Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V
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1
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1 000
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3 000
₡167,59
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Detalles
Si
SMD/SMT
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DMT3020LSD-13
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V, SO-8 Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
31 En existencias
2 500 Se espera el 2/8/2027
1
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SMD/SMT
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Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 25V-30V
64 En existencias
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1
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₡118,67
Comprar
Min.: 1
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Detalles
Si
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Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V
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Comprar
Min.: 1
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2 500
Detalles
Si
SMD/SMT
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N-Channel
1 Channel
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V
DMT4005SCT
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621-DMT4005SCT
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V
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Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V
DMT4011LFG-13
Diodes Incorporated
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621-DMT4011LFG-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V
99 En existencias
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Diodes Incorporated
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1 062 En existencias
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621-DMT4011LFG-7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V
1 062 En existencias
2 000 En pedido
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Si
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Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 41V-60V
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2 500 Se espera el 20/10/2027
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Detalles
Si
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Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
+2 imágenes
DMT6005LSS-13
Diodes Incorporated
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621-DMT6005LSS-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
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Si
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47.1 nC
- 55 C
+ 150 C
125 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
DMT6009LCT
Diodes Incorporated
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850 Se espera el 16/7/2027
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621-DMT6009LCT
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
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Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
37.2 A
12 mOhms
- 16 V, 16 V
700 mV
33.5 nC
- 55 C
+ 150 C
25 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 16Vgss 2.6W 57A
DMT6009LK3-13
Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 16Vgss 2.6W 57A
3 802 En existencias
12 500 Se espera el 19/3/2027
1
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Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
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50 W
Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
DMT6009LPS-13
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
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Si
SMD/SMT
PowerDI5060-8
N-Channel
1 Channel
60 V
10.6 A
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 12mOhm 4.5Vgs
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DMT6009LSS-13
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621-DMT6009LSS-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 12mOhm 4.5Vgs
1 990 En existencias
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Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
1 Channel
60 V
10.8 A
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- 20 V, 20 V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh Mode 22Vgss 2090pF 41.3nC
DMT6010LFG-7
Diodes Incorporated
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621-DMT6010LFG7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh Mode 22Vgss 2090pF 41.3nC
2 124 En existencias
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Si
SMD/SMT
PowerDI3333-8
N-Channel
1 Channel
60 V
30 A
7.8 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
41.3 nC
- 55 C
+ 150 C
2.2 W
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Reel, Cut Tape, MouseReel