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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
Hoja de datos
1 070En existencias
1 900Se espera el 4/1/2027
Min.: 1
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -140 Amps -50V 0.008 Rds
Hoja de datos
624En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -26.0 Amps -200V 0.170 Rds
Hoja de datos
1 016En existencias
1 200Se espera el 9/3/2027
Min.: 1
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -44 Amps -150V 0.065 Rds
Hoja de datos
1 248En existencias
2 250Se espera el 23/11/2026
Min.: 1
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -52.0 Amps -100V 0.050 Rds
Hoja de datos
1 425En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -76 Amps -100V 0.024 Rds
Hoja de datos
879En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -96 Amps -85V 0.013 Rds
Hoja de datos
2 382En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -10 Amps -600V 1 Rds
Hoja de datos
467En existencias
300Se espera el 26/4/2027
Min.: 1
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -11 Amps -500V 0.75 Rds
Hoja de datos
747En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -120 Amps -65V 0.01 Rds
Hoja de datos
1 907En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -140 Amps -50V 0.008 Rds
Hoja de datos
523En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -16.0 Amps -600V 0.720 Rds
Hoja de datos
453En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -24 Amps -200V 0.15 Rds
Hoja de datos
285En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -50 Amps -100V 0.055 Rds
Hoja de datos
280En existencias
360Se espera el 19/10/2026
Min.: 1
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -52.0 Amps -100V 0.050 Rds
Hoja de datos
257En existencias
Min.: 1
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TrenchP Power MOSFET
Hoja de datos
231En existencias
Min.: 1
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -76 Amps -100V 0.024 Rds
Hoja de datos
727En existencias
Min.: 1
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -90.0 Amps -100V 25 mOhms
Hoja de datos
719En existencias
1 110Se espera el 20/10/2026
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -96 Amps -85V 0.013 Rds
Hoja de datos
518En existencias
Min.: 1
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TrenchP Power MOSFET
Hoja de datos
305En existencias
Min.: 1
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -170.0 Amps -100V 0.012 Rds
Hoja de datos
627En existencias
Min.: 1
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IXYS Módulos MOSFET -170.0 Amps -100V 0.012 Rds
Hoja de datos
195En existencias
300Se espera el 31/8/2026
Min.: 1
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IXYS Módulos MOSFET TrenchP Channel Power MOSFETs
Hoja de datos
133En existencias
300Se espera el 18/1/2027
Min.: 1
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IXYS Módulos MOSFET -40.0 Amps -500V 0.230 Rds
Hoja de datos
190En existencias
Min.: 1
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IXYS Módulos MOSFET -90.0 Amps -200V 0.044 Rds
Hoja de datos
306En existencias
Min.: 1
Mult.: 1