OptiMOS™7 Automotive Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™7 automotive power MOSFETs help engineers build higher-efficiency and higher-density automotive power systems. The devices combine advanced MOSFET silicon with modern leadless power packaging to reduce conduction and switching losses in compact designs. Built for 12V and 48V vehicle architectures, OptiMOS7 MOSFETs support higher current capability, simplify thermal management, and improve overall system performance.

Resultados: 68
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 4.54 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7
Hoja de datos
5 132En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT PG-LHDSO-10-1 N-Channel 1 Channel 80 V 103 A 4.54 mOhms 20 V 3.2 V 27 nC - 55 C + 175 C 98 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology
Hoja de datos
3 798En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
Hoja de datos
4 768En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 199 A 1.25 mOhms 16 V 1.8 V 42 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
Hoja de datos
20 000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3.05 mOhms 16 V 1.8 V 18 nC - 55 C + 175 C 58 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
Hoja de datos
4 559En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 27 A 28.9 mOhms 16 V 2 V 10.9 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
Hoja de datos
6 507En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 76 A 7.8 mOhms 20 V 3.2 V 22.2 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
Hoja de datos
17 600En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-5-2 N-Channel 1 Channel 40 V 290 A 820 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 60 nC - 55 C + 175 C 133 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
Hoja de datos
55 842En existencias
35 000Se espera el 8/10/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 144 A 1.92 mOhms - 16 V, 16 V 1.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
Hoja de datos
65 000En existencias
45 000Se espera el 25/8/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 139 A 2.05 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 25 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
Hoja de datos
937En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 82 A 4.01 mOhms 20 V 3 V 13 nC - 55 C + 175 C 52 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
Hoja de datos
1 153En existencias
5 000Se espera el 25/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 62 A 5.41 mOhms 20 V 3 V 9 nC - 55 C + 175 C 40 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology
Hoja de datos
160En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
Hoja de datos
878En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 154 A 1.9 mOhms 16 V 1.8 V 34 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
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484En existencias
5 000Se espera el 3/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 35 A 17.7 mOhms 16 V 2 V 11.8 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, N-Ch, 0.39mohm max, Automotive MOSFET, sTOLL(7x8), OptiMOS 7
Hoja de datos
3 019En existencias
10 000Se espera el 29/10/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-5-5 N-Channel 1 Channel 40 V 570 A 390 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 144 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
Hoja de datos
4 237En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-5-1 N-Channel 1 Channel 40 V 455 A 510 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 110 nC - 55 C + 175 C 198 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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1 611En existencias
2 000Se espera el 12/8/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-5-1 N-Channel 1 Channel 40 V 410 A 570 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 94 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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1 505En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-5-2 N-Channel 1 Channel 40 V 330 A 720 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 72 nC - 55 C + 175 C 149 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
Hoja de datos
2 992En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 380 A 600 uOhms - 16 V, 16 V 1.5 V 95 nC - 55 C + 175 C 164 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
Hoja de datos
9 364En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 275 A 910 uOhms - 16 V, 16 V 1.5 V 66 nC - 55 C + 175 C 129 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
Hoja de datos
7 832En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 179 A 1.43 mOhms - 16 V, 16 V 1.5 V 36 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
Hoja de datos
16 533En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 214 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 105 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
Hoja de datos
8 968En existencias
25 000Se espera el 7/1/2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 173 A 1.53 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 31 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS7 40 V Dual SSO8 Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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7 352En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS7 40 V Dual SSO8 Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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2 000En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel