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iS20M028S1P

Name: iDEAL Semiconductor iS20M028S1P
Brand: iDEAL Semiconductor
SKU: 25-IS20M028S1P
Price: 2316.07 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

25-IS20M028S1P

Fabricante N.º:

iS20M028S1P

Fabricante:

iDEAL Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperQ power MOSFET 200 V, 25m? max, normal threshold level in TO-220 package

Ciclo de vida:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	iDEAL Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	200 V
Id - Corriente de drenaje continua:	40 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	25 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.6 V
Qg - Carga de puerta:	26.5 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	100 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	SuperQ
Empaquetado:	Tube
Marca:	iDEAL Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	11.3 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	16 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	1.9 ns
Serie:	200V
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	24.7 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	8.5 ns

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Aerospace and Defense (PDF)

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Estados Unidos
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

iS20M028S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

iDEAL Semiconductor iS20M028S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET is engineered for SMPS and high-efficiency motor drives. The iDEAL Semiconductor iS20M028S1P MOSFET delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package. Featuring best-in-class R_DS(on), Q_SW, and E_OSS, this MOSFET minimizes heat dissipation at both full and partial loads. Applications include motor control, boost converters, SMPS control FETs, and secondary side synchronous rectifiers.

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₡-,--

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₡-,--

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡2 316,07	₡2 316,07
	₡1 155,43	₡11 554,30
	₡1 072,16	₡107 216,00
	₡879,59	₡439 795,00
	₡858,77	₡2 146 925,00

iS20M028S1P

Fabricante: iDEAL Semiconductor

Descripción: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperQ power MOSFET 200 V, 25m? max, normal threshold level in TO-220 package

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