Tecnología PowerTrench

onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.

Resultados: 18
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE
Hoja de datos
110En existencias
27 000En pedido
Cinta cortada
₡1 972,56
₡1 285,55
₡936,84
₡785,90
₡728,65
Envase tipo carrete
₡728,65
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 414 A 520 uOhms 20 V 3.5 V 97.5 nC - 55 C + 175 C 163 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE
Hoja de datos
121En existencias
31 500En pedido
Cinta cortada
₡1 863,27
₡1 212,68
₡848,36
₡707,83
₡660,99
Envase tipo carrete
₡660,99
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 380 A 570 uOhms 20 V 3.5 V 86.4 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Hoja de datos
3En existencias
7 500Se espera el 2/7/2027
Cinta cortada
₡1 696,72
₡1 098,18
₡759,88
₡629,76
₡588,13
Envase tipo carrete
₡588,13
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 80 V 181 A 2.1 mOhms 20 V 3.6 V 53 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Hoja de datos
35En existencias
25 500En pedido
Cinta cortada
₡1 165,84
₡739,06
₡499,13
₡404,40
₡362,24
Envase tipo carrete
₡362,24
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 80 V 119 A 3.5 mOhms 20 V 3.6 V 21 nC - 55 C + 170 C 107 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Hoja de datos
10 394En existencias
37 500En pedido
Cinta cortada
₡1 899,70
₡1 233,50
₡863,97
₡723,45
₡671,40
Envase tipo carrete
₡634,97
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 80 V 201 A 1.9 mOhms 20 V 3.6 V 39 nC - 55 C + 175 C 164 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Hoja de datos
166En existencias
19 500En pedido
Cinta cortada
₡1 441,69
₡759,88
₡640,17
₡518,90
₡449,16
Envase tipo carrete
₡449,16
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 323 A 700 uOhms 20 V 3.5 V 72.1 nC - 55 C + 175 C 134 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET U8FL
Hoja de datos
5 174En existencias
Cinta cortada
₡1 321,98
₡848,36
₡577,72
₡490,80
Envase tipo carrete
₡411,17
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si WDFN-8 PowerTrench Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Hoja de datos
9En existencias
3 000Se espera el 18/11/2026
Cinta cortada
₡1 420,87
₡796,31
₡608,94
₡456,45
₡402,32
Envase tipo carrete
₡402,32
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 233 A 1.05 mOhms 20 V 3.5 V 49.1 nC - 55 C + 175 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Hoja de datos
8En existencias
9 000Se espera el 29/3/2028
Cinta cortada
₡1 228,30
₡780,70
₡530,87
₡439,27
₡380,98
Envase tipo carrete
₡380,98
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 195 A 1.3 mOhms 20 V 3.5 V 38.5 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Hoja de datos
62En existencias
10 500En pedido
Cinta cortada
₡994,09
₡536,08
₡410,13
₡336,22
₡246,18
Envase tipo carrete
₡246,18
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 111 A 2.35 mOhms 20 V 3.5 V 22.1 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Hoja de datos
95En existencias
6 000Se espera el 25/12/2026
Cinta cortada
₡1 009,70
₡476,23
₡384,10
₡312,28
₡227,96
Envase tipo carrete
₡227,96
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 83 A 3.1 mOhms 20 V 3.5 V 15.6 nC - 55 C + 175 C 39 W Enhancement Reel, Cut Tape

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET HE SO8FL
Hoja de datos
85En existencias
4 500En pedido
Cinta cortada
₡2 659,58
₡1 587,42
₡1 275,14
₡1 134,61
₡978,47
Envase tipo carrete
₡978,47
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 142 A 3.5 mOhms 20 V 4 V 48 nC - 55 C + 150 C 155 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V SG NCH MOSFET TOLL
Hoja de datos
28 583En pedido
Cinta cortada
₡4 486,41
₡2 534,67
₡2 326,48
₡2 274,43
₡2 009,00
Envase tipo carrete
₡2 009,00
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 457 A 790 uOhms 20 V 3.6 V 174 nC - 55 C + 175 C 325 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Hoja de datos
28 438En pedido
Cinta cortada
₡1 571,81
₡879,59
₡697,42
₡572,51
₡494,96
Envase tipo carrete
₡494,96
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 80 V 154 A 2.6 mOhms 20 V 3.6 V 28 nC - 55 C + 175 C 133 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF
Hoja de datos
11 115En pedido
Cinta cortada
₡2 264,02
₡1 483,33
₡1 103,39
₡926,43
₡858,77
Envase tipo carrete
₡858,77
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT SO8FL-8 N-Channel 1 Channel 80 V 253 A 1.43 mOhms 20 V 3.6 V 83 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE
Hoja de datos
5 907Se espera el 23/7/2027
Cinta cortada
₡2 238,00
₡1 467,71
₡1 092,98
₡916,02
₡848,36
Envase tipo carrete
₡848,36
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 509 A 420 uOhms 20 V 3.5 V 133 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Hoja de datos
5 747Se espera el 23/3/2027
Cinta cortada
₡1 290,75
₡827,54
₡562,10
₡478,83
₡423,66
Envase tipo carrete
₡423,66
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 80 V 135 A 3 mOhms 20 V 3.6 V 23 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q 4.2MOHM N-FET SO8FL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Envase tipo carrete
₡681,81
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 100 V 113 A 4.3 mOhms 20 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement PowerTrench Reel