Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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DMTx MOSFETs

Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are N-channel enhancement mode MOSFETs with low on-resistance and fast switching. These MOSFETs are also designed to meet the stringent requirements of automotive applications. Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications.

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Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 80A 62.5W

DMT6007LFG-13
Diodes Incorporated
1: ₡1 191,87
4 136En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT6007LFG-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6007LFG-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 80A 62.5W

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Cinta cortada

₡1 191,87

₡671,40

₡510,58

Envase tipo carrete

₡510,58

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 120

: 3 000

SMD/SMT

PowerDI3333-8

N-Channel

1 Channel

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 80A 62.5W

DMT6007LFG-7
Diodes Incorporated
1: ₡1 155,43
2 270En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT6007LFG-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6007LFG-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 80A 62.5W

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Cinta cortada

₡1 155,43

₡744,27

₡500,69

Envase tipo carrete

₡500,69

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 120

: 2 000

SMD/SMT

PowerDI3333-8

N-Channel

1 Channel

60 V

80 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

800 mV

41.3 nC

- 55 C

+ 150 C

2.2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 12Vgs 13A 2713pF

DMT6008LFG-7
Diodes Incorporated
1: ₡723,45
7 241En existencias
4 000Se espera el 16/8/2027

N.º de artículo del Fabricante
DMT6008LFG-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6008LFG-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 12Vgs 13A 2713pF

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7 241En existencias

4 000Se espera el 16/8/2027

Cinta cortada

₡723,45

₡453,33

₡299,79

₡233,69

₡212,35

Envase tipo carrete

₡194,13

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 000

SMD/SMT

PowerDI3333-8

N-Channel

1 Channel

60 V

13 A

6.5 mOhms

- 12 V, 12 V

2 V

22.4 nC

- 55 C

+ 150 C

2.2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET Low Rdson

DMT6009LFG-7
Diodes Incorporated
1: ₡962,86
4 506En existencias
4 000Se espera el 19/2/2027

N.º de artículo del Fabricante
DMT6009LFG-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6009LFG-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET Low Rdson

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4 506En existencias

4 000Se espera el 19/2/2027

Cinta cortada

₡962,86

₡461,65

₡401,28

₡311,76

₡286,26

Envase tipo carrete

₡277,41

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 000

SMD/SMT

PowerDI3333-8

N-Channel

1 Channel

60 V

34 A

10 mOhms

- 16 V, 16 V

700 mV

33.5 nC

- 55 C

+ 150 C

19.2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 12mOhm 4.5Vgs 11.5A

DMT6010LSS-13
Diodes Incorporated
1: ₡1 191,87
6 549En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT6010LSS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6010LSS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 12mOhm 4.5Vgs 11.5A

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Cinta cortada

₡1 191,87

₡749,47

₡491,84

₡390,35

Envase tipo carrete

₡316,44

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

60 V

14 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

800 mV

41.3 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8 T&R 2.5K

DMT6012LSS-13
Diodes Incorporated
1: ₡426,78
26 948En existencias
15 000Se espera el 26/11/2027

N.º de artículo del Fabricante
DMT6012LSS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6012LSS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8 T&R 2.5K

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26 948En existencias

15 000Se espera el 26/11/2027

Cinta cortada

₡426,78

₡265,96

₡171,75

₡131,16

₡118,15

Envase tipo carrete

₡118,15

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 630

: 2 500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

60 V

10.4 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

700 mV

22.2 nC

- 55 C

+ 150 C

13.4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMT6015LSS-13
Diodes Incorporated
1: ₡624,56
15 150En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT6015LSS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6015LSS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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15 150En existencias

Cinta cortada

₡624,56

₡391,91

₡257,63

₡199,34

₡180,60

Envase tipo carrete

₡159,78

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000

: 2 500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

60 V

9.2 A

16 mOhms

- 16 V, 16 V

500 mV

18.9 nC

- 55 C

+ 150 C

2.1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMT68M8LPS-13
Diodes Incorporated
1: ₡843,15
5 009En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT68M8LPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT68M8LPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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Cinta cortada

₡843,15

₡397,64

₡353,40

₡300,31

₡256,59

Envase tipo carrete

₡224,32

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

1 Channel

60 V

14.1 A

7.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

2.4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMT69M8LFV-13
Diodes Incorporated
1: ₡754,67
10 311En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT69M8LFV-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT69M8LFV-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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10 311En existencias

Cinta cortada

₡754,67

₡473,62

₡313,84

₡244,62

Envase tipo carrete

₡218,08

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerDI3333-8

N-Channel

1 Channel

60 V

45 A

9.5 mOhms

- 16 V, 16 V

1 V

33.5 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

DMTH10H015LPS-13
Diodes Incorporated
1: ₡1 014,91
4 614En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH10H015LPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH10H015LPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

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Hoja de datos

4 614En existencias

Cinta cortada

₡1 014,91

₡645,38

₡433,03

₡364,33

₡323,73

Envase tipo carrete

₡295,62

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

1 Channel

100 V

7.3 A

16 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

33.3 nC

- 55 C

+ 175 C

46 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 8.6mOhm 10Vgs 45A

DMTH4007SPD-13
Diodes Incorporated
1: ₡1 025,32
5 913En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH4007SPD-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH4007SPD-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 8.6mOhm 10Vgs 45A

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Hoja de datos

5 913En existencias

Cinta cortada

₡1 025,32

₡655,79

₡450,72

₡363,28

₡327,37

Envase tipo carrete

₡323,21

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

SMD/SMT

PowerDI5060-C-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

4.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

41.9 nC

- 55 C

+ 175 C

2.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V 40V U-DFN2020-6 T&R 10K

DMTH4008LFDFWQ-13
Diodes Incorporated
1: ₡562,10
9 700En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH4008LFDFWQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH4008LFDFWQ13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V 40V U-DFN2020-6 T&R 10K

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Hoja de datos

9 700En existencias

Cinta cortada

₡562,10

₡257,11

₡226,92

Envase tipo carrete

₡226,92

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 340

: 10 000

SMD/SMT

U-DFN2020-6

N-Channel

1 Channel

40 V

11.6 A

11.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

14.2 nC

- 55 C

+ 175 C

2.35 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMTH6010LPDQ-13
Diodes Incorporated
1: ₡999,29
7 086En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH6010LPDQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6010LPDQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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Hoja de datos

7 086En existencias

Cinta cortada

₡999,29

₡640,17

₡427,30

Envase tipo carrete

₡427,30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150

: 2 500

SMD/SMT

PowerDI5060-C-8

N-Channel

2 Channel

60 V

47.6 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

40.2 nC

- 55 C

+ 175 C

37.5 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V 60V U-DFN2020-6 T&R 3K

DMTH6016LFDFW-7
Diodes Incorporated
1: ₡671,40
9 251En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH6016LFDFW-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6016LFDFW-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V 60V U-DFN2020-6 T&R 3K

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Hoja de datos

9 251En existencias

Cinta cortada

₡671,40

₡310,72

₡276,89

₡217,55

₡191,01

Envase tipo carrete

₡171,23

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

U-DFN2020-6

N-Channel

1 Channel

60 V

9.4 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

15.3 nC

- 55 C

+ 175 C

2.3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMTH6016LPS-13
Diodes Incorporated
1: ₡530,87
7 894En existencias
10 000Se espera el 19/5/2027

N.º de artículo del Fabricante
DMTH6016LPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6016LPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

Obtenga más información

Hoja de datos

7 894En existencias

10 000Se espera el 19/5/2027

Cinta cortada

₡530,87

₡242,54

₡186,85

₡157,18

Envase tipo carrete

₡157,18

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 200

: 2 500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

1 Channel

60 V

37.1 A

16 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

37.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

DMT10H009LSS-13
Diodes Incorporated
1: ₡999,29
2 425En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT10H009LSS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT10H009LSS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

