Small Signal Dual Channel MOSFETs

ROHM Semiconductor Small Signal Dual Channel MOSFETs feature low on-resistance and fast switching. These MOSFETs are RoHS compliant and include Pb-free plating. The dual channel MOSFETs operate from -55°C to 150°C temperature range. These MOSFETs are used in motor drives and switching applications.

Resultados: 12
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) WLCSP 2NCH 30V 20A
Hoja de datos
2 397En existencias
Cinta cortada
₡1 660,28
₡827,54
₡744,27
₡603,74
₡593,33
Envase tipo carrete
₡546,49
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT WLCSP-22 N-Channel 2 Channel 30 V 20 A 3 mOhms - 2 V, 10 V 2 V 29 nC - 55 C + 150 C 1.6 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 150V DUAL 18.5A
Hoja de datos
2 457En existencias
Cinta cortada
₡2 102,68
₡1 066,95
₡968,07
₡801,52
Envase tipo carrete
₡749,47
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 2 Channel 150 V 18.5 A 62 mOhms 24 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 150V DUAL 7.A
Hoja de datos
2 990En existencias
Cinta cortada
₡1 269,94
₡619,35
₡556,90
₡443,44
₡429,38
Envase tipo carrete
₡374,74
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 2 Channel 150 V 7 A 214 mOhms 20 V 4 V 6.4 nC - 55 C + 150 C 14 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 NPCH 40V 12A
Hoja de datos
2 970En existencias
Cinta cortada
₡1 061,75
₡509,54
₡455,93
₡361,20
₡352,36
Envase tipo carrete
₡292,50
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 40 V, 40 V 12 A, 15 A 47 mOhms, 56 mOhms 20 V 2.5 V, 2.5 V 3.5 nC, 16.7 nC - 55 C + 150 C 13 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 NPCH 60V 10A
Hoja de datos
2 892En existencias
Cinta cortada
₡1 061,75
₡509,54
₡455,93
₡361,20
₡352,36
Envase tipo carrete
₡292,50
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 60 V, 60 V 10 A, 11.5 A 90 mOhms, 109 mOhms 20 V 2.5 V, 2.5 V 3.1 nC, 17.1 nC - 55 C + 150 C 13 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 NPCH 80V 3.5A
Hoja de datos
2 990En existencias
Cinta cortada
₡1 082,57
₡519,42
₡464,78
₡368,49
₡351,83
Envase tipo carrete
₡299,79
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 80 V, 80 V 8.5 A, 9 A 112 mOhms, 191 mOhms 20 V 4 V, 4 V 3.1 nC, 17.2 nC - 55 C + 150 C 13 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 800V N CH 3.5A
Hoja de datos
565En existencias
₡4 486,41
₡2 440,98
₡2 243,21
₡2 061,04
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247G-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 450 mOhms 30 V 4.5 V 37 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 800V N CH 19A
Hoja de datos
600En existencias
₡5 657,46
₡3 148,82
₡2 904,20
₡2 794,90
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247G-3 N-Channel 1 Channel 800 V 19 A 265 mOhms 30 V 4.5 V 65 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 P-CH 80V 30A
Hoja de datos
2 289En existencias
Cinta cortada
₡1 249,12
₡608,94
₡546,49
₡434,59
₡422,62
Envase tipo carrete
₡365,89
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 80 V 30 A 64 mOhms 20 V 4 V 50 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 N-CH 30V 155A
Hoja de datos
2 462En existencias
Cinta cortada
₡1 587,42
₡785,90
₡707,83
₡572,51
₡556,90
Envase tipo carrete
₡507,97
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 155 A 2.16 mOhms 20 V 2.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 P-CH 80V 4.5A
Hoja de datos
2 360En existencias
Cinta cortada
₡848,36
₡401,80
₡358,08
₡281,05
Envase tipo carrete
₡229,00
₡214,95
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 80 V 4.5 A 750 mOhms 20 V 4 V 5.9 nC - 55 C + 150 C 17 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 NPCH 80V 3A
Hoja de datos
2 500En existencias
Cinta cortada
₡910,81
₡433,55
₡386,71
₡304,47
Envase tipo carrete
₡255,55
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 80 V, 80 V 3 A, 3.5 A 116 mOhms, 193 mOhms 20 V 4 V, 4 V 3.1 nC, 17.4 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape