Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 13

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET IRF740APBF-BE3 Vishay / Siliconix 1: ₡1 348,01 5 845En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF740APBF-BE3 N.º de artículo de Mouser 78-IRF740APBF-BE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET	Hoja de datos	5 845En existencias	₡1 348,01 ₡806,72 ₡598,54 ₡503,29 ₡445,52	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1 000	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	400 V	10 A	550 mOhms	30 V	4 V	36 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET IRF740PBF-BE3 Vishay / Siliconix 1: ₡1 483,33 4 249En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF740PBF-BE3 N.º de artículo de Mouser 78-IRF740PBF-BE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET	Hoja de datos	4 249En existencias	₡1 483,33 ₡916,02 ₡629,76 ₡530,87 ₡469,98	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1 000	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	400 V	10 A	550 mOhms	20 V	4 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp IRF740STRRPBF Vishay Semiconductors 1: ₡2 159,93 207En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF740STRRPBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF740STRRPBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp	Hoja de datos	207En existencias	Cinta cortada ₡2 159,93 ₡1 410,46 ₡1 025,32 ₡791,11 Envase tipo carrete ₡765,08 Ver ₡749,47 ₡744,27 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	400 V	10 A	550 mOhms	20 V	2 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET IRF740LCPBF-BE3 Vishay / Siliconix 1: ₡2 238,00 896En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF740LCPBF-BE3 N.º de artículo de Mouser 78-IRF740LCPBF-BE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET	Hoja de datos	896En existencias	₡2 238,00 ₡1 139,82 ₡1 035,73 ₡848,36 Ver ₡822,34 ₡811,93	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	400 V	10 A	550 mOhms	30 V	4 V	39 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET IRF740PBF Vishay Semiconductors 1: ₡1 457,30 4 936En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF740PBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF740PBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET	Hoja de datos	4 936En existencias	₡1 457,30 ₡765,08 ₡650,58 ₡588,13 ₡536,08	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1 000	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	400 V	10 A	550 mOhms	20 V	4 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 400V 10A N-CH MOSFET IRF740STRLPBF Vishay Semiconductors 1: ₡1 993,38 2 266En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF740STRLPBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF740STRLPBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 400V 10A N-CH MOSFET	Hoja de datos	2 266En existencias	Cinta cortada ₡1 993,38 ₡1 066,95 ₡936,84 ₡718,24 Envase tipo carrete ₡650,58 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1 600 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	400 V	10 A	550 mOhms	20 V	2 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO262 400V 10A N-CH MOSFET IRF740ALPBF Vishay Semiconductors 1: ₡2 097,48 1 689En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF740ALPBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF740ALPBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO262 400V 10A N-CH MOSFET	Hoja de datos	1 689En existencias	₡2 097,48 ₡1 066,95 ₡962,86 ₡791,11 ₡785,90	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-262-3	N-Channel	1 Channel	400 V	10 A	550 mOhms	30 V	2 V	36 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET IRF740APBF Vishay Semiconductors 1: ₡1 342,80 7 577En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF740APBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF740APBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET	Hoja de datos	7 577En existencias	₡1 342,80 ₡775,49 ₡650,58 ₡582,92 ₡512,14	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1 000	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	400 V	10 A	550 mOhms	30 V	4 V	36 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp IRF740ASPBF Vishay Semiconductors 1: ₡1 759,17 5 159En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF740ASPBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF740ASPBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp	Hoja de datos	5 159En existencias	₡1 759,17 ₡936,84 ₡785,90 ₡660,99 Ver ₡624,56 ₡582,92 ₡572,51	Min.: 1 Mult.: 1	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	400 V	10 A	550 mOhms	30 V	2 V	36 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp IRF740ASTRLPBF Vishay Semiconductors 1: ₡1 910,11 2 683En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF740ASTRLPBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF740ASTRLPBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp	Hoja de datos	2 683En existencias	Cinta cortada ₡1 910,11 ₡1 249,12 ₡869,18 ₡697,42 Envase tipo carrete ₡671,40 ₡645,38 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	400 V	10 A	550 mOhms	30 V	2 V	36 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET IRF740LCPBF Vishay Semiconductors 1: ₡2 238,00 1 454En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF740LCPBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF740LCPBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET	Hoja de datos	1 454En existencias	₡2 238,00 ₡1 139,82 ₡1 035,73 ₡848,36 ₡843,15	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1 000	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	400 V	10 A	550 mOhms	30 V	4 V	39 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp IRF740SPBF Vishay Semiconductors 1: ₡1 951,75 993En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF740SPBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF740SPBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp	Hoja de datos	993En existencias	₡1 951,75 ₡1 040,93 ₡884,79 ₡739,06 ₡707,83	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1 000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	400 V	10 A	550 mOhms	20 V	2 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 400V IRF740ASTRRPBF Vishay Semiconductors 1: ₡1 759,17 Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas	N.º de artículo del Fabricante IRF740ASTRRPBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF740ASTRRPBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 400V	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas	Cinta cortada ₡1 759,17 ₡1 145,02 ₡791,11 ₡728,65 Envase tipo carrete ₡707,83 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)													Reel, Cut Tape, MouseReel

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