XPN12006NC,L1XHQ

Toshiba
757-XPN12006NCL1XHQ
XPN12006NC,L1XHQ

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON N-CH 60V 20A

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Toshiba
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
20 A
23.7 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
23 nC
- 55 C
+ 175 C
65 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marca: Toshiba
Configuración: Single
Tiempo de caída: 8 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 5 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 5000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 33 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 15 ns
Peso de la unidad: 20 mg
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Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Japón
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

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Automotive Devices

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En existencias: 56 440

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
20 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
₡-,--
Precio ext.:
₡-,--
Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
₡983,68 ₡983,68
₡471,02 ₡4 710,20
₡420,54 ₡42 054,00
₡332,06 ₡166 030,00
₡321,13 ₡321 130,00
₡293,54 ₡733 850,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
₡274,29 ₡1 371 450,00
₡246,18 ₡2 461 800,00
₡240,46 ₡6 011 500,00

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