Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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DMTx MOSFETs

Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are N-channel enhancement mode MOSFETs with low on-resistance and fast switching. These MOSFETs are also designed to meet the stringent requirements of automotive applications. Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications.

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Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

DMT3020LFDB-13
Diodes Incorporated
10 000: ₡119,19
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
DMT3020LFDB-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT3020LFDB-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

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Envase tipo carrete

₡119,19

Min.: 10 000
Mult.: 10 000

: 10 000

SMD/SMT

U-DFN2020-B-6

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

DMT3020LFDF-13
Diodes Incorporated
10 000: ₡117,10
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
DMT3020LFDF-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT3020LFDF-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

₡117,10

Min.: 10 000
Mult.: 10 000

: 10 000

SMD/SMT

DFN-2020-6

N-Channel

1 Channel

30 V

8.4 A

17 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

7 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K

DMT3022UEV-13
Diodes Incorporated
3 000: ₡153,02
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
DMT3022UEV-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT3022UEV-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K

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Envase tipo carrete

₡153,02

Min.: 3 000
Mult.: 3 000

: 3 000

SMD/SMT

PowerDI3333-8

N-Channel

1 Channel

30 V

17 A

22 mOhms

- 12 V, 12 V

1.8 V

13.9 nC

1.8 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K

DMT3022UEV-7
Diodes Incorporated
1: ₡608,94
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DMT3022UEV-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT3022UEV-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K

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Cinta cortada

₡608,94

₡376,30

₡247,22

₡194,65

₡170,71

Envase tipo carrete

₡160,82

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 000

SMD/SMT

PowerDI3333-8

N-Channel

1 Channel

30 V

17 A

22 mOhms

- 12 V, 12 V

1.8 V

13.9 nC

1.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 25V-30V

DMT31M6LPS-13
Diodes Incorporated
2 500: ₡324,77
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DMT31M6LPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT31M6LPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 25V-30V

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Envase tipo carrete

₡324,77

Min.: 2 500
Mult.: 2 500

: 2 500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

1 Channel

30 V

35.8 A

1.35 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

123 nC

- 55 C

+ 150 C

100 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

DMT31M7LPS-13
Diodes Incorporated
1: ₡1 113,80
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas

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DMT31M7LPS-13

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621-DMT31M7LPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

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Cinta cortada

₡1 113,80

₡702,63

₡459,57

₡364,85

₡324,25

Envase tipo carrete

₡303,43

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

1 Channel

30 V

30 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

90 nC

- 55 C

+ 150 C

2.4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 25V-30V

DMT34M1LPS-13
Diodes Incorporated
1: ₡676,61
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas

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DMT34M1LPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT34M1LPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 25V-30V

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Cinta cortada

₡676,61

₡360,16

₡280,01

₡277,93

Envase tipo carrete

₡173,31

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

DMT35M7LFV-7
Diodes Incorporated
1: ₡697,42
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
DMT35M7LFV-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT35M7LFV-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

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Cinta cortada

₡697,42

₡331,02

₡285,22

₡251,91

₡237,33

Envase tipo carrete

₡164,99

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 000

PowerDI3333-8

N-Channel

1 Channel

30 V

76 A

3.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

1.98 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

DMT4003SCT
Diodes Incorporated
1: ₡1 514,55
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
DMT4003SCT

N.º de artículo de Mouser
621-DMT4003SCT

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

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₡1 514,55

₡806,72

₡671,40

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

40 V

205 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

75.6 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

DMT4008LFV-13
Diodes Incorporated
3 000: ₡184,24
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
DMT4008LFV-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT4008LFV-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

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Envase tipo carrete

₡184,24

Min.: 3 000
Mult.: 3 000

: 3 000

SMD/SMT

PowerDI3333-8

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMT6005LCT
Diodes Incorporated
1: ₡1 462,51
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
DMT6005LCT

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6005LCT

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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₡1 462,51

₡817,13

₡744,27

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMT6005LFG-13
Diodes Incorporated
3 000: ₡226,40
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
DMT6005LFG-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6005LFG-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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Envase tipo carrete

₡226,40

Min.: 3 000
Mult.: 3 000

: 3 000

SMD/SMT

PowerDI3333-8

N-Channel

1 Channel

60 V

18 A

4.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

48.7 nC

- 55 C

+ 150 C

1.98 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMT6005LFG-7
Diodes Incorporated
2 000: ₡236,81
Plazo de entrega no en existencias 44 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
DMT6005LFG-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6005LFG-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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Envase tipo carrete

₡236,81

Min.: 2 000
Mult.: 2 000

: 2 000

SMD/SMT

PowerDI3333-8

N-Channel

1 Channel

60 V

18 A

4.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

48.7 nC

- 55 C

+ 150 C

1.98 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET Low Rdson

DMT6009LFG-13
Diodes Incorporated
3 000: ₡265,44
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
DMT6009LFG-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6009LFG-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET Low Rdson

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Envase tipo carrete

₡265,44

Min.: 3 000
Mult.: 3 000

: 3 000

SMD/SMT

PowerDI3333-8

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMT6012LFDF-13
Diodes Incorporated
1: ₡640,17
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
DMT6012LFDF-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6012LFDF-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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Cinta cortada

₡640,17

₡394,51

₡259,19

₡204,02

Ver

Envase tipo carrete

₡141,57

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 10 000

SMD/SMT

U-DFN2020-6

N-Channel

1 Channel

60 V

9.5 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

13.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.9 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMT6013LFDF-13
Diodes Incorporated
10 000: ₡243,06
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
DMT6013LFDF-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6013LFDF-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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Envase tipo carrete

₡243,06

Min.: 10 000
Mult.: 10 000

: 10 000

SMD/SMT

U-DFN2020-6

N-Channel

1 Channel

60 V

10 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

10.8 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMT6013LFDF-7
Diodes Incorporated
1: ₡817,13
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
DMT6013LFDF-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6013LFDF-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas

Cinta cortada

₡817,13

₡562,10

₡419,50

₡361,20

₡330,50

Envase tipo carrete

₡281,57

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

U-DFN2020-6

N-Channel

1 Channel

60 V

10 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

10.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A

DMT6016LFDF-13
Diodes Incorporated
1: ₡624,56
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
DMT6016LFDF-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6016LFDF-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas

Cinta cortada

₡624,56

₡300,83

₡255,03

₡225,88

Ver

Envase tipo carrete

₡125,95

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 10 000

SMD/SMT

U-DFN2020-F-6

N-Channel

1 Channel

60 V

8.9 A

16 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

1.9 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMT615MLFV-13
Diodes Incorporated
1: ₡567,31
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
DMT615MLFV-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT615MLFV-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

Cinta cortada

₡567,31

₡348,71

₡229,53

₡180,08

₡158,22

Envase tipo carrete

₡143,65

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

PowerDI3333-8

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V60V

DMT615MLFV-7
Diodes Incorporated
1: ₡567,31
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
DMT615MLFV-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT615MLFV-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V60V

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

Cinta cortada

₡567,31

₡348,71

₡229,53

₡180,08

₡158,22

Envase tipo carrete

₡150,93

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 000

PowerDI3333-8

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

DMTH10H015SPS-13
Diodes Incorporated
2 500: ₡269,60
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
DMTH10H015SPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH10H015SPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas

Envase tipo carrete

₡269,60

Min.: 2 500
Mult.: 2 500

: 2 500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

DMTH10H015SPSQ-13
Diodes Incorporated
1: ₡1 165,84
Plazo de entrega no en existencias 44 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
DMTH10H015SPSQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH10H015SPSQ13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

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Plazo de entrega no en existencias 44 Semanas

Cinta cortada

₡1 165,84

₡733,86

₡480,39

₡380,98

₡338,82

Envase tipo carrete

₡314,88

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

DMTH3004LFG-13
Diodes Incorporated
1: ₡671,40
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
DMTH3004LFG-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH3004LFG-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas

Cinta cortada

₡671,40

₡463,21

₡293,54

₡181,64

₡134,28

Envase tipo carrete

₡97,85

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerDI3333-8

N-Channel

1 Channel

30 V

15 A

5.5 mOhms

- 16 V, 16 V

1 V

44 nC

- 55 C

+ 175 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

DMTH3004LFG-7
Diodes Incorporated
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DMTH3004LFG-7

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621-DMTH3004LFG-7

Diodes Incorporated

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₡463,21

₡293,54

₡181,64

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Envase tipo carrete

₡103,57

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 000

SMD/SMT

PowerDI3333-8

N-Channel

1 Channel

30 V

15 A

5.5 mOhms

- 16 V, 16 V

1 V

44 nC

- 55 C

+ 175 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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DMTH3004LFGQ-13
Diodes Incorporated
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DMTH3004LFGQ-13

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₡382,02

₡303,43

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Envase tipo carrete

₡258,15

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerDI3333-8

N-Channel

1 Channel

30 V

15 A

5.5 mOhms

- 16 V, 16 V

1 V

44 nC

- 55 C

+ 175 C

2.5 W

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AEC-Q101

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DMTx MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

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Recursos

Soporte

4 A
5 A
7.3 A
7.4 A
7.6 A
7.7 A
8.3 A
8.4 A
8.8 A
8.9 A
9.2 A
9.4 A
9.5 A
9.7 A
10 A
10.4 A
10.6 A
10.8 A
11.6 A
11.76 A

1.35 mOhms
1.4 mOhms
1.6 mOhms
1.7 mOhms
1.8 mOhms
2 mOhms
2.2 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.4 mOhms
3.6 mOhms
3.65 mOhms
3.7 mOhms

5.1 nC
7 nC
8.4 nC
10.2 nC
10.6 nC
12 nC
13.6 nC
13.9 nC
14 nC
14.2 nC
15 nC
15.1 nC
15.3 nC
16.7 nC
17 nC
18.9 nC
20 nC
21 nC
21.4 nC
22.2 nC

800 mW
1.2 W
1.3 W
1.5 W
1.6 W
1.67 W
1.8 W
1.9 W
1.98 W
2 W
2.1 W
2.2 W
2.3 W
2.35 W
2.38 W
2.4 W
2.5 W
2.6 W
2.7 W
2.8 W