13
Diodes Incorporated
2 500:
₡331,54
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
621-DMT10H010SPSW-13
Nuevo producto
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
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Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Carrete :
2 500
Detalles
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
Diodes Incorporated DMT3020LFVW-7
DMT3020LFVW-7
Diodes Incorporated
1:
₡489,24
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
N.º de artículo de Mouser
621-DMT3020LFVW-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
1
₡489,24
10
₡347,15
100
₡215,99
500
₡148,85
1 000
₡125,43
2 000
₡111,90
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 000
Detalles
Si
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
Diodes Incorporated DMTH6016LFVW-13
DMTH6016LFVW-13
Diodes Incorporated
3 000:
₡153,02
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6016LFVW-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Embalaje alternativo
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Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Carrete :
3 000
Detalles
Si
Reel