NextPowerS3 MOSFETs

Nexperia NextPowerS3 MOSFETs are a high-performance 25V, 30V, and 40V MOSFET platform incorporating Nexperia superjunction technology. Nexperia NextPowerS3 devices are offered in a copper-clip LFPAK package, delivering low RDS(on) and demonstrating a continuous current capability up to 380A. Synchronous working parameters allow NextPowerS3 MOSFETs to provide high performance and high reliability.

Resultados: 43
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN3R0-30YLD/SOT669/LFPAK 225En existencias
3 000Se espera el 10/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 46.4 nC - 55 C + 175 C 91 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN3R2-40YLD/SOT669/LFPAK 164En existencias
3 000Se espera el 20/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.35 V 18 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN3R3-40MLH/SOT1210/mLFPAK 1 008En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 118 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.15 V 17 nC - 55 C + 175 C 101 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN3R3-40MSH/SOT1210/mLFPAK 48En existencias
1 500Se espera el 30/4/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 118 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 42 nC - 55 C + 175 C 101 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN3R5-40YSD/SOT669/LFPAK 1 361En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 44 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN4R3-40MSH/SOT1210/mLFPAK 499En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 95 A 4.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 23 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN5R0-40MLH/SOT1210/mLFPAK 909En existencias
9 000Se espera el 6/7/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 85 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 2.15 V 13 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN5R0-40MSH/SOT1210/mLFPAK 411En existencias
1 500Se espera el 30/7/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 85 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 21 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN5R4-25YLD/SOT669/LFPAK 844En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 25 V 70 A 4.93 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 12.4 nC - 55 C + 175 C 47 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN6R1-25MLD/SOT1210/mLFPAK 436En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 25 V 60 A 7.24 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 10.7 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN6R4-30MLD/SOT1210/mLFPAK 457En existencias
1 500Se espera el 20/4/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 30 V 66 A 5.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 13.7 nC - 55 C + 175 C 51 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN6R7-40MLD/SOT1210/mLFPAK 173En existencias
3 000Se espera el 5/7/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 50 A 6.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.15 V 22 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN6R7-40MSD/SOT1210/mLFPAK 1 080En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 50 A 6.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 22 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN7R5-30MLD/SOT1210/mLFPAK 216En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 30 V 57 A 10.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 11.3 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN8R5-40MSD/SOT1210/mLFPAK 1 617En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 60 A 8.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.15 V 19 nC - 55 C + 175 C 59 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMNR70-40SSH/SOT1235/LFPAK88 34En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT LFPAK-88-4 N-Channel 1 Channel 40 V 425 A 700 uOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 202 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN2R4-30YLD/SOT669/LFPAK
3 000Se espera el 20/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 31.3 nC - 55 C + 175 C 106 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN5R3-25MLD/SOT1210/mLFPAK Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 25 V 70 A 5.25 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 12.7 nC - 55 C + 175 C 51 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel