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FDMS4D5N08LC

Name: onsemi FDMS4D5N08LC
Brand: onsemi
SKU: 863-FDMS4D5N08LC
Price: 2102.68 CRC
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

863-FDMS4D5N08LC

Fabricante N.º:

FDMS4D5N08LC

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 116A 4.2mOhm

Hoja de datos:

FDMS4D5N08LC Hoja de datos (PDF)

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PQFN-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	80 V
Id - Corriente de drenaje continua:	116 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	4.2 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	51 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	113.6 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	PowerTrench
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	17 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	135 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	19 ns
Serie:	FDMS4D5N08LC
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	59 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	13 ns
Peso de la unidad:	122,136 mg

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Hoja de datos

FDMS4D5N08LC Hoja de datos (PDF)

PCN

ON Semiconductor MPN Label Format Change (PDF)

Material Composition Disclosure

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: República de Corea
País de origen del ensamblaje:: Filipinas
País de difusión:: República de Corea

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

FDMS4D5N08LC 80V Single N-Channel Power MOSFET

onsemi FDMS4D5N08LC 80V Single N-Channel Power MOSFET is produced using an advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with a soft body diode.

PRODUCTOS DESTACADOS

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Disponibilidad

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En pedido:: 3 000

Se espera el 26/3/2027
Plazo de entrega de fábrica:: 52

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Mínimo: 1 Múltiples: 1

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₡-,--

Precio ext.:

₡-,--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡2 102,68	₡2 102,68
	₡1 374,03	₡13 740,30
	₡1 025,32	₡102 532,00
	₡858,77	₡429 385,00
	₡796,31	₡796 310,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡749,47	₡2 248 410,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

FDMS4D5N08LC

Fabricante: onsemi

Descripción: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 116A 4.2mOhm

Especificaciones

Documentos (2)

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