DMTH6005 N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Diodes Inc. DMTH6005 N-channel Enhance Mode MOSFETs minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and maintain superior switching performance. The DMTH6005 MOSFETs offer a maximum of 5.5mΩ @ VGS = 10V RDS(ON), a drain-source breakdown voltage of 60V, and 100% unclamped inductive switching. Rated at 175ºC, these MOSFETs are ideal for high ambient temperature environments. DMTH6005LPSQ is automotive qualified to AEC-Q101 and supports PPAP. Applications for the DMTH6005 MOSFETs include high-frequency switching, synchronous rectification, and DC-DC converters.

Resultados: 4
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Empaquetado
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 4 905En existencias
Cinta cortada
₡994,09
₡488,20
₡412,73
₡335,18
Envase tipo carrete
₡260,75
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 90 A 5.6 mOhms 20 V 1 V 47.1 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 5.5mOhm 10Vgs 100A 1 869En existencias
Cinta cortada
₡1 134,61
₡577,72
₡485,07
₡392,95
Envase tipo carrete
₡323,21
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 20.6 A 5.5 mOhms 20 V 1 V 47.1 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 145En existencias
2 500Se espera el 30/7/2027
Cinta cortada
₡1 139,82
₡640,17
₡483,51
Envase tipo carrete
₡483,51
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 380
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 90 A 5.6 mOhms 20 V 3 V 47.1 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 5.5mOhm 10Vgs 100A 1 819En existencias
Cinta cortada
₡1 306,37
₡640,17
₡567,31
₡503,81
Envase tipo carrete
₡378,90
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 10 mOhms 20 V 1 V 47.1 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel