Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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HP8K/HT8K Dual Channel Enhancement Mode MOSFETs

ROHM Semiconductor HP8K/HT8K Dual Channel Enhancement Mode MOSFETs offer dual N-channel or N-channel/P-channel transistor polarity. The HP8K and HT8K MOSFETs are available in small, surface-mount HSMT8 and HSOP8 backside heat-dissipating dual packages that provide low on-resistances and energy savings. Applications include single-/three-phase brushless motor drives or switching operations.

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Resultados: 16

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 17A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. HP8KE6TB1 ROHM Semiconductor 1: ₡1 280,34 4 860En existencias	N.º de artículo del Fabricante HP8KE6TB1 N.º de artículo de Mouser 755-HP8KE6TB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 17A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm hp8k ht8k mosfets	Hoja de datos	4 860En existencias	Cinta cortada ₡1 280,34 ₡624,56 ₡541,28 ₡447,08 Envase tipo carrete ₡398,68 Ver ₡422,10 ₡378,90 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	HSOP-8	N-Channel	2 Channel	100 V	17 A	54 mOhms	20 V	2.5 V	6.7 nC	- 55 C	+ 150 C	21 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 13A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. HT8KE6TB1 ROHM Semiconductor 1: ₡1 212,68 5 917En existencias	N.º de artículo del Fabricante HT8KE6TB1 N.º de artículo de Mouser 755-HT8KE6TB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 13A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm hp8k ht8k mosfets	Hoja de datos	5 917En existencias	Cinta cortada ₡1 212,68 ₡588,13 ₡512,66 ₡419,50 Envase tipo carrete ₡354,96 Ver ₡395,03 ₡350,27 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	HSMT-8	N-Channel	2 Channel	100 V	13 A	57 mOhms	20 V	2.5 V	6.7 nC	- 55 C	+ 150 C	14 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 8.5A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8ME5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. HP8ME5TB1 ROHM Semiconductor 1: ₡1 108,59 10 422En existencias	N.º de artículo del Fabricante HP8ME5TB1 N.º de artículo de Mouser 755-HP8ME5TB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 8.5A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8ME5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm hp8k ht8k mosfets	Hoja de datos	10 422En existencias	Cinta cortada ₡1 108,59 ₡536,08 ₡459,05 ₡378,38 Envase tipo carrete ₡312,28 Ver ₡355,48 ₡309,68	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	HSOP-8	N-Channel, P-Channel	2 Channel	100 V	8 A, 8.5 A	193 mOhms, 273 mOhms	20 V	2.5 V	2.9 nC, 19.7 nC	- 55 C	+ 150 C	20 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KE5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. HT8KE5TB1 ROHM Semiconductor 1: ₡879,59 5 978En existencias	N.º de artículo del Fabricante HT8KE5TB1 N.º de artículo de Mouser 755-HT8KE5TB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KE5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm hp8k ht8k mosfets	Hoja de datos	5 978En existencias	Cinta cortada ₡879,59 ₡415,85 ₡357,56 ₡290,94 Envase tipo carrete ₡237,33 Ver ₡268,56 ₡232,65 ₡224,84	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	HSMT-8	N-Channel	2 Channel	100 V	7 A	193 mOhms	20 V	2.5 V	2.9 nC	- 55 C	+ 150 C	13 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. HP8KE7TB1 ROHM Semiconductor 1: ₡1 988,18 4 724En existencias	N.º de artículo del Fabricante HP8KE7TB1 N.º de artículo de Mouser 755-HP8KE7TB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm hp8k ht8k mosfets	Hoja de datos	4 724En existencias	Cinta cortada ₡1 988,18 ₡1 004,50 ₡895,20 ₡744,27 ₡739,06 Envase tipo carrete ₡692,22	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	HSOP-8	N-Channel	2 Channel	100 V	24 A	19.6 mOhms	20 V	2.5 V	19.8 nC	- 55 C	+ 150 C	26 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 100V 12.5A N CHAN HT8KE6HTB1 ROHM Semiconductor 1: ₡1 223,09 2 962En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante HT8KE6HTB1 N.º de artículo de Mouser 755-HT8KE6HTB1 Nuevo producto	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 100V 12.5A N CHAN Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm hp8k ht8k mosfets	Hoja de datos	2 962En existencias	Cinta cortada ₡1 223,09 ₡598,54 ₡536,08 ₡425,22 ₡412,21 Envase tipo carrete ₡361,20	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	HSMT-8	N-Channel	2 Channel	100 V	12.5 A	60 mOhms	20 V	4 V	6.3 nC	- 55 C	+ 150 C	14 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 23A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KC6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. HP8KC6TB1 ROHM Semiconductor 1: ₡1 264,73 4 570En existencias	N.º de artículo del Fabricante HP8KC6TB1 N.º de artículo de Mouser 755-HP8KC6TB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 23A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KC6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm hp8k ht8k mosfets	Hoja de datos	4 570En existencias	Cinta cortada ₡1 264,73 ₡619,35 ₡551,69 ₡440,31 Envase tipo carrete ₡404,40 Ver ₡426,26 ₡395,55	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	HSOP-8	N-Channel	2 Channel	60 V	23 A	27 mOhms	20 V	2.5 V	7.6 nC	- 55 C	+ 150 C	21 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 12A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8MC5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. HP8MC5TB1 ROHM Semiconductor 1: ₡1 098,18 4 536En existencias	N.º de artículo del Fabricante HP8MC5TB1 N.º de artículo de Mouser 755-HP8MC5TB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 12A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8MC5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm hp8k ht8k mosfets	Hoja de datos	4 536En existencias	Cinta cortada ₡1 098,18 ₡530,87 ₡474,14 ₡376,30 Envase tipo carrete ₡323,21 Ver ₡359,64 ₡307,07	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	HSOP-8	N-Channel, P-Channel	2 Channel	60 V	12 A	90 mOhms, 96 mOhms	20 V	2.5 V	3.1 nC, 17.3 nC	- 55 C	+ 150 C	20 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 12A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KB5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. HT8KB5TB1 ROHM Semiconductor 1: ₡869,18 9 000En existencias	N.º de artículo del Fabricante HT8KB5TB1 N.º de artículo de Mouser 755-HT8KB5TB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 12A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KB5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm hp8k ht8k mosfets	Hoja de datos	9 000En existencias	Cinta cortada ₡869,18 ₡410,13 ₡365,89 ₡287,30 Envase tipo carrete ₡229,53 Ver ₡227,96 ₡221,20	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	HSMT-8	N-Channel	2 Channel	40 V	12 A	47 mOhms	20 V	2.5 V	3.5 nC	- 55 C	+ 150 C	13 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 2NCH 40V 8A HT8KB6TB1 ROHM Semiconductor 1: ₡1 098,18 2 560En existencias	N.º de artículo del Fabricante HT8KB6TB1 N.º de artículo de Mouser 755-HT8KB6TB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 2NCH 40V 8A Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm hp8k ht8k mosfets	Hoja de datos	2 560En existencias	Cinta cortada ₡1 098,18 ₡530,87 ₡472,06 ₡374,74 ₡358,08 Envase tipo carrete ₡306,03	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	HSMT-8	N-Channel	2 Channel	40 V	15 A	17.2 mOhms	20 V	2.5 V	10.6 nC	- 55 C	+ 150 C	14 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 10A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KC5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. HT8KC5TB1 ROHM Semiconductor 1: ₡869,18 6 472En existencias	N.º de artículo del Fabricante HT8KC5TB1 N.º de artículo de Mouser 755-HT8KC5TB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 10A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KC5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm hp8k ht8k mosfets	Hoja de datos	6 472En existencias	Cinta cortada ₡869,18 ₡412,21 ₡367,45 ₡288,86 Envase tipo carrete ₡267,52 Ver ₡237,33 ₡222,76	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	HSMT-8	N-Channel	2 Channel	60 V	10 A	90 mOhms	20 V	2.5 V	3.1 nC	- 55 C	+ 150 C	13 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KB6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. HP8KB6TB1 ROHM Semiconductor 1: ₡1 259,53 5 000En existencias	N.º de artículo del Fabricante HP8KB6TB1 N.º de artículo de Mouser 755-HP8KB6TB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KB6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm hp8k ht8k mosfets	Hoja de datos	5 000En existencias	Cinta cortada ₡1 259,53 ₡614,15 ₡551,69 ₡439,27 ₡427,30 Envase tipo carrete ₡370,57	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	HSOP-8	N-Channel	2 Channel	40 V	24 A	15.7 mOhms	20 V	2.5 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	21 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KB7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. HP8KB7TB1 ROHM Semiconductor 1: ₡1 925,72 4 969En existencias	N.º de artículo del Fabricante HP8KB7TB1 N.º de artículo de Mouser 755-HP8KB7TB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KB7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm hp8k ht8k mosfets	Hoja de datos	4 969En existencias	Cinta cortada ₡1 925,72 ₡973,27 ₡879,59 ₡718,24 Envase tipo carrete ₡676,61 Ver ₡713,04 ₡666,20	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	HSOP-8	N-Channel	2 Channel	40 V	24 A	8 mOhms	20 V	2.5 V	27 nC	- 55 C	+ 150 C	26 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KC7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. HP8KC7TB1 ROHM Semiconductor 1: ₡1 936,13 4 956En existencias	N.º de artículo del Fabricante HP8KC7TB1 N.º de artículo de Mouser 755-HP8KC7TB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KC7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm hp8k ht8k mosfets	Hoja de datos	4 956En existencias	Cinta cortada ₡1 936,13 ₡978,47 ₡884,79 ₡718,24 Envase tipo carrete ₡666,20	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	HSOP-8	N-Channel	2 Channel	60 V	24 A	11.5 mOhms	20 V	2.5 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	26 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 16.5A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8MB5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. HP8MB5TB1 ROHM Semiconductor 1: ₡1 098,18 4 925En existencias	N.º de artículo del Fabricante HP8MB5TB1 N.º de artículo de Mouser 755-HP8MB5TB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 16.5A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8MB5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm hp8k ht8k mosfets	Hoja de datos	4 925En existencias	Cinta cortada ₡1 098,18 ₡530,87 ₡474,14 ₡376,30 Envase tipo carrete ₡323,21 Ver ₡359,64 ₡307,07	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	HSOP-8	N-Channel, P-Channel	2 Channel	60 V	16.5 A, 18 A	46 mOhms, 44 mOhms	20 V	2.5 V	3.5 nC, 17.2 nC	- 55 C	+ 150 C	20 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 15A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KC6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. HT8KC6TB1 ROHM Semiconductor 1: ₡1 176,25 3 755En existencias	N.º de artículo del Fabricante HT8KC6TB1 N.º de artículo de Mouser 755-HT8KC6TB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 15A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KC6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm hp8k ht8k mosfets	Hoja de datos	3 755En existencias	Cinta cortada ₡1 176,25 ₡572,51 ₡510,58 ₡406,48 Envase tipo carrete ₡355,48 Ver ₡392,43 ₡337,78	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	HSMT-8	N-Channel	2 Channel	60 V	15 A	29 mOhms	20 V	2.5 V	7.6 nC	- 55 C	+ 150 C	14 W	Enhancement	Reel, Cut Tape

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