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SIA429DJT-T1-GE3

Name: Vishay SIA429DJT-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SIA429DJT-T1-GE3
Price: 608.94 CRC
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

781-SIA429DJT-T1-GE3

Fabricante N.º:

SIA429DJT-T1-GE3

Fabricante:

Vishay Semiconductors

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs Thin PowerPAK SC-70

Hoja de datos:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SC-70-6
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	20 V
Id - Corriente de drenaje continua:	12 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	20.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1 V
Qg - Carga de puerta:	62 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	3.5 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET, PowerPAK
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Single
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	SIA
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Alias de las piezas n.º:	SIA429DJT-GE3

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SIA429DJT-T1-GE3 Hoja de datos

Models

PCN

Product Change Notification (PDF)

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Alemania
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

SiA429DJT 20V P-Channel MOSFETs

Vishay / Siliconix SiA429DJT 20V P-Ch TrenchFET^® Power MOSFETs offer a low on-resistance for a P-Channel device with a sub-0.8mm profile. Vishay / Siliconix SiA429DJT TrenchFET Power MOSFETs come in a thermally enhanced Thin PowerPAK® SC-70 package with an ultra-low 0.6mm profile. The SiA429DJT is ideal for DC/DC converters and load and charger switches. The lower on-resistance translates into lower conduction losses.

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En pedido:: 3 000

Se espera el 29/4/2027

3 000

Se espera el 31/5/2027
Plazo de entrega de fábrica:: 44

Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.

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Mínimo: 1 Múltiples: 1

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₡-,--

Precio ext.:

₡-,--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡608,94	₡608,94
	₡433,55	₡4 335,50
	₡270,12	₡27 012,00
	₡186,33	₡93 165,00
	₡156,66	₡156 660,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡118,67	₡356 010,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

SIA429DJT-T1-GE3

Fabricante: Vishay Semiconductors

Descripción: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs Thin PowerPAK SC-70

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