Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
2 472 En existencias
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1
₡1 072,16
10
₡687,01
100
₡461,13
500
₡394,51
1 000
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5 000
₡296,67
1 000
₡350,79
2 500
₡318,00
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5 000
Detalles
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SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
222 A
1.13 mOhms
- 16 V, 16 V
1.5 V
49 nC
- 55 C
+ 175 C
105 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
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IAUCN04S7L028ATMA1
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2 048 En existencias
10 000 Se espera el 7/9/2026
1
₡879,59
10
₡541,28
100
₡359,12
500
₡282,09
5 000
₡194,13
10 000
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1 000
₡241,50
2 500
₡218,60
10 000
₡187,37
25 000
₡164,99
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5 000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
100 A
2.82 mOhms
- 16 V, 16 V
1.5 V
18 nC
- 55 C
+ 175 C
58 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
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26 Semanas
1
₡1 753,97
10
₡1 139,82
100
₡785,90
500
₡650,58
1 000
Ver
5 000
₡572,51
1 000
₡614,15
2 500
₡593,33
5 000
₡572,51
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5 000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
40 V
414 A
550 uOhms
- 20 V, 20 V
2.6 V
98 nC
- 55 C
+ 175 C
179 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
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IAUCN04S7N006ATMA1
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20 000 Se espera el 6/5/2027
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26 Semanas
1
₡1 603,03
10
₡1 035,73
100
₡718,24
500
₡603,74
1 000
Ver
5 000
₡504,85
1 000
₡562,10
2 500
₡541,28
5 000
₡504,85
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5 000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
370 A
630 uOhms
- 20 V, 20 V
2.6 V
82 nC
- 55 C
+ 175 C
164 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
IAUCN04S7N009ATMA1
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₡1 249,12
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213 En existencias
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30 000 Se espera el 28/1/2027
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26 Semanas
1
₡1 249,12
10
₡796,31
100
₡536,08
500
₡431,47
1 000
Ver
5 000
₡350,27
1 000
₡386,19
2 500
₡377,86
5 000
₡350,27
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5 000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
268 A
960 uOhms
- 20 V, 20 V
2.6 V
57 nC
- 55 C
+ 175 C
129 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
IAUCN04S7L005ATMA1
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66 En existencias
10 000 Se espera el 3/9/2026
1
₡1 753,97
10
₡1 139,82
100
₡785,90
500
₡650,58
1 000
₡614,15
5 000
₡572,51
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5 000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
430 A
520 uOhms
- 16 V, 16 V
1.5 V
109 nC
- 55 C
+ 175 C
179 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
IAUZN08S7N046ATMA1
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₡1 301,16
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
96 En existencias
10 000 Se espera el 3/9/2026
1
₡1 301,16
10
₡744,27
100
₡562,10
500
₡450,20
1 000
Ver
5 000
₡372,13
1 000
₡423,66
2 500
₡398,68
5 000
₡372,13
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5 000
Detalles
Si
SMD/SMT
PG-TDSON-8
N-Channel
1 Channel
80 V
99 A
4.6 mOhms
20 V
3.2 V
27.2 nC
- 55 C
+ 175 C
94 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
IAUZN04S7L025ATMA1
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5 000 Se espera el 10/12/2026
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32 Semanas
1
₡962,86
10
₡593,33
100
₡390,87
500
₡307,60
1 000
Ver
5 000
₡197,78
1 000
₡262,84
2 500
₡238,37
5 000
₡197,78
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5 000
Detalles
Si
SMD/SMT
PG-TDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
117 A
2.56 mOhms
16 V
1.8 V
23 nC
- 55 C
+ 175 C
65 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
IAUCN04S7L053DATMA1
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1:
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40 042 En pedido
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
40 042 En pedido
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Plazo de entrega de fábrica:
26 Semanas
1
₡962,86
10
₡614,15
100
₡420,02
500
₡332,58
1 000
Ver
5 000
₡255,55
1 000
₡289,38
2 500
₡275,85
5 000
₡255,55
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5 000
Detalles
Si
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
IAUCN04S7N004ATMA1
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1:
₡2 097,48
114 063 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N004ATM
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
114 063 En pedido
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34 063 Se espera el 1/10/2026
35 000 Se espera el 8/10/2026
Plazo de entrega de fábrica:
26 Semanas
1
₡2 097,48
10
₡1 374,03
100
₡962,86
500
₡796,31
2 500
₡770,29
5 000
₡744,27
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5 000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
40 V
518 A
550 uOhms
- 20 V, 20 V
2.6 V
169 nC
- 55 C
+ 175 C
219 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
IAUCN04S7N030ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡858,77
121 199 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N030ATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
121 199 En pedido
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En pedido:
31 199 Se espera el 15/10/2026
45 000 Se espera el 10/6/2027
45 000 Se espera el 15/7/2027
Plazo de entrega de fábrica:
26 Semanas
1
₡858,77
10
₡504,85
100
₡344,55
500
₡278,45
1 000
Ver
5 000
₡186,85
1 000
₡234,73
2 500
₡222,76
5 000
₡186,85
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5 000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
100 A
3.02 mOhms
- 20 V, 20 V
2.6 V
16 nC
- 55 C
+ 175 C
58 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V, N-Ch, 1.3 mohm max, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS 7
IAUCN08S7N013ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡2 685,60
43 608 Se espera el 12/11/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN08S7N013ATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V, N-Ch, 1.3 mohm max, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS 7
43 608 Se espera el 12/11/2026
1
₡2 685,60
10
₡1 384,44
100
₡1 259,53
500
₡1 030,52
5 000
₡962,86
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5 000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
80 V
274 A
1.3 mOhms
- 20 V, 20 V
3.2 V
89 nC
- 55 C
+ 175 C
219 W
Enhancement
AEC-Q101
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 1.63 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7
IAUCN08S7N016TATMA1
Infineon Technologies
1:
₡2 545,08
29 372 En pedido
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN08S7N016TAT
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 1.63 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7
29 372 En pedido
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En pedido:
1 372 Se espera el 28/1/2027
10 000 Se espera el 4/2/2027
18 000 Se espera el 11/2/2027
Plazo de entrega de fábrica:
32 Semanas
1
₡2 545,08
10
₡1 634,26
100
₡1 217,89
500
₡1 020,11
1 000
₡988,88
2 000
₡884,79
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 000
Detalles
Si
SMD/SMT
PG-LHDSO-10-3
N-Channel
1 Channel
80 V
262 A
1.63 mOhms
20 V
3.2 V
83 nC
- 55 C
+ 175 C
205 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
IAUCN04S7L004ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡2 097,48
10 000 Se espera el 24/9/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7L004ATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
10 000 Se espera el 24/9/2026
1
₡2 097,48
10
₡1 374,03
100
₡962,86
500
₡796,31
2 500
₡744,27
5 000
₡744,27
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5 000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
532 A
590 uOhms
1.5 V
146 nC
- 55 C
+ 175 C
219 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.46 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7
IAUCN04S7N024HATMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 368,82
4 970 Se espera el 25/8/2026
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N024HAT
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.46 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7
4 970 Se espera el 25/8/2026
1
₡1 368,82
10
₡733,86
100
₡603,74
500
₡489,24
1 000
₡481,43
5 000
₡419,50
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5 000
Detalles
Si
SMD/SMT
PG-TDSON-8
N-Channel
2 Channel
40 V
129 A
2.46 mOhms
20 V
3 V
25 nC
- 55 C
+ 175 C
75 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
IAUCN04S7N040DATMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 066,95
5 271 Se espera el 8/10/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N040DAT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
5 271 Se espera el 8/10/2026
1
₡1 066,95
10
₡681,81
100
₡459,05
500
₡363,81
1 000
Ver
5 000
₡298,75
1 000
₡334,14
2 500
₡318,52
5 000
₡298,75
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5 000
Detalles
Si
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
IAUCN04S7N056DATMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 004,50
20 000 Se espera el 3/9/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N056DAT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
20 000 Se espera el 3/9/2026
1
₡1 004,50
10
₡634,97
100
₡420,02
500
₡332,58
1 000
Ver
5 000
₡255,55
1 000
₡289,38
2 500
₡275,85
5 000
₡255,55
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5 000
Detalles
Si
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
IAUZN04S7N032ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡817,13
4 993 Se espera el 3/9/2026
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IAUZN04S7N032ATM
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
4 993 Se espera el 3/9/2026
1
₡817,13
10
₡439,79
100
₡326,85
500
₡262,84
1 000
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