RH7G04CBKFRATCB

ROHM Semiconductor
755-RH7G04CBKFRATCB
RH7G04CBKFRATCB

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V 40A, DFN3333T8LSAB, Power MOSFET for Automotive

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ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-8
N-Channel
1 Channel
40 V
40 A
5 mOhms
20 V
2.5 V
19.1 nC
- 55 C
+ 175 C
62 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marca: ROHM Semiconductor
Configuración: Single
Tiempo de caída: 9..3 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 11 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 10.5 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 41.7 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 14.3 ns
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Códigos de cumplimiento
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Japón
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

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En existencias: 2 990

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
16 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
₡-,--
Precio ext.:
₡-,--
Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
₡1 165,84 ₡1 165,84
₡749,47 ₡7 494,70
₡505,37 ₡50 537,00
₡402,32 ₡201 160,00
₡369,01 ₡369 010,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
₡335,18 ₡1 005 540,00

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