Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 10

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V IPF031N13NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡3 778,58 718En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPF031N13NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPF031N13NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	718En existencias	Cinta cortada ₡3 778,58 ₡2 550,28 ₡1 852,86 Envase tipo carrete ₡1 644,67	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	Si	SMD/SMT	TO263-7	N-Channel	1 Channel	135 V	207 A	3.1 mOhms	20 V	3.5 V	104 nC	- 55 C	+ 175 C	294 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V IPF021N13NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡4 736,24 1 601En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPF021N13NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPF021N13NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	1 601En existencias	Cinta cortada ₡4 736,24 ₡2 784,49 ₡2 602,33 ₡2 524,26 Envase tipo carrete ₡2 414,96	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	Si	SMD/SMT	TO263-7	N-Channel	1 Channel	135 V	250 A	2.1 mOhms	20 V	3.5 V	160 nC	- 55 C	+ 175 C	395 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V IPTG029N13NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡3 362,21 1 695En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPTG029N13NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPTG029N13NM6ATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	1 695En existencias	Cinta cortada ₡3 362,21 ₡2 258,82 ₡1 722,74 Envase tipo carrete ₡1 405,26	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 800	Si	SMD/SMT	HSOG-8	N-Channel	1 Channel	135 V	212 A	2.9 mOhms	20 V	3.5 V	104 nC	- 55 C	+ 175 C	294 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V ISC037N13NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡3 169,63 5 441En existencias	N.º de artículo del Fabricante ISC037N13NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC037N13NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	5 441En existencias	Cinta cortada ₡3 169,63 ₡1 670,69 ₡1 524,96 ₡1 389,64 Ver Envase tipo carrete ₡1 311,57 ₡1 337,60 ₡1 311,57 ₡1 311,57	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000	Si	SMD/SMT	TSON-8	N-Channel	1 Channel	135 V	172 A	3.7 mOhms	20 V	3.5 V	82 nC	- 55 C	+ 175 C	250 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V ISC046N13NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡3 034,31 3 382En existencias	N.º de artículo del Fabricante ISC046N13NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC046N13NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	3 382En existencias	Cinta cortada ₡3 034,31 ₡1 587,42 ₡1 452,10 ₡1 311,57 Ver Envase tipo carrete ₡1 238,71 ₡1 264,73 ₡1 238,71 ₡1 238,71	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	135 V	142 A	4.6 mOhms	20 V	3.5 V	65 nC	- 55 C	+ 175 C	211 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V IPP073N13NM6AKSA1 Infineon Technologies 1: ₡2 321,28 288En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP073N13NM6AKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP073N13NM6AKSA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	288En existencias	₡2 321,28 ₡1 186,66 ₡1 077,36 ₡942,04 ₡853,56	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	135 V	98 A	7.3 mOhms	20 V	3.5 V	43 nC	- 55 C	+ 175 C	158 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V IPT020N13NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡4 231,38 40En existencias 10 000En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPT020N13NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT020N13NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	40En existencias 10 000En pedido	Cinta cortada ₡4 231,38 ₡2 977,06 ₡2 409,75 ₡2 144,32 ₡1 894,49 Envase tipo carrete ₡1 894,49	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 000	Si															Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V IPTC020N13NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡4 809,10 33En existencias 1 800Se espera el 6/5/2027	N.º de artículo del Fabricante IPTC020N13NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPTC020N13NM6ATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	33En existencias 1 800Se espera el 6/5/2027	Cinta cortada ₡4 809,10 ₡3 284,14 ₡2 711,62 ₡2 414,96 ₡2 258,82 Envase tipo carrete ₡2 258,82	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 800	Si	SMD/SMT	HDSOP-16	N-Channel	1 Channel	135 V	297 A	2 mOhms	20 V	3.5 V	159 nC	- 55 C	+ 175 C	395 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V IPTG020N13NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡3 851,44 114En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPTG020N13NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPTG020N13NM6ATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	114En existencias	Cinta cortada ₡3 851,44 ₡2 066,25 ₡1 889,29 ₡1 800,81 ₡1 701,92 Envase tipo carrete ₡1 701,92	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 800	Si	SMD/SMT	HSOG-8	N-Channel	1 Channel	135 V	297 A	2 mOhms	20 V	3.5 V	159 nC	- 55 C	+ 175 C	395 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V ISZ143N13NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 269,94 5 000Se espera el 19/11/2026	N.º de artículo del Fabricante ISZ143N13NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISZ143N13NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	5 000Se espera el 19/11/2026	Cinta cortada ₡1 269,94 ₡806,72 ₡546,49 ₡439,79 ₡418,45 Envase tipo carrete ₡353,92 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	135 V	54 A	14.3 mOhms	20 V	3.5 V	21 nC			95 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel

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