DMTx MOSFETs

Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are N-channel enhancement mode MOSFETs with low on-resistance and fast switching. These MOSFETs are also designed to meet the stringent requirements of automotive applications. Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications.

Resultados: 250
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 8.6mOhm 10Vgs 45A 861En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT PowerDI5060-C-8 N-Channel 2 Channel 40 V 45 A 8.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 41.9 nC - 55 C + 175 C 37.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 5 000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 64.8 A 8.8 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 15.3 nC - 55 C + 175 C 55.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 86En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 64.8 A 8.8 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 15.3 nC - 55 C + 175 C 55.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 31V 40V 1 479En existencias
2 500Se espera el 11/8/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 530
: 2 500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 2 Channel 40 V 42 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 10.6 nC - 55 C + 175 C 37.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 1 143En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 2 Channel 40 V 42 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 10.6 nC - 55 C + 175 C 37.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 31V-40V 210En existencias
2 500Se espera el 13/8/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 38.5 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 3 126En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 49 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 41V-60V 1 148En existencias
2 500Se espera el 15/1/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 70
: 2 500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 130.8 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 3.4mOhm 10Vgs 100A 105En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 163 A 3.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 95.4 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 1 803En existencias
2 500Se espera el 30/7/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 310
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 90 A 5.6 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 47.1 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60 154En existencias
5 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 14.2 A 10 mOhms - 16 V, 16 V 700 mV 33.5 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 2 677En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 11.76 A 10 mOhms - 16 V, 16 V 700 mV 33.5 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 114En existencias
2 500Se espera el 19/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 100
: 2 500

Si SMD/SMT PowerDI5060-C-8 N-Channel 2 Channel 60 V 47.6 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 40.2 nC - 55 C + 175 C 37.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 8mOhm 10Vgs 100A 2 062En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 13.5 A 6.4 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 41.3 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 6En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 7.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 36.3 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Tube
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 297En existencias
2 500Se espera el 16/6/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 16.3 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 38.1 nC - 55 C + 175 C 59 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 20En existencias
6 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 410
: 3 000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 60 V 41 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 15.1 nC - 55 C + 175 C 2.38 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 20En existencias
6 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 480
: 2 000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 60 V 41 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 15.1 nC - 55 C + 175 C 2.38 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 55En existencias
5 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 310
: 2 500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 37 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 17 nC - 55 C + 175 C 37.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 184En existencias
15 000Se espera el 19/3/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 750
: 2 500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 60 V 7.6 A 19.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 17 nC - 55 C + 175 C 1.9 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 488En existencias
2 500Se espera el 19/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 390
: 2 500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 60 V 7.6 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 17 nC - 55 C + 175 C 1.9 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 175c N-Ch FET 16mOhm 10Vgs 50A 2 243En existencias
5 000Se espera el 21/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 250
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 80 V 50 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 46.8 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V 2 722En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 190
: 2 500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 80 V 10 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 46.8 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 80V 20Vgss 80A 1 152En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 80 V 65 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 34 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 1 776En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 95 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 49.1 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel