Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
DMT10H017LPD-13
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621-DMT10H017LPD-13
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
2 500 Se espera el 22/9/2027
1
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₡739,06
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2 500
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Si
SMD/SMT
PowerDI5060-8
N-Channel
2 Channel
100 V
54.7 A
17.4 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
28.6 nC
- 55 C
+ 150 C
78 W
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
DMT32M5LFG-13
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621-DMT32M5LFG-13
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
2 788 Se espera el 18/8/2026
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₡671,40
100
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₡326,33
3 000
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Si
SMD/SMT
PowerDI3333-8
N-Channel
1 Channel
30 V
100 A
1.4 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
67.7 nC
- 55 C
+ 150 C
50 W
Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
DMT32M5LFG-7
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621-DMT32M5LFG-7
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3 920 Se espera el 18/8/2026
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₡619,35
100
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Mult.: 1
Carrete :
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Si
SMD/SMT
PowerDI3333-8
N-Channel
1 Channel
30 V
100 A
1.4 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
67.7 nC
- 55 C
+ 150 C
50 W
Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh Mode 22Vgss 2090pF 41.3nC
DMT6010LFG-13
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621-DMT6010LFG-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh Mode 22Vgss 2090pF 41.3nC
6 000 En pedido
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10
₡572,51
100
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3 000
₡213,91
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Mult.: 1
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3 000
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Si
SMD/SMT
PowerDI3333-8
N-Channel
1 Channel
60 V
30 A
7.8 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
41.3 nC
- 55 C
+ 150 C
2.2 W
Enhancement
PowerDI
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
DMT6015LFV-13
Diodes Incorporated
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N.º de artículo de Mouser
621-DMT6015LFV-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
12 000 Se espera el 21/6/2027
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₡386,19
100
₡244,10
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1 000
₡151,98
3 000
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Detalles
Si
SMD/SMT
PowerDI3333-UX-8
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
DMT6015LFV-7
Diodes Incorporated
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N.º de artículo de Mouser
621-DMT6015LFV-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
36 000 En pedido
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Plazo de entrega de fábrica:
40 Semanas
1
₡619,35
10
₡296,67
100
₡262,31
2 000
₡157,18
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Detalles
Si
SMD/SMT
PowerDI3333-UX-8
N-Channel
1 Channel
60 V
35 A
16 mOhms
- 16 V, 16 V
2.5 V
18.9 nC
- 55 C
+ 150 C
30 W
Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A
DMT6016LFDF-7
Diodes Incorporated
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36 000 En pedido
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621-DMT6016LFDF-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A
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18 000 Se espera el 19/2/2027
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₡614,15
10
₡330,50
100
₡252,43
500
₡251,38
3 000
₡151,98
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Mult.: 1
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Detalles
Si
SMD/SMT
DFN-2020-6
N-Channel
1 Channel
60 V
8.9 A
16 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
17 nC
- 55 C
+ 150 C
1.9 W
Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020-6 T&R 3K
DMTH4008LFDFWQ-7R
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N.º de artículo de Mouser
621-DMTH4008LFDFWQ7R
Nuevo producto
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020-6 T&R 3K
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6 000 Se espera el 19/2/2027
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40 Semanas
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₡619,35
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₡375,26
100
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3 000
₡263,36
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Mult.: 1
Máx.: 300
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Detalles
Si
SMD/SMT
U-DFN2020-6
N-Channel
1 Channel
40 V
11.6 A
18 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
14.2 nC
- 55 C
+ 175 C
2.35 W
Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V
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DMTH4014LPD-13
Diodes Incorporated
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621-DMTH4014LPD-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V
4 998 Se espera el 24/9/2027
1
₡952,45
10
₡478,31
100
₡392,43
500
₡311,76
1 000
₡276,89
2 500
₡245,14
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Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Si
SMD/SMT
PowerDI5060-8
N-Channel
2 Channel
40 V
43.6 A
15 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
10.2 nC
- 55 C
+ 175 C
42.8 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
DMTH6016LK3-13
Diodes Incorporated
1:
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40 000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6016LK3-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
40 000 En pedido
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25 000 Se espera el 21/10/2026
15 000 Se espera el 15/1/2027
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36 Semanas
1
₡562,10
10
₡308,64
100
₡227,44
2 500
₡139,48
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Mult.: 1
Máx.: 5 000
Carrete :
2 500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
10.8 A
17 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
17 nC
- 55 C
+ 175 C
60 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
DMTH6016LPDQ-13
Diodes Incorporated
1:
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4 990 Se espera el 15/1/2027
N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6016LPDQ-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
4 990 Se espera el 15/1/2027
1
₡952,45
10
₡530,87
100
₡392,43
500
₡372,65
2 500
₡237,85
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Si
SMD/SMT
PowerDI5060-8
N-Channel
2 Channel
60 V
33.2 A
19 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
17 nC
- 55 C
+ 175 C
37.5 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 80V 20Vgss 80A
DMTH8012LK3-13
Diodes Incorporated
1:
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4 994 En pedido
N.º de artículo de Mouser
621-DMTH8012LK3-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 80V 20Vgss 80A
4 994 En pedido
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2 494 Se espera el 14/7/2027
2 500 Se espera el 20/8/2027
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36 Semanas
1
₡895,20
10
₡480,39
100
₡367,97
2 500
₡367,97
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 220
Carrete :
2 500
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
80 V
50 A
12.1 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
34 nC
- 55 C
+ 175 C
60 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V
+2 imágenes
DMT10H025SSS-13
Diodes Incorporated
1:
₡744,27
4 680 Se espera el 15/1/2027
N.º de artículo de Mouser
621-DMT10H025SSS-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V
4 680 Se espera el 15/1/2027
1
₡744,27
10
₡348,71
100
₡309,68
2 500
₡182,68
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
1 Channel
100 V
7.4 A
23 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
21.4 nC
- 55 C
+ 150 C
12.9 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
DMT3020LFDF-7
Diodes Incorporated
1:
₡582,92
5 898 Se espera el 21/5/2027
N.º de artículo de Mouser
621-DMT3020LFDF-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
5 898 Se espera el 21/5/2027
Embalaje alternativo
1
₡582,92
10
₡265,96
100
₡235,25
3 000
₡132,72
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
Si
SMD/SMT
DFN-2020-6
N-Channel
1 Channel
30 V
8.4 A
17 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
7 nC
- 55 C
+ 150 C
1.8 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
DMT6012LFDF-7
Diodes Incorporated
1:
₡640,17
2 993 Se espera el 19/2/2027
N.º de artículo de Mouser
621-DMT6012LFDF-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
2 993 Se espera el 19/2/2027
Embalaje alternativo
1
₡640,17
10
₡335,18
100
₡261,27
3 000
₡261,27
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 490
Carrete :
3 000
Detalles
Si
SMD/SMT
U-DFN2020-6
N-Channel
1 Channel
60 V
9.5 A
14 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
13.6 nC
- 55 C
+ 150 C
1.9 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V
DMT3006LFDF-13
Diodes Incorporated
1:
₡499,65
180 000 Existencias en fábrica disponibles
N.º de artículo de Mouser
621-DMT3006LFDF-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V
180 000 Existencias en fábrica disponibles
Embalaje alternativo
1
₡499,65
10
₡301,87
100
₡212,87
500
₡189,97
10 000
₡96,81
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
10 000
Detalles
Si
SMD/SMT
U-DFN2020-F-6
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
DMT3006LFG-13
Diodes Incorporated
3 000:
₡184,24
12 000 Existencias en fábrica disponibles
N.º de artículo de Mouser
621-DMT3006LFG-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
12 000 Existencias en fábrica disponibles
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Carrete :
3 000
Detalles
Si
PowerDI3333-8
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
DMT3006LFV-7
Diodes Incorporated
1:
₡739,06
80 000 Existencias en fábrica disponibles
N.º de artículo de Mouser
621-DMT3006LFV-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
80 000 Existencias en fábrica disponibles
Embalaje alternativo
1
₡739,06
10
₡455,93
100
₡300,31
500
₡236,29
1 000
₡201,94
2 000
₡188,93
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 000
Si
PowerDI3333-8
N-Channel
1 Channel
30 V
60 A
5.6 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
8.4 nC
- 55 C
+ 150 C
2 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
DMT35M7LFV-13
Diodes Incorporated
3 000:
₡169,15
3 000 Existencias en fábrica disponibles
N.º de artículo de Mouser
621-DMT35M7LFV-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
3 000 Existencias en fábrica disponibles
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Carrete :
3 000
Detalles
Si
SMD/SMT
PowerDI3333-8
N-Channel
1 Channel
30 V
76 A
3.6 mOhms
- 20 V, 20 V
1.3 V
36 nC
- 55 C
+ 150 C
1.98 W
Enhancement
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
DMT6004SCT
Diodes Incorporated
1:
₡1 618,65
18 800 Existencias en fábrica disponibles
N.º de artículo de Mouser
621-DMT6004SCT
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
18 800 Existencias en fábrica disponibles
1
₡1 618,65
10
₡853,56
100
₡770,29
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
100 A
3.65 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
95.4 nC
- 55 C
+ 150 C
113 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Ch Enh FET 20Vgs 9.5A 1949pF
DMT8012LFG-13
Diodes Incorporated
1:
₡1 004,50
3 000 Existencias en fábrica disponibles
N.º de artículo de Mouser
621-DMT8012LFG-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Ch Enh FET 20Vgs 9.5A 1949pF
3 000 Existencias en fábrica disponibles
Embalaje alternativo
1
₡1 004,50
10
₡619,35
100
₡407,52
500
₡320,61
1 000
₡273,76
3 000
₡232,65
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
Si
SMD/SMT
PowerDI3333-8
N-Channel
1 Channel
80 V
9.5 A
14 mOhms
- 20 V, 20 V
1.5 V
15 nC
- 55 C
+ 150 C
2.2 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V
DMTH10H015LK3-13
Diodes Incorporated
2 500:
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N.º de artículo de Mouser
621-DMTH10H015LK3-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V
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Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Carrete :
2 500
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V
DMTH4005SCT
Diodes Incorporated
1:
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4 150 Existencias en fábrica disponibles
N.º de artículo de Mouser
621-DMTH4005SCT
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V
4 150 Existencias en fábrica disponibles
1
₡1 405,26
10
₡728,65
100
₡655,79
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Min.: 1
Mult.: 1
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
40 V
100 A
4.7 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
49.1 nC
- 55 C
+ 175 C
125 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch Enh 20Vgss 7.3mOhm 70A
DMTH4007LPS-13
Diodes Incorporated
2 500:
₡227,44
2 500 Existencias en fábrica disponibles
N.º de artículo de Mouser
621-DMTH4007LPS-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch Enh 20Vgss 7.3mOhm 70A
2 500 Existencias en fábrica disponibles
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Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Carrete :
2 500
Detalles
Si
SMD/SMT
PowerDI5060-8
N-Channel
1 Channel
40 V
100 A
6.5 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
29.1 nC
- 55 C
+ 175 C
150 W
Enhancement
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 8.6mOhm 10Vgs 45A
DMTH4007SPSQ-13
Diodes Incorporated
2 500:
₡281,05
17 500 Existencias en fábrica disponibles
N.º de artículo de Mouser
621-DMTH4007SPSQ-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 8.6mOhm 10Vgs 45A
17 500 Existencias en fábrica disponibles
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Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Carrete :
2 500
Detalles
Si
SMD/SMT
PowerDI5060-8
N-Channel
1 Channel
40 V
100 A
7.6 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
41.9 nC
- 55 C
+ 175 C
136 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel