Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 13

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET IRF740APBF-BE3 Vishay / Siliconix 1: ₡1 358,41 5 690En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF740APBF-BE3 N.º de artículo de Mouser 78-IRF740APBF-BE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET	Hoja de datos	5 690En existencias	₡1 358,41 ₡817,13 ₡598,54 ₡503,29 ₡445,52	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1 000	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	400 V	10 A	550 mOhms	30 V	4 V	36 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO262 400V 10A N-CH MOSFET Vishay Semiconductors IRF740ALPBF IRF740ALPBF Vishay Semiconductors 1: ₡2 097,48 1 689En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF740ALPBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF740ALPBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO262 400V 10A N-CH MOSFET	Hoja de datos	1 689En existencias	₡2 097,48 ₡1 066,95 ₡962,86 ₡791,11 Ver ₡759,88 ₡744,27	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-262-3	N-Channel	1 Channel	400 V	10 A	550 mOhms	30 V	2 V	36 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp Vishay Semiconductors IRF740ASTRLPBF IRF740ASTRLPBF Vishay Semiconductors 1: ₡1 759,17 2 683En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF740ASTRLPBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF740ASTRLPBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp	Hoja de datos	2 683En existencias	Cinta cortada ₡1 759,17 ₡1 066,95 ₡791,11 ₡687,01 Envase tipo carrete ₡671,40 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	400 V	10 A	550 mOhms	30 V	2 V	36 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp Vishay Semiconductors IRF740STRRPBF IRF740STRRPBF Vishay Semiconductors 1: ₡2 159,93 152En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF740STRRPBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF740STRRPBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp	Hoja de datos	152En existencias	Cinta cortada ₡2 159,93 ₡1 410,46 ₡1 025,32 ₡791,11 Envase tipo carrete ₡765,08 Ver ₡749,47 ₡744,27 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	400 V	10 A	550 mOhms	20 V	2 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET IRF740LCPBF-BE3 Vishay / Siliconix 1: ₡2 238,00 888En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF740LCPBF-BE3 N.º de artículo de Mouser 78-IRF740LCPBF-BE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET	Hoja de datos	888En existencias	₡2 238,00 ₡1 139,82 ₡1 035,73 ₡848,36 Ver ₡832,74 ₡811,93	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	400 V	10 A	550 mOhms	30 V	4 V	39 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET IRF740PBF Vishay Semiconductors 1: ₡1 462,51 13 553En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF740PBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF740PBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET	Hoja de datos	13 553En existencias	₡1 462,51 ₡770,29 ₡645,38 ₡551,69 ₡484,03	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1 000	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	400 V	10 A	550 mOhms	20 V	4 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 400V 10A N-CH MOSFET Vishay Semiconductors IRF740STRLPBF IRF740STRLPBF Vishay Semiconductors 1: ₡1 894,49 2 250En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF740STRLPBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF740STRLPBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 400V 10A N-CH MOSFET	Hoja de datos	2 250En existencias	Cinta cortada ₡1 894,49 ₡1 066,95 ₡837,95 ₡702,63 Envase tipo carrete ₡645,38 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1 600 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	400 V	10 A	550 mOhms	20 V	2 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET IRF740PBF-BE3 Vishay / Siliconix 1: ₡1 436,48 3 869En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF740PBF-BE3 N.º de artículo de Mouser 78-IRF740PBF-BE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET	Hoja de datos	3 869En existencias	₡1 436,48 ₡905,61 ₡645,38 ₡551,69 ₡484,03	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1 000	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	400 V	10 A	550 mOhms	20 V	4 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET IRF740APBF Vishay Semiconductors 1: ₡1 342,80 6 498En existencias 4 000Se espera el 9/11/2026	N.º de artículo del Fabricante IRF740APBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF740APBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET	Hoja de datos	6 498En existencias 4 000Se espera el 9/11/2026	₡1 342,80 ₡874,38 ₡687,01 ₡582,92 ₡512,14	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1 000	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	400 V	10 A	550 mOhms	30 V	4 V	36 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp Vishay Semiconductors IRF740ASPBF IRF740ASPBF Vishay Semiconductors 1: ₡1 759,17 5 136En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF740ASPBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF740ASPBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp	Hoja de datos	5 136En existencias	₡1 759,17 ₡936,84 ₡785,90 ₡676,61 Ver ₡671,40 ₡593,33	Min.: 1 Mult.: 1	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	400 V	10 A	550 mOhms	30 V	2 V	36 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET IRF740LCPBF Vishay Semiconductors 1: ₡2 238,00 1 454En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF740LCPBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF740LCPBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET	Hoja de datos	1 454En existencias	₡2 238,00 ₡1 139,82 ₡1 035,73 ₡848,36 ₡843,15	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1 000	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	400 V	10 A	550 mOhms	30 V	4 V	39 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp Vishay Semiconductors IRF740SPBF IRF740SPBF Vishay Semiconductors 1: ₡1 832,04 892En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF740SPBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF740SPBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp	Hoja de datos	892En existencias	₡1 832,04 ₡1 066,95 ₡837,95 ₡702,63 ₡681,81	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1 000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	400 V	10 A	550 mOhms	20 V	2 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 400V IRF740ASTRRPBF Vishay Semiconductors 1: ₡1 759,17 Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas	N.º de artículo del Fabricante IRF740ASTRRPBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF740ASTRRPBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 400V	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas	Cinta cortada ₡1 759,17 ₡1 145,02 ₡791,11 ₡728,65 Envase tipo carrete ₡707,83 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)													Reel, Cut Tape, MouseReel

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