Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

MOSV MOSFETs

Toshiba MOSV MOSFETs are N-channel MOSFETs offered in logic-level gate drive and low-voltage gate drive variants. These Toshiba devices provide a drain-source breakdown voltage (V_DS) range from 50V to 60V and a gate-source voltage (V_GS) range from 4V to 20V. Toshiba MOSV MOSFETs are offered in UFM, UF6, TSOP6F, and SOT-23F packages for design flexibility.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 7

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Dp - Disipación de potencia

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Calificación	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V SSM3K357R,LF Toshiba 1: ₡327,89 32 567En existencias 51 000Se espera el 9/10/2026	N.º de artículo del Fabricante SSM3K357R,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K357RLF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V Obtenga más información sobre Toshiba mosv mosfets	Hoja de datos	32 567En existencias 51 000Se espera el 9/10/2026	Cinta cortada ₡327,89 ₡147,81 ₡129,60 ₡97,85 Envase tipo carrete ₡73,91 Ver ₡97,33 ₡64,02 ₡53,09 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	SOT-23F-3	N-Channel	1 Channel	60 V	650 mA	1.8 Ohms	12 V	1.3 V	1.5 nC	- 55 C	+ 150 C	1.5 W	Enhancement	AEC-Q101	MOSV	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V SSM6N357R,LF Toshiba 1: ₡671,40 17 466En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM6N357R,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM6N357RLF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V Obtenga más información sobre Toshiba mosv mosfets	Hoja de datos	17 466En existencias	Cinta cortada ₡671,40 ₡468,42 ₡296,14 ₡183,20 Envase tipo carrete ₡120,23 Ver ₡135,32 ₡103,57 ₡90,56 ₡73,91	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	TSOP-6	N-Channel	2 Channel	60 V	650 mA	1.8 Ohms	12 V	1.3 V	1.5 nC	- 55 C	+ 150 C	1 W	Enhancement	AEC-Q101	MOSV	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=50V SSM3K17FU,LF Toshiba 1: ₡145,73 14 963En existencias 18 000Se espera el 19/10/2026	N.º de artículo del Fabricante SSM3K17FU,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K17FULF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=50V Obtenga más información sobre Toshiba mosv mosfets	Hoja de datos	14 963En existencias 18 000Se espera el 19/10/2026	Cinta cortada ₡145,73 ₡62,98 ₡54,65 ₡40,60 Envase tipo carrete ₡29,15 Ver ₡24,46 ₡22,90 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	SOT-323-3	N-Channel	1 Channel	50 V	100 mA	20 Ohms	7 V	900 mV		- 55 C	+ 150 C	150 mW	Enhancement	AEC-Q101	MOSV	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=60V SSM3K2615TU,LF Toshiba 1: ₡374,74 5 970En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM3K2615TU,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K2615TULF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=60V Obtenga más información sobre Toshiba mosv mosfets	Hoja de datos	5 970En existencias	Cinta cortada ₡374,74 ₡170,19 ₡149,89 ₡113,98 Envase tipo carrete ₡86,92 Ver ₡74,43 ₡69,74	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	UFM-3	N-Channel	1 Channel	60 V	2 A	300 mOhms	20 V	800 mV	6 nC		+ 150 C	1.6 W	Enhancement	AEC-Q101	MOSV	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=60V, VGSS=+/-20V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.44Ohm @ 4V, in UF6 package SSM6K407TU,LF Toshiba 1: ₡364,33 791En existencias 9 000Se espera el 19/10/2026	N.º de artículo del Fabricante SSM6K407TU,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM6K407TULF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=60V, VGSS=+/-20V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.44Ohm @ 4V, in UF6 package Obtenga más información sobre Toshiba mosv mosfets	Hoja de datos	791En existencias 9 000Se espera el 19/10/2026	Cinta cortada ₡364,33 ₡163,43 ₡143,65 ₡108,78 Envase tipo carrete ₡83,27 Ver ₡72,34 ₡67,66 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	UDFN-6	N-Channel	1 Channel	60 V	2 A	440 mOhms	20 V	2 V	6 nC	- 55 C	+ 150 C	500 mW	Enhancement	AEC-Q101	MOSV	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2-in-1 MOSFET ID=100mA VDSS=50V SSM6N17FU(TE85L,F) Toshiba 1: ₡234,21 7 308En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM6N17FU(TE85L,F) N.º de artículo de Mouser 757-SSM6N17FUTE85LF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2-in-1 MOSFET ID=100mA VDSS=50V Obtenga más información sobre Toshiba mosv mosfets	Hoja de datos	7 308En existencias	Cinta cortada ₡234,21 ₡103,05 ₡95,25 ₡89,00 Envase tipo carrete ₡49,96 Ver ₡42,68 ₡37,99 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	SC-70-6	N-Channel	2 Channel	50 V	100 mA	20 Ohms	7 V	900 mV		- 55 C	+ 150 C	200 mW	Enhancement	AEC-Q101	MOSV	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET SSM3K2615R,LF Toshiba 1: ₡426,78 68 000En pedido	N.º de artículo del Fabricante SSM3K2615R,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K2615RLF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET Obtenga más información sobre Toshiba mosv mosfets	Hoja de datos	68 000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: SSM3K2615R,LF Existencias: 0 En pedido: 29 000 Se espera el 30/10/2026 39 000 Se espera el 27/11/2026 Plazo de entrega de fábrica: 20 Semanas	Cinta cortada ₡426,78 ₡193,09 ₡170,19 ₡129,60 Envase tipo carrete ₡99,93 Ver ₡127,51 ₡98,37 ₡86,92 ₡82,75 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	SOT-23F-3	N-Channel	1 Channel	60 V	2 A	300 mOhms	20 V	800 mV	6 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement	AEC-Q101	MOSV	Reel, Cut Tape, MouseReel

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