Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 3

Filtros aplicados:

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET SQJ188ELR-T1_GE3 Vishay 1: ₡1 092,98 2 900Se espera el 3/5/2027 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante SQJ188ELR-T1_GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SQJ188ELR-T1_GE3 Nuevo producto	Vishay	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET Obtenga más información sobre Vishay sqmosfets	Hoja de datos	2 900Se espera el 3/5/2027	Cinta cortada ₡1 092,98 ₡681,81 ₡451,24 ₡358,08 ₡318,00 Envase tipo carrete ₡290,42 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	PowerPAK-SO-10LR	N-Channel	1 Channel	80 V	47 A	15.5 mOhms	20 V	2.3 V	24 nC	- 55 C	+ 175 C	86 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET SQJ510ER-T1_GE3 Vishay 1: ₡2 029,82 3 000Se espera el 26/8/2027 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante SQJ510ER-T1_GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SQJ510ER-T1_GE3 Nuevo producto	Vishay	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET Obtenga más información sobre Vishay sqmosfets	Hoja de datos	3 000Se espera el 26/8/2027	Cinta cortada ₡2 029,82 ₡1 327,19 ₡962,86 ₡806,72 ₡749,47 Envase tipo carrete ₡697,42 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	PowerPAK-SO-10LR	N-Channel	1 Channel	100 V	200 A	3.7 mOhms	20 V	4 V	45 nC	- 55 C	+ 175 C	319 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 150-V (D-S) 175C MOSFET SQJ570ER-T1_GE3 Vishay 1: ₡1 941,34 2 950Se espera el 28/6/2027 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante SQJ570ER-T1_GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SQJ570ER-T1_GE3 Nuevo producto	Vishay	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 150-V (D-S) 175C MOSFET Obtenga más información sobre Vishay sqmosfets	Hoja de datos	2 950Se espera el 28/6/2027	Cinta cortada ₡1 941,34 ₡1 264,73 ₡884,79 ₡739,06 ₡687,01 Envase tipo carrete ₡640,17 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	PowerPAK-SO-10LR	N-Channel	1 Channel	150 V	126 A	7.8 mOhms	20 V	3.7 V	46 nC	- 55 C	+ 175 C	319 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel

Filtros aplicados:

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