DMTx MOSFETs

Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are N-channel enhancement mode MOSFETs with low on-resistance and fast switching. These MOSFETs are also designed to meet the stringent requirements of automotive applications. Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications.

Resultados: 250
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
2 500Se espera el 22/9/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 2 Channel 100 V 54.7 A 17.4 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 28.6 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
2 788Se espera el 18/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 67.7 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
3 920Se espera el 18/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 67.7 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh Mode 22Vgss 2090pF 41.3nC
6 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 60 V 30 A 7.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 41.3 nC - 55 C + 150 C 2.2 W Enhancement PowerDI Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
12 000Se espera el 21/6/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerDI3333-UX-8 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
36 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 4 000
: 2 000

Si SMD/SMT PowerDI3333-UX-8 N-Channel 1 Channel 60 V 35 A 16 mOhms - 16 V, 16 V 2.5 V 18.9 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A
36 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 60 V 8.9 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 17 nC - 55 C + 150 C 1.9 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020-6 T&R 3K
11 997En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 300
: 3 000

Si SMD/SMT U-DFN2020-6 N-Channel 1 Channel 40 V 11.6 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 14.2 nC - 55 C + 175 C 2.35 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V
4 998Se espera el 24/9/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 2 Channel 40 V 43.6 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 10.2 nC - 55 C + 175 C 42.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
40 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 5 000
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 10.8 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 17 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
4 990Se espera el 15/1/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 2 Channel 60 V 33.2 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 17 nC - 55 C + 175 C 37.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 80V 20Vgss 80A
4 994En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 220
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 80 V 50 A 12.1 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 34 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V
4 680Se espera el 15/1/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 100 V 7.4 A 23 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 21.4 nC - 55 C + 150 C 12.9 W Enhancement Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
5 898Se espera el 21/5/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 30 V 8.4 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 7 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
2 993Se espera el 19/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 490
: 3 000

Si SMD/SMT U-DFN2020-6 N-Channel 1 Channel 60 V 9.5 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 13.6 nC - 55 C + 150 C 1.9 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 180 000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 1
Mult.: 1
: 10 000

Si SMD/SMT U-DFN2020-F-6 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V 12 000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si PowerDI3333-8 Reel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V 80 000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
Si PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 60 A 5.6 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V 3 000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 76 A 3.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 36 nC - 55 C + 150 C 1.98 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 18 800Existencias en fábrica disponibles
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 3.65 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 95.4 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement Tube
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Ch Enh FET 20Vgs 9.5A 1949pF 3 000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 80 V 9.5 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 2.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V 7 500Existencias en fábrica disponibles
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 4 150Existencias en fábrica disponibles
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 4.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 49.1 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Tube
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch Enh 20Vgss 7.3mOhm 70A 2 500Existencias en fábrica disponibles
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 29.1 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 8.6mOhm 10Vgs 45A 17 500Existencias en fábrica disponibles
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 7.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 41.9 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 Reel