Hoja de datos

2 425En existencias

Cinta cortada

₡999,29

₡477,27

₡416,89

₡370,05

₡332,58

Envase tipo carrete

₡268,56

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

100 V

13 A

9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

40.2 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 9.5mOHm 10V 98A

DMT10H010LCT
Diodes Incorporated
1: ₡1 410,46
88En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT10H010LCT

N.º de artículo de Mouser
621-DMT10H010LCT

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 9.5mOHm 10V 98A

Obtenga más información

Hoja de datos

88En existencias

₡1 410,46

₡853,56

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

98 A

6.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

53.7 nC

- 55 C

+ 150 C

139 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

DMT10H010SPS-13
Diodes Incorporated
1: ₡988,88
762En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT10H010SPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT10H010SPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

Obtenga más información

Hoja de datos

762En existencias

Cinta cortada

₡988,88

₡629,76

₡422,62

₡333,62

₡305,51

Envase tipo carrete

₡273,76

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

1 Channel

100 V

113 A

8.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

56.4 nC

- 55 C

+ 150 C

139 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W

DMT10H015LFG-7
Diodes Incorporated
1: ₡1 139,82
2 077En existencias
4 000Se espera el 18/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
DMT10H015LFG-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT10H015LFG-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W

Obtenga más información

Hoja de datos

2 077En existencias

4 000Se espera el 18/12/2026

Cinta cortada

₡1 139,82

₡567,31

₡487,68

Envase tipo carrete

₡487,68

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 230

: 2 000

SMD/SMT

PowerDI3333-8

N-Channel

1 Channel

100 V

42 A

13.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

33.3 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

PowerDI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W

DMT10H015LPS-13
Diodes Incorporated
1: ₡978,47
1 384En existencias

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N-Channel

1 Channel

100 V

44 A

16 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

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- 55 C

+ 150 C

1.3 W

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PowerDI

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DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

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47.2 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

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DFN-2020-6

N-Channel

1 Channel

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4.8 mOhms

- 12 V, 12 V

550 mV

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12.5 W

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DMT2004UFG-7
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PowerDI3333-8

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1 Channel

24 V

70 A

5 mOhms

- 12 V, 12 V

550 mV

53.7 nC

- 55 C

+ 150 C

2.3 W

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PowerDI3333-8

N-Channel

1 Channel

24 V

70 A

5 mOhms

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550 mV

53.7 nC

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+ 150 C

2.3 W

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DMT2004UPS-13
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N-Channel

1 Channel

24 V

80 A

5 mOhms

- 12 V, 12 V

550 mV

53.7 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W

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DMTx MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

4 A
5 A
7.3 A
7.4 A
7.6 A
7.7 A
8.3 A
8.4 A
8.8 A
8.9 A
9.2 A
9.4 A
9.5 A
9.7 A
10 A
10.4 A
10.6 A
10.8 A
11.6 A
11.76 A

1.35 mOhms
1.4 mOhms
1.6 mOhms
1.7 mOhms
1.8 mOhms
2 mOhms
2.2 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.4 mOhms
3.6 mOhms
3.65 mOhms
3.7 mOhms

5.1 nC
7 nC
8.4 nC
10.2 nC
10.6 nC
12 nC
13.6 nC
13.9 nC
14 nC
14.2 nC
15 nC
15.1 nC
15.3 nC
16.7 nC
17 nC
18.9 nC
20 nC
21 nC
21.4 nC
22.2 nC

800 mW
1.2 W
1.3 W
1.5 W
1.6 W
1.67 W
1.8 W
1.9 W
1.98 W
2 W
2.1 W
2.2 W
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2.38 W
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2.5 W
2.6 W
2.7 W
2.8 W