Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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80V & 100V Shield Gate Trench N-Channel MOSFETs

PANJIT 80V and 100V Shield Gate Trench (SGT) N-Channel MOSFETs feature a low R_DS(ON) and a high switching speed. These devices offer low reverse transfer capacitance and utilize green molding compounds, as specified in the IEC 61249 standard. These PANJIT MV enhancement mode MOSFETs are lead-free and compliant with EU RoHS 2.0, and are 100% UIS/Rg tested. These devices are available in various low-profile packages that save space, including DFN3333S-8L, DFN5060-8L, DFN5060S-8L, TO-220AB-L, TO-252AA, TO-263, and TOLL. Typical applications include PD chargers, adapters, lighting, home appliances, and DC-DC converters.

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Resultados: 24

Filtros aplicados:

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 9.4m ohms Excellent low FOM MOSFET for DC to DC Converter Application PSMQC094N10NS2_R2_00201 Panjit 1: ₡869,18 5 970En existencias	N.º de artículo del Fabricante PSMQC094N10NS2_R2_00201 N.º de artículo de Mouser 241-PSMQC094N10NS2	Panjit	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 9.4m ohms Excellent low FOM MOSFET for DC to DC Converter Application Obtenga más información sobre Panjit sgt n channel mosfets	Hoja de datos	5 970En existencias	Cinta cortada ₡869,18 ₡412,21 ₡367,45 ₡349,75 Envase tipo carrete ₡349,75 ₡309,16 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	DFN5060-8	N-Channel	1 Channel	100 V	61 A	9.4 mOhms	20 V	3.8 V	19 nC	- 55 C	+ 175 C	75 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 5mohm Low FOM MOSFET PSMP050N10NS2_T0_00601 Panjit 1: ₡1 446,89 1 488En existencias	N.º de artículo del Fabricante PSMP050N10NS2_T0_00601 N.º de artículo de Mouser 241-PSMP050N10NS2T06	Panjit	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 5mohm Low FOM MOSFET Obtenga más información sobre Panjit sgt n channel mosfets	Hoja de datos	1 488En existencias	₡1 446,89 ₡713,04 ₡634,97 ₡619,35	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220AB-L-3	N-Channel	1 Channel	100 V	120 A	5 mOhms	20 V	3.8 V	40.5 nC	- 55 C	+ 150 C	138 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7.4m ohms Excellent low FOM MOSFET for DC to DC Converter Application PSMQC074N10NS2_R2_00201 Panjit 1: ₡1 264,73 1 608En existencias	N.º de artículo del Fabricante PSMQC074N10NS2_R2_00201 N.º de artículo de Mouser 241-PSMQC074N10NS2	Panjit	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7.4m ohms Excellent low FOM MOSFET for DC to DC Converter Application Obtenga más información sobre Panjit 100v enhancement mode mosfets	Hoja de datos	1 608En existencias	Cinta cortada ₡1 264,73 ₡811,93 ₡556,90 ₡467,90 Envase tipo carrete ₡391,39 Ver ₡414,29 ₡376,82 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	DFN-5060-8	N-Channel	1 Channel	100 V	64 A	7.4 mOhms	20 V	3.8 V	24 nC	- 55 C	+ 175 C		Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 4.4mohm Excellect low FOM MOSFET PSMQC040N10NS2_R2_00601 Panjit 1: ₡1 400,05 5 863En existencias	N.º de artículo del Fabricante PSMQC040N10NS2_R2_00601 N.º de artículo de Mouser 241-PJMQC040N10NS2R2	Panjit	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 4.4mohm Excellect low FOM MOSFET Obtenga más información sobre Panjit sgt n channel mosfets	Hoja de datos	5 863En existencias	Cinta cortada ₡1 400,05 ₡687,01 ₡619,35 ₡593,33 Envase tipo carrete ₡593,33	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	DFN-5060-8	N-Channel	1 Channel	100 V	122 A	4.4 mOhms	20 V	3.8 V	40.5 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Excellent FOM / 100V/3.3mO / TO-220AB-L PSMP033N10NS2_T0_00601 Panjit 1: ₡1 925,72 1 955En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante PSMP033N10NS2_T0_00601 N.º de artículo de Mouser 241-PSMP033N1T000601 Nuevo producto	Panjit	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Excellent FOM / 100V/3.3mO / TO-220AB-L Obtenga más información sobre Panjit sgt n channel mosfets	Hoja de datos	1 955En existencias	₡1 925,72 ₡973,27 ₡874,38 ₡713,04 ₡697,42	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220AB-L-3	N-Channel	1 Channel	100 V	219 A	4.7 mOhms	20 V	3.8 V	65 nC	- 55 C	+ 175 C	333 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V/ 3.3mohms / TO-263AB for Industrail market PSMB033N10NS2_R2_00201 Panjit 1: ₡2 633,55 2 202En existencias	N.º de artículo del Fabricante PSMB033N10NS2_R2_00201 N.º de artículo de Mouser 241-PSMB033N10NS2R22	Panjit	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V/ 3.3mohms / TO-263AB for Industrail market Obtenga más información sobre Panjit psmb033n10ns2 mosfet	Hoja de datos	2 202En existencias	Cinta cortada ₡2 633,55 ₡1 363,62 ₡1 238,71 ₡1 171,05 Envase tipo carrete ₡1 056,54 ₡1 009,70 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	Through Hole	TO-263AB-3	N-Channel	1 Channel	100 V	219 A	3.3 mOhms	20 V	3.8 V	65 nC	- 55 C	+ 175 C	333 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7.8m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 65W solution PSMQC078N10LS2_R2_00201 Panjit 1: ₡978,47 3 819En existencias	N.º de artículo del Fabricante PSMQC078N10LS2_R2_00201 N.º de artículo de Mouser 241-PSMQC078N10LS2	Panjit	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7.8m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 65W solution Obtenga más información sobre Panjit 100v enhancement mode mosfets	Hoja de datos	3 819En existencias	Cinta cortada ₡978,47 ₡466,86 ₡416,89 ₡376,30 Envase tipo carrete ₡376,30 ₡339,34 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	DFN-5060-8	N-Channel	1 Channel	100 V	63 A	7.8 mOhms	20 V	2.3 V	30 nC	- 55 C	+ 150 C	65 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 28m ohms Excellect low FOM MOSFET for Headlight solution PSMQC280N10LS2_R2_00201 Panjit 1: ₡765,08 4 965En existencias	N.º de artículo del Fabricante PSMQC280N10LS2_R2_00201 N.º de artículo de Mouser 241-PSMQC280N10LS2	Panjit	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 28m ohms Excellect low FOM MOSFET for Headlight solution Obtenga más información sobre Panjit 100v enhancement mode mosfets	Hoja de datos	4 965En existencias	Cinta cortada ₡765,08 ₡469,46 ₡309,16 ₡243,06 Envase tipo carrete ₡162,91 Ver ₡207,67 ₡158,22 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	DFN-5060-8	N-Channel	1 Channel	100 V	21 A	28 mOhms	20 V	2.3 V	9 nC	- 55 C	+ 175 C	29.4 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 4.2m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 100W solution PSMQC042N10LS2_R2_00201 Panjit 1: ₡1 436,48 5 649En existencias	N.º de artículo del Fabricante PSMQC042N10LS2_R2_00201 N.º de artículo de Mouser 241-PSMQC042N10LS2	Panjit	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 4.2m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 100W solution Obtenga más información sobre Panjit 100v enhancement mode mosfets	Hoja de datos	5 649En existencias	Cinta cortada ₡1 436,48 ₡707,83 ₡640,17 Envase tipo carrete ₡640,17 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	DFN-5060-8	N-Channel	1 Channel	100 V	109 A	4.2 mOhms	20 V	2.3 V	58 nC	- 55 C	+ 175 C	115 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 9.8m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 45W solution PSMQC098N10LS2_R2_00201 Panjit 1: ₡843,15 5 990En existencias	N.º de artículo del Fabricante PSMQC098N10LS2_R2_00201 N.º de artículo de Mouser 241-PSMQC098N10LS2	Panjit	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 9.8m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 45W solution Obtenga más información sobre Panjit 100v enhancement mode mosfets	Hoja de datos	5 990En existencias	Cinta cortada ₡843,15 ₡398,16 ₡354,44 ₡301,35 Envase tipo carrete ₡301,35 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	DFN-5060-8	N-Channel	1 Channel	100 V	60 A	9.8 mOhms	20 V	2.3 V	25 nC	- 55 C	+ 175 C	83 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 5mohm Low FOM MOSFET PSMB050N10NS2_R2_00601 Panjit 1: ₡1 410,46 1 098En existencias	N.º de artículo del Fabricante PSMB050N10NS2_R2_00601 N.º de artículo de Mouser 241-PJMB050N10NS2R26	Panjit	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 5mohm Low FOM MOSFET Obtenga más información sobre Panjit sgt n channel mosfets	Hoja de datos	1 098En existencias	Cinta cortada ₡1 410,46 ₡697,42 ₡624,56 ₡614,15 Envase tipo carrete ₡614,15 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	TO-263-3	N-Channel	1 Channel	100 V	120 A	5 mOhms	20 V	3.8 V	40.5 nC	- 55 C	+ 150 C	138 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 5.5mohm MV MOSFET PSMB055N08NS1_R2_00601 Panjit 1: ₡1 134,61 239En existencias	N.º de artículo del Fabricante PSMB055N08NS1_R2_00601 N.º de artículo de Mouser 241-PSMB055N08NR2601	Panjit	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 5.5mohm MV MOSFET Obtenga más información sobre Panjit psmxn08ns1 n channel mosfets	Hoja de datos	239En existencias	Cinta cortada ₡1 134,61 ₡863,97 ₡634,97 Envase tipo carrete ₡494,96 ₡386,71	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	80 V	108 A	5.5 mOhms	20 V	3.75 V	65.8 nC	- 55 C	+ 150 C	113.6 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 3.4mohm MV MOSFET PSMB032N08NS1_R2_00601 Panjit 1: ₡1 436,48 Plazo de entrega 20 Semanas	N.º de artículo del Fabricante PSMB032N08NS1_R2_00601 N.º de artículo de Mouser 241-PSMB032N08NR2601	Panjit	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 3.4mohm MV MOSFET Obtenga más información sobre Panjit psmxn08ns1 n channel mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega 20 Semanas	Cinta cortada ₡1 436,48 ₡718,24 ₡629,76 ₡577,72 Envase tipo carrete ₡496,00 Ver ₡432,51 ₡423,14	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	80 V	161 A	3.4 mOhms	20 V	3.75 V	103.5 nC	- 55 C	+ 150 C	156 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Excellent FOM / 100V/8.1mO / TO-252AA PSMD081N10LS2_L2_00601 Panjit 3 000: ₡250,34 Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante PSMD081N10LS2_L2_00601 N.º de artículo de Mouser 241-PSMD081N1L200601 Nuevo producto	Panjit	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Excellent FOM / 100V/8.1mO / TO-252AA Obtenga más información sobre Panjit sgt n channel mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas	Envase tipo carrete ₡250,34 ₡247,74	Min.: 3 000 Mult.: 3 000 : 3 000	Si	SMD/SMT	TO-252AA-3	N-Channel	1 Channel	100 V	76 A	12.5 mOhms	20 V	2.3 V	14 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement	Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 1.5mohms TOLL for ESS BBU LEV application PSMN015N10NS2_R2_00201 Panjit 2 000: ₡2 388,94 Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas	N.º de artículo del Fabricante PSMN015N10NS2_R2_00201 N.º de artículo de Mouser 241-PSMN015N10NS2R22	Panjit	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 1.5mohms TOLL for ESS BBU LEV application Obtenga más información sobre Panjit 100v enhancement mode mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas	Envase tipo carrete ₡2 388,94	Min.: 2 000 Mult.: 2 000 : 2 000	Si			N-Channel		100 V	395 A	1.5 mOhms	20 V	3.8 V	128 nC					Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 2.8mohms TOLL for Industrail market PSMN028N10NS2_R2_00201 Panjit 2 000: ₡1 228,30 Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas	N.º de artículo del Fabricante PSMN028N10NS2_R2_00201 N.º de artículo de Mouser 241-PSMN028N10NS2R22	Panjit	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 2.8mohms TOLL for Industrail market Obtenga más información sobre Panjit 100v enhancement mode mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas	Envase tipo carrete ₡1 228,30	Min.: 2 000 Mult.: 2 000 : 2 000	Si			N-Channel		100 V	240 A	2.8 mOhms	20 V	3.8 V	65 nC				Enhancement	Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 3.4mohm Tjmax 175C MV MOSFET PSMP032N08NS1_T0_00601 Panjit 2 000: ₡500,17 Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas	N.º de artículo del Fabricante PSMP032N08NS1_T0_00601 N.º de artículo de Mouser 241-PSMP032N08NT0601	Panjit	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 3.4mohm Tjmax 175C MV MOSFET Obtenga más información sobre Panjit psmxn08ns1 n channel mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas	₡500,17 ₡459,57	Min.: 2 000 Mult.: 50	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	80 V	166 A	3.4 mOhms	20 V	3.75 V	103.5 nC	- 55 C	+ 175 C	156 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 4.4m ohms Best-in-Class FOM MOSFET for DC to DC converter PSMQC040N08NS2_R2_00201 Panjit 6 000: ₡446,56 Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas	N.º de artículo del Fabricante PSMQC040N08NS2_R2_00201 N.º de artículo de Mouser 241-PSMQC040N08NS2	Panjit	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 4.4m ohms Best-in-Class FOM MOSFET for DC to DC converter Obtenga más información sobre Panjit sgt n channel mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas	Cinta cortada ₡446,56	Min.: 6 000 Mult.: 3 000 : 3 000	Si	SMD/SMT	DFN-5060-8	N-Channel	1 Channel	80 V	102 A	4 mOhms	20 V	3.8 V	36 nC	- 55 C	+ 175 C	83 W	Enhancement	Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Excellent FOM / 80V/6.8mO / DFN3333S-8L PSMQE070N08LS2_R2_00601 Panjit 10 000: ₡218,60 Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante PSMQE070N08LS2_R2_00601 N.º de artículo de Mouser 241-PSMQE070N08LS260 Nuevo producto	Panjit	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Excellent FOM / 80V/6.8mO / DFN3333S-8L Obtenga más información sobre Panjit sgt n channel mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas	Cinta cortada ₡218,60	Min.: 10 000 Mult.: 5 000 : 5 000	Si	SMD/SMT	DFN3333S-8L	N-Channel	1 Channel	80 V	63.8 A	6.8 mOhms	20 V	2.3 V	24 nC	- 55 C	+ 175 C	60 W	Enhancement	Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Excellent FOM / 80V/8.7mO / DFN3333S-8L PSMQE090N08LS2_R2_00601 Panjit 10 000: ₡175,40 Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante PSMQE090N08LS2_R2_00601 N.º de artículo de Mouser 241-PSMQE090N08LS260 Nuevo producto	Panjit	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Excellent FOM / 80V/8.7mO / DFN3333S-8L Obtenga más información sobre Panjit sgt n channel mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas	Cinta cortada ₡175,40	Min.: 10 000 Mult.: 5 000 : 5 000	Si	SMD/SMT	DFN3333S-8L	N-Channel	1 Channel	80 V	55 A	8.7 mOhms	20 V	2.3 V	18 nC	- 55 C	+ 175 C	57.7 W	Enhancement	Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Excellent FOM / 100V/9.5mO / DFN3333S-8L PSMQE093N10NS2_R2_00601 Panjit 10 000: ₡250,86 Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante PSMQE093N10NS2_R2_00601 N.º de artículo de Mouser 241-PSMQE093N10NS260 Nuevo producto	Panjit	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Excellent FOM / 100V/9.5mO / DFN3333S-8L Obtenga más información sobre Panjit sgt n channel mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas	Cinta cortada ₡250,86	Min.: 10 000 Mult.: 5 000 : 5 000	Si	SMD/SMT	DFN3333S-8L	N-Channel	1 Channel	100 V	54 A	9.5 mOhms	20 V	3.8 V	15.7 nC	- 55 C	+ 175 C	60 W	Enhancement	Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Excellent FOM / 100V/9.6mO / DFN3333S-8L PSMQE096N10LS2_R2_00601 Panjit 10 000: ₡237,85 Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante PSMQE096N10LS2_R2_00601 N.º de artículo de Mouser 241-PSMQE096N10LS260 Nuevo producto	Panjit	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Excellent FOM / 100V/9.6mO / DFN3333S-8L Obtenga más información sobre Panjit sgt n channel mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas	Cinta cortada ₡237,85	Min.: 10 000 Mult.: 5 000 : 5 000	Si	SMD/SMT	DFN3333S-8L	N-Channel	1 Channel	100 V	50.1 A	9.6 mOhms	20 V	2.2 V	24.8 nC	- 55 C	+ 175 C	53.6 W	Enhancement	Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Excellent FOM / 80V/ 2mO / DFN5060S-8L PSMQF020N08NS2_R2_00601 Panjit 6 000: ₡713,04 Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante PSMQF020N08NS2_R2_00601 N.º de artículo de Mouser 241-PSMQF020N08NS260 Nuevo producto	Panjit	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Excellent FOM / 80V/ 2mO / DFN5060S-8L Obtenga más información sobre Panjit sgt n channel mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas	Cinta cortada ₡713,04	Min.: 6 000 Mult.: 3 000 : 3 000	Si	SMD/SMT	DFN5060S-8L	N-Channel		80 V	307 A	2 mOhms	20 V	3.8 V	70 nC	- 55 C	+ 175 C	333 W	Enhancement	Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Excellent FOM / 100V/2.8mO /DFN5060S-8L PSMQF028N10NS2_R2_00601 Panjit 6 000: ₡681,81 Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante PSMQF028N10NS2_R2_00601 N.º de artículo de Mouser 241-PSMQF028N10NS260 Nuevo producto	Panjit	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Excellent FOM / 100V/2.8mO /DFN5060S-8L Obtenga más información sobre Panjit sgt n channel mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas	Cinta cortada ₡681,81	Min.: 6 000 Mult.: 3 000 : 3 000																Reel