Automotive U-MOSX-H MOSFETs

Toshiba Automotive U-MOSX-H MOSFETs are AEC-Q101 qualified with low drain-source on-resistance. These devices feature a low leakage current of IDSS = 10µA (max) (VDS = 100V). The Toshiba Automotive U-MOSX-H MOSFETs are ideal for automotive, switching voltage, regulators, DC-DC converters, and motor drivers.

Resultados: 4
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
1 202En existencias
Cinta cortada
₡2 690,81
₡1 394,85
₡1 269,94
₡1 119,00
Envase tipo carrete
₡1 051,34
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT TO-220SM-3 N-Channel 1 Channel 100 V 160 A 1.92 mOhms 20 V 3.5 V 184 nC + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR SOP Advance(WF) PD=132W F=1MHZ 3 500En existencias
Cinta cortada
₡1 353,21
₡666,20
₡598,54
₡476,75
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Envase tipo carrete
₡371,61
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 80 V 80 A 5.7 mOhms 20 V 3.5 V 63 nC + 175 C 132 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR SOP-ADVANCE(E) PD=250W F=1MHZ 1 232En existencias
5 000Se espera el 3/11/2026
Cinta cortada
₡1 712,33
₡858,77
₡770,29
₡624,56
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Envase tipo carrete
₡572,51
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 80 V 238 A 1.9 mOhms 20 V 3.5 V 108 nC + 175 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 2.55mOhm N-ch MOSFET AEC-Q SOP Advance(WF)
5 000Se espera el 16/11/2026
Cinta cortada
₡1 566,60
₡775,49
₡702,63
₡567,31
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Envase tipo carrete
₡443,44
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 2.55 mOhms 20 V 3.5 V 95 nC + 175 C 170 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel