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FDT4N50NZU

Name: onsemi FDT4N50NZU
Brand: onsemi
SKU: 863-FDT4N50NZU
Price: 1108.59 CRC
Availability: InStock

Mouser N.º:

863-FDT4N50NZU

Fabricante N.º:

FDT4N50NZU

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UNIFET II 3OHM SOT223

Hoja de datos:

FDT4N50NZU Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	500 V
Id - Corriente de drenaje continua:	2 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	3 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	5.5 V
Qg - Carga de puerta:	9.1 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	2 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	FDT4N50NZU
Cantidad de empaque de fábrica:	4000
Subcategoría:	Transistors

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Hoja de datos

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PCN

Material Composition Disclosure

Códigos de cumplimiento

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Malasia
País de origen del ensamblaje:: Malasia
País de difusión:: República Checa

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

FDT4N50NZU UniFET II MOSFET

onsemi FDT4N50NZU UniFET II MOSFET is a high voltage MOSFET based on advanced planar stripe and DMOS technology. The MOSFET has a small on-state resistance among the planar MOSFET. It provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. An internal gate-source ESD diode allows the UniFET II MOSFET to withstand over 2kV HBM surge stress.

PRODUCTOS DESTACADOS

ONSEMI

NVMTS1D1N08X N‐Channel Power MOSFETs

80V automotive MOSFETs with low on-resistance and soft-recovery body diode.

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80V Single N-Channel Power MOSFETs

Offer low R_DS(on) to minimize conduction losses & low QG and capacitance to minimize driver losses.

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NVNJWS1K6N061L N-Channel MOSFET

Features low R_DS(on) and low gate threshold with integrated ESD protection.

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NVBYST0D8N08X Single N-Channel Power MOSFET

Optimized for high‑voltage operation and withstands fast switching and high-current stresses.

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NTMFD0D9N02P1E MOSFET

Dual N-channel MOSFET designed with low R_g for fast switching applications.

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En existencias: 7 858

Existencias:: 7 858 Se puede enviar inmediatamente

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Plazo de entrega de fábrica:: 19 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1 Máxima: 4000

Precio unitario:

₡-,--

Precio ext.:

₡-,--

Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡1 108,59	₡1 108,59
	₡562,10	₡5 621,00
	₡473,10	₡47 310,00
	₡383,58	₡191 790,00
	₡343,51	₡343 510,00
	₡321,13	₡642 260,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 4000)
	₡308,64	₡1 234 560,00

FDT4N50NZU

Fabricante: onsemi

Descripción: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UNIFET II 3OHM SOT223

Especificaciones

Documentos (4)

Hoja de datos

PCN

Documentos ambientales

Cumplimiento de productos y comercio

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FDT4N50NZU UniFET II MOSFET

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En existencias: 7 858

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