Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) – Mouser Costa Rica

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

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Seleccionar	Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	RoHS	Modelo ECAD	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPT60R065S7XTMA1 Infineon Technologies 1: ₡3 336,18 969En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT60R065S7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT60R065S7XTMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj s7 s7t mosfets	Hoja de datos	969En existencias	Cinta cortada ₡3 336,18 ₡1 982,97 ₡1 577,01 ₡1 452,10 ₡1 342,80 Envase tipo carrete ₡1 342,80	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 000			Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	600 V	8 A	65 mOhms	12 V	3.5 V	51 nC	- 55 C	+ 150 C	167 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPP60R022S7XKSA1 Infineon Technologies 1: ₡6 646,34 552En existencias 2 500En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPP60R022S7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP60R022S7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj s7 s7t mosfets	Hoja de datos	552En existencias 2 500En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IPP60R022S7XKSA1 Existencias: 552 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 1 500 Se espera el 3/6/2027 1 000 A determinar Plazo de entrega de fábrica: 53 Semanas	₡6 646,34 ₡3 752,56 ₡3 497,53	Min.: 1 Mult.: 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	23 A	22 mOhms	20 V	4.5 V	150 nC	- 55 C	+ 150 C	390 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPT60R040S7XTMA1 Infineon Technologies 1: ₡5 038,11 985En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT60R040S7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT60R040S7XTMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj s7 s7t mosfets	Hoja de datos	985En existencias	Cinta cortada ₡5 038,11 ₡2 774,08 ₡2 571,10 ₡2 493,03 Envase tipo carrete ₡2 404,55 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 000			Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	600 V	13 A	40 mOhms	20 V	4.5 V	83 nC	- 55 C	+ 150 C	245 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPT60R022S7XTMA1 Infineon Technologies 1: ₡7 338,56 13 942En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPT60R022S7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT60R022S7XTMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj s7 s7t mosfets	Hoja de datos	13 942En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IPT60R022S7XTMA1 Existencias: 0 En pedido: 1 942 Se espera el 15/10/2026 6 000 Se espera el 28/1/2027 6 000 Se espera el 18/3/2027 Plazo de entrega de fábrica: 53 Semanas	Cinta cortada ₡7 338,56 ₡4 351,09 ₡4 267,82 ₡4 106,47 ₡3 981,56 Envase tipo carrete ₡3 835,83 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 000			Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	600 V	23 A	22 mOhms	20 V	4.5 V	150 nC	- 55 C	+ 150 C	390 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel