GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100V GaN FETs

Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100V GaN FETs are general-purpose, normally off e-mode devices that deliver superior performance and very low on-state resistance.

Resultados: 3
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Tecnología
Nexperia GaN FETs GANE2R7-100CBA/SOT8089/WLCSP22
Hoja de datos
1 453En existencias
Cinta cortada
₡3 044,72
₡1 597,83
₡1 457,30
₡1 316,78
Envase tipo carrete
₡1 087,77
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
SMD/SMT WLCSP-22 P-Channel 1 Channel 100 V 64 A 2.7 mOhms 5.5 V 2.5 V 13 nC - 40 C + 150 C 470 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FETs GANE1R8-100QBA/SOT8091/VQFN7
Hoja de datos
2 457En existencias
Cinta cortada
₡5 532,55
₡3 070,75
₡2 909,40
₡2 664,78
Envase tipo carrete
₡2 373,32
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
SMD/SMT VQFN-7 P-Channel 1 Channel 100 V 100 A 1.8 mOhms 6 V 2.5 V 22 nC - 40 C + 150 C 65 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FETs GANE7R0-100CBA/SOT8090/WLCSP6
Hoja de datos
988En existencias
Cinta cortada
₡1 410,46
₡692,22
₡624,56
₡498,09
Envase tipo carrete
₡438,23
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
SMD/SMT VQFN-7 N-Channel 1 Channel 100 V 29 A 7 mOhms 6 V 2.5 V 4.5 nC - 40 C + 150 C 182 W Enhancement GaN