Resultados: 10
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Paquete / Cubierta Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V 3 250En existencias
Cinta cortada
₡14 286,78
₡11 111,94
₡10 601,88
₡10 518,61
Envase tipo carrete
₡10 518,61
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 145 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 650V 639En existencias
₡4 595,71
₡3 044,72
₡2 810,51
₡2 789,69
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 38 A 85 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 61 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V 312En existencias
Cinta cortada
₡6 386,11
₡3 596,42
₡3 507,94
₡3 320,57
Envase tipo carrete
₡3 320,57
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 46 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 70MOHM 1200V M3 217En existencias
₡9 071,71
₡5 235,88
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 29 A 64.8 mOhms - 8 V, + 22 V 3.37 V 47.9 nC - 55 C + 175 C 163 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 650V 497En existencias
₡5 277,52
₡3 502,73
₡3 299,75
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 47 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TOLL 650V 1 364En existencias
Cinta cortada
₡6 589,09
₡4 028,40
₡3 799,40
Envase tipo carrete
₡3 799,40
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
SMD/SMT PSOF-8 1 Channel 650 V 73 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V 202En existencias
₡14 973,79
₡10 513,40
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 142 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 70MOHM 1200V M3 297En existencias
1 350En pedido
₡4 960,04
₡2 789,69
₡2 565,89
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 450
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 37 A 91 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 49 nC - 55 C + 175 C 252 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS 60MOHM 900V 330En existencias
Cinta cortada
₡6 916,99
₡4 439,57
₡4 200,16
Envase tipo carrete
₡4 200,16
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 900 V 44 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 88 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 70MOHM 1200V M3 13En existencias
450Se espera el 9/2/2027
₡5 636,64
₡3 393,43
₡2 753,26
₡2 513,85
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 37 A 91 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 49 nC - 55 C + 175 C 252 W Enhancement EliteSiC