Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) – Mouser Costa Rica

Saltar al contenido principal

Parte de la familia de especialistas de TTIContactar a Mouser (USA) +52 33 3612 7301Comentarios

Cambiar ubicación

+52 33 3612 7301 Cambiar ubicación

En existencia

RoHS

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 6

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Seleccionar	Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	RoHS	Modelo ECAD	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 BSC070N10NS5ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 217,89 14 876En existencias 10 000Se espera el 22/10/2026	N.º de artículo del Fabricante BSC070N10NS5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC070N10NS5ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	14 876En existencias 10 000Se espera el 22/10/2026	Cinta cortada ₡1 217,89 ₡593,33 ₡530,87 ₡422,10 Ver Envase tipo carrete ₡353,40 ₡398,68 ₡380,46 ₡353,40 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000			Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	100 V	80 A	7 mOhms	20 V	2.2 V	30 nC	- 55 C	+ 150 C	83 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A D2PAK-2 OptiMOS 3 IPB108N15N3 G Infineon Technologies 1: ₡2 451,39 2 086En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB108N15N3 G N.º de artículo de Mouser 726-IP726-B108N15N3G	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A D2PAK-2 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon ir power mosfets	Hoja de datos	2 086En existencias	Cinta cortada ₡2 451,39 ₡1 311,57 ₡1 191,87 ₡1 035,73 Envase tipo carrete ₡973,27 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000			Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	150 V	83 A	10.8 mOhms	20 V	2 V	41 nC	- 55 C	+ 175 C	214 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2 IPB027N10N5ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡3 310,16 2 025En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB027N10N5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB027N10N5ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	2 025En existencias	Cinta cortada ₡3 310,16 ₡2 170,34 ₡1 597,83 ₡1 420,87 Envase tipo carrete ₡1 254,32 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000			Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	100 V	120 A	3.5 mOhms	20 V	2.2 V	112 nC	- 55 C	+ 175 C	250 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3 IPB072N15N3 G Infineon Technologies 1: ₡2 893,79 1 435En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB072N15N3 G N.º de artículo de Mouser 726-IPB072N15N3G	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon nchannel optimos	Hoja de datos	1 435En existencias	Cinta cortada ₡2 893,79 ₡1 894,49 ₡1 415,67 ₡1 233,50 Envase tipo carrete ₡1 035,73 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000			Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	150 V	100 A	7.2 mOhms	20 V	2 V	70 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3 IPP111N15N3 G Infineon Technologies 1: ₡2 451,39 708En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP111N15N3 G N.º de artículo de Mouser 726-IPP111N15N3G	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon ir power mosfets	Hoja de datos	708En existencias	₡2 451,39 ₡1 603,03 ₡1 197,07 ₡999,29 Ver ₡926,43 ₡879,59	Min.: 1 Mult.: 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	150 V	83 A	9.4 mOhms	20 V	2 V	55 nC	- 55 C	+ 175 C	214 W	Enhancement	OptiMOS	Tube
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 50A TO220-3 OptiMOS 3 IPP200N15N3 G Infineon Technologies 1: ₡1 910,11 481En existencias 500Se espera el 5/11/2026	N.º de artículo del Fabricante IPP200N15N3 G N.º de artículo de Mouser 726-IPP200N15N3G	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 50A TO220-3 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon ir power mosfets	Hoja de datos	481En existencias 500Se espera el 5/11/2026	₡1 910,11 ₡1 243,91 ₡874,38 ₡728,65 Ver ₡671,40 ₡634,97	Min.: 1 Mult.: 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	150 V	50 A	20 mOhms	20 V	2 V	23 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement	OptiMOS	Tube