UG4SC 750V 8.4mΩ Combo-FETs

onsemi UG4SC 750V 8.4mΩ Combo-FETs combine a 750V SiC JFET and a low-voltage Si MOSFET in a single TO-247-4L package. This design enables a normally off switch while benefiting from the ultra-low on-resistance [RDS(on)] and robustness of a normally on SiC JFET. The UG4SC Combo-FET series from onsemi is ideal for high-energy switching in circuit protection. For switch-mode power conversion, the devices offer separate gate access to the JFET and MOSFET, enhancing speed control and simplifying the paralleling of multiple devices.

Resultados: 4
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Configuración
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente
Corriente de la fuente de drenaje en VGS = 0
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Dp - Disipación de potencia
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UG4SC075005L8S
Hoja de datos
2 821En existencias
Cinta cortada
₡28 740,10
₡23 941,41
₡20 766,57
₡20 761,36
₡20 750,96
Envase tipo carrete
₡20 178,44
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
SiC SMD/SMT MO-229-8 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 6 uA 120 A 5 mOhms 1.153 kW - 55 C + 175 C UG4S Reel, Cut Tape
onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 750V/9MOCOMBO-FETG4TO247-4
Hoja de datos
535En existencias
₡11 731,29
₡7 281,31
Min.: 1
Mult.: 1
SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 4 uA 106 A 8.4 mOhms 375 W - 55 C + 175 C UG4S Tube
onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 750V/6MOCOMBO-FETG4TO247-4
Hoja de datos
159En existencias
₡18 315,18
₡12 787,83
Min.: 1
Mult.: 1
SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 6 uA 120 A 5.3 mOhms 714 W - 55 C + 175 C UG4S Tube
onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 750V/11MOCOMBO-FETG4TO247-4
Hoja de datos
549En existencias
₡15 410,98
₡10 294,81
Min.: 1
Mult.: 1
SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 3.5 uA 104 A 10 mOhms 357 W - 55 C + 175 C UG4S Tube