MOSFET de potencia OptiMOS™ 6

Los MOSFET de potencia OptiMOS™ 6 de Infineon Technologies ofrecen una nueva generación, innovación de vanguardia y el mejor rendimiento de su clase. La familia OptiMOS 6 utiliza tecnología de oblea fina que permite importantes beneficios en el desempeño. Con respecto a productos alternativos, los MOSFET de potencia OptiMOS 6 tienen una menor RDS(ON) de 30 % y están optimizados para rectificación sincrónica.

Resultados: 109
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V
Hoja de datos
1 093En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 200 V 138 A 6.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 72 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V
Hoja de datos
2 194En existencias
4 500En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 136 A 6.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 73 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V
Hoja de datos
2 299En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 39 A 33.9 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 15.9 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V
Hoja de datos
1 745En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 200 V 87 A 12.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 37 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
3 573En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 6 000
Si SMD/SMT WHSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 31 A 1.35 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 41 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
5 989En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si TSON-12 OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power -Transistor, 60 V
Hoja de datos
4 073En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
Hoja de datos
10 236En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 86 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 14.4 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
Hoja de datos
16 696En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 63 A 10.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 10.4 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V
Hoja de datos
3 602En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TSON-8-3 N-Channel 1 Channel 200 V 88 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 39 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V
Hoja de datos
6 828En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 200 V 26 A 52 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 9.9 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
124 089En existencias
95 000Se espera el 25/2/2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 28 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
17 623En existencias
25 000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 97 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 26 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
Hoja de datos
5 538En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-5-1 N-Channel 1 Channel 40 V 380 A 700 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 94 nC - 55 C + 175 C 192 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V
Hoja de datos
314En existencias
1 000Se espera el 10/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 200 V 87 A 12.9 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 37 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
80En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si TSON-12 OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
190En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si TSON-12 OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
381En existencias
3 000Se espera el 3/6/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT TFN-10 N-Channel 2 Channel 40 V 299 A 880 uOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 69 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
3 222En existencias
30 000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 67 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
19 044En existencias
50 000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 59 A 5.9 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 9.4 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
2 346En existencias
20 000Se espera el 14/10/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TSDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 31 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
7 963En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TSDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 31 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
Hoja de datos
5 554En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 550 uOhms - 16 V, 16 V 2 V 136 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
19 599En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 238 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 25 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
7 120En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 40 V 232 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 51 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel