Automotive-Grade N-Channel MDmesh DM2 MOSFETs

STMicroelectronics Automotive-Grade N-Channel MDmesh DM2 Power MOSFETs are high-voltage with very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on). They are suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Resultados: 13
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
Hoja de datos
428En existencias
₡4 168,93
₡2 935,42
₡2 373,32
₡1 962,15
₡1 889,29
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 93 mOhms 25 V 4 V 56 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.070 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
Hoja de datos
610En existencias
₡4 085,65
₡2 149,52
₡1 977,77
₡1 842,45
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 87 mOhms 25 V 4 V 70 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 500 V, 0.07 Ohm typ., 35 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
Hoja de datos
1 404En existencias
Cinta cortada
₡3 435,07
₡2 264,02
₡2 076,66
₡1 977,77
Envase tipo carrete
₡1 904,90
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 35 A 84 mOhms 25 V 4 V 57 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.052 Ohm typ., 50 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
Hoja de datos
395En existencias
₡6 037,40
₡4 220,97
₡3 554,78
₡3 190,45
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 60 mOhms 25 V 4 V 90 nC - 55 C + 150 C 360 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 42 mOhm typ., 60 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
Hoja de datos
203En existencias
₡6 016,58
₡3 861,85
₡3 544,37
₡2 987,47
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 50 mOhms 25 V 4 V 27 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
Hoja de datos
2 930En existencias
Cinta cortada
₡4 288,63
₡2 321,28
₡2 133,91
₡2 081,86
Envase tipo carrete
₡1 967,36
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 28 A 110 mOhms 30 V 4 V 54 nC - 55 C + 150 C 210 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
Hoja de datos
354En existencias
₡6 875,35
₡5 740,73
₡5 558,57
₡3 830,63
₡3 825,42
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 48 A 65 mOhms 25 V 4 V 88 nC - 55 C + 150 C 360 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 66 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
Hoja de datos
507En existencias
600Se espera el 23/4/2027
₡4 762,26
₡2 550,28
₡2 352,50
₡2 258,82
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 66 A 42 mOhms 25 V 4 V 121 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
Hoja de datos
30En existencias
1 000Se espera el 14/5/2027
Cinta cortada
₡4 465,59
₡2 414,96
₡2 217,18
₡2 149,52
Envase tipo carrete
₡1 894,49
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 34 A 93 mOhms 20 V 3 V 56 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 400 V, 0.063 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
Hoja de datos
9 995En pedido
₡4 455,18
₡2 446,19
₡2 243,21
₡1 925,72
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 400 V 38 A 72 mOhms 25 V 3 V 56 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 400 V, 0.063 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
Hoja de datos
1 829Se espera el 28/5/2027
Cinta cortada
₡4 335,48
₡2 347,30
₡2 159,93
₡2 107,88
Envase tipo carrete
₡1 967,36
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 400 V 38 A 72 mOhms 30 V 4 V 56 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas
₡3 601,62
₡2 409,75
₡1 936,13
₡1 722,74
₡1 639,47
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 93 mOhms 25 V 4 V 56 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 74 mOhm typ., 33 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas
₡2 482,62
Min.: 600
Mult.: 600
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 91 mOhms 25 V 4.75 V 52.5 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube