Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A
DMT6016LPS-13
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A
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Si
SMD/SMT
PowerDI5060-8
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1 Channel
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10.6 A
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A
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DMT6016LSS-13
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Si
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
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DMT6017LSS-13
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621-DMT6017LSS-13
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2 500
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Si
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SOIC-8
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1 Channel
60 V
9.2 A
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DMT6018LDR-13
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
2 743 En existencias
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Si
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
DMT6018LDR-7
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621-DMT6018LDR-7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
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Embalaje alternativo
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Si
SMD/SMT
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 41V-60V
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DMT68M8LSS-13
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621-DMT68M8LSS-13
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 41V-60V
1 769 En existencias
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1
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2 500
₡216,51
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Detalles
Si
SMD/SMT
SOIC-8
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
DMT69M8LFV-7
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621-DMT69M8LFV-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
411 En existencias
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Embalaje alternativo
1
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Si
SMD/SMT
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Ch Enh FET 20Vgs 9.5A 1949pF
DMT8012LFG-7
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621-DMT8012LFG-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Ch Enh FET 20Vgs 9.5A 1949pF
2 434 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡822,34
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4 000
Ver
1 000
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4 000
₡206,10
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Detalles
Si
SMD/SMT
PowerDI3333-8
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1 Channel
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9.5 A
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Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 80V 20Vgss 80A
DMT8012LK3-13
Diodes Incorporated
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621-DMT8012LK3-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 80V 20Vgss 80A
946 En existencias
1
₡811,93
10
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₡218,08
5 000
Ver
1 000
₡241,50
5 000
₡202,98
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2 500
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
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Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V
+2 imágenes
DMT8012LSS-13
Diodes Incorporated
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1 220 En existencias
N.º de artículo de Mouser
621-DMT8012LSS-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V
1 220 En existencias
1
₡791,11
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5 000
₡195,17
Comprar
Min.: 1
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Carrete :
2 500
Detalles
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
1 Channel
80 V
9.7 A
16.5 mOhms
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1 V
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2 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V
DMTH10H005LCT
Diodes Incorporated
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34 En existencias
N.º de artículo de Mouser
621-DMTH10H005LCT
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V
34 En existencias
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Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
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187 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 61V-100V
DMTH10H005SCT
Diodes Incorporated
1:
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93 En existencias
N.º de artículo de Mouser
621-DMTH10H005SCT
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 61V-100V
93 En existencias
Comprar
Min.: 1
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Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
100 V
140 A
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- 20 V, 20 V
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111.7 nC
- 55 C
+ 175 C
187 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V
DMTH10H010LCT
Diodes Incorporated
1:
₡1 311,57
41 En existencias
N.º de artículo de Mouser
621-DMTH10H010LCT
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V
41 En existencias
1
₡1 311,57
10
₡640,17
100
₡530,87
500
₡452,28
1 000
₡390,35
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
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108 A
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+ 175 C
166 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V
DMTH10H010LCTB-13
Diodes Incorporated
1:
₡1 363,62
258 En existencias
N.º de artículo de Mouser
621-DMTH10H010LCTB13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V
258 En existencias
1
₡1 363,62
10
₡687,01
100
₡598,54
500
₡465,30
800
₡465,30
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
800
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-263AB-3
N-Channel
1 Channel
100 V
100 A
9.5 mOhms
- 20 V, 20 V
1.4 V
53.7 nC
- 55 C
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125 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V
DMTH10H010SCT
Diodes Incorporated
1:
₡1 202,28
279 En existencias
N.º de artículo de Mouser
621-DMTH10H010SCT
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V
279 En existencias
1
₡1 202,28
10
₡593,33
100
₡530,87
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
100 V
100 A
9.5 mOhms
- 20 V, 20 V
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56.4 nC
- 55 C
+ 175 C
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Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V 100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
DMTH10H010SPSQ-13
Diodes Incorporated
1:
₡1 858,06
141 En existencias
5 000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
621-DMTH10H010SPSQ13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V 100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
141 En existencias
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2 500 Se espera el 11/8/2027
2 500 Se espera el 20/10/2027
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1
₡1 858,06
10
₡999,29
100
₡733,86
500
₡655,79
1 000
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2 500
₡536,08
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Si
SMD/SMT
PowerDI5060-8
N-Channel
1 Channel
100 V
100 A
8.8 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
56.4 nC
- 55 C
+ 175 C
166 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V
DMTH10H025LK3-13
Diodes Incorporated
1:
₡765,08
122 En existencias
2 500 Se espera el 19/2/2027
N.º de artículo de Mouser
621-DMTH10H025LK3-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V
122 En existencias
2 500 Se espera el 19/2/2027
1
₡765,08
10
₡417,41
100
₡316,44
2 500
₡316,44
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 240
Carrete :
2 500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
100 V
51.7 A
22 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
21 nC
- 55 C
+ 175 C
3.1 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V 100V TO252 T&R 2.5K
DMTH10H025SK3-13
Diodes Incorporated
1:
₡619,35
2 929 En existencias
N.º de artículo de Mouser
621-DMTH10H025SK3-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V 100V TO252 T&R 2.5K
2 929 En existencias
1
₡619,35
10
₡380,98
100
₡250,34
2 500
₡250,34
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 290
Carrete :
2 500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
100 V
46.3 A
23 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
21.4 nC
- 55 C
+ 175 C
3.7 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:
DMTH3004LK3Q-13
Diodes Incorporated
1:
₡905,61
3 145 En existencias
N.º de artículo de Mouser
621-DMTH3004LK3Q-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:
3 145 En existencias
1
₡905,61
10
₡429,38
100
₡382,54
500
₡331,54
1 000
₡283,65
2 500
₡244,10
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
30 V
75 A
4 mOhms
- 16 V, 20 V
1 V
44 nC
- 55 C
+ 175 C
107 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
DMTH32M5LPSQ-13
Diodes Incorporated
1:
₡1 108,59
529 En existencias
N.º de artículo de Mouser
621-DMTH32M5LPSQ-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
529 En existencias
1
₡1 108,59
10
₡707,83
100
₡477,79
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₡379,42
2 500
₡312,80
5 000
Ver
1 000
₡347,67
5 000
₡310,20
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Si
SMD/SMT
PowerDI5060-8
N-Channel
1 Channel
30 V
170 A
2.2 mOhms
- 16 V, 16 V
1 V
68 nC
- 55 C
+ 175 C
100 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A
DMTH4004SCTB-13
Diodes Incorporated
1:
₡1 233,50
356 En existencias
N.º de artículo de Mouser
621-DMTH4004SCTB-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A
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Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
100 A
3 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
68.6 nC
- 55 C
+ 175 C
136 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A
DMTH4004SCTBQ-13
Diodes Incorporated
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N.º de artículo de Mouser
621-DMTH4004SCTBQ-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A
31 En existencias
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Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
100 A
2.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
68.6 nC
- 55 C
+ 175 C
136 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch Enh 3.7mOHm 10Vgs 100A
DMTH4005SPS-13
Diodes Incorporated
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N.º de artículo de Mouser
621-DMTH4005SPS-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch Enh 3.7mOHm 10Vgs 100A
428 En existencias
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Si
SMD/SMT
PowerDI5060-8
N-Channel
1 Channel
40 V
100 A
3.7 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
49.1 nC
- 55 C
+ 175 C
150 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 7.3mOhm 10Vgs 70A
DMTH4007LK3Q-13
Diodes Incorporated
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N.º de artículo de Mouser
621-DMTH4007LK3Q-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 7.3mOhm 10Vgs 70A
1 533 En existencias
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Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
70 A
7.3 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
29.1 nC
- 55 C
+ 175 C
59 W
Enhancement
AEC-Q101
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V
DMTH4007SK3-13
Diodes Incorporated
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453 En existencias
N.º de artículo de Mouser
621-DMTH4007SK3-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V
453 En existencias
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Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
80 A
6 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
41.9 nC
- 55 C
+ 175 C
59 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel