Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) – Mouser Costa Rica

Saltar al contenido principal

Parte de la familia de especialistas de TTIContactar a Mouser (USA) +52 33 3612 7301Comentarios

Cambiar ubicación

+52 33 3612 7301 Cambiar ubicación

En existencia

RoHS

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 4

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Seleccionar	Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	RoHS	Modelo ECAD	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Empaquetado
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 45V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8 SIR608DP-T1-RE3 Vishay Semiconductors 1: ₡1 457,30 3 174En existencias	N.º de artículo del Fabricante SIR608DP-T1-RE3 N.º de artículo de Mouser 78-SIR608DP-T1-RE3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 45V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8 Obtenga más información sobre Vishay Semiconductors vishay siliconix trenchfet gen iv mosfets	Hoja de datos	3 174En existencias	Cinta cortada ₡1 457,30 ₡942,04 ₡645,38 ₡525,67 Envase tipo carrete ₡468,42 Ver ₡485,59 ₡453,85 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000			Si	SMD/SMT	PowerPAK-SO-8	N-Channel	1 Channel	45 V	208 A	1.2 mOhms	- 16 V, 20 V	1.1 V	167 nC	- 55 C	+ 150 C	104 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V SIHB24N65EFT5-GE3 Vishay Semiconductors 800: ₡1 634,26 Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante SIHB24N65EFT5-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SIHB24N65EFT5-GE3 Nuevo producto	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas	₡1 634,26	Min.: 800 Mult.: 800			Si
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V SIHG28N65E-GE3 Vishay Semiconductors 500: ₡1 779,99 Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante SIHG28N65E-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SIHG28N65E-GE3 Nuevo producto	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas	₡1 779,99 ₡1 681,10	Min.: 500 Mult.: 500			Si	Through Hole	TO-247AC-3	N-Channel	1 Channel
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V SIHP33N60E-E3 Vishay Semiconductors 1 000: ₡1 540,58 Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante SIHP33N60E-E3 N.º de artículo de Mouser 78-SIHP33N60E-E3 Nuevo producto	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas	₡1 540,58	Min.: 1 000 Mult.: 1 000			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel