Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs are class-leading power MOSFETs for the highest power density and energy-efficient solutions. Ultra-low gate and output charges, together with the lowest on-state resistance in small footprint packages, make ideal choices for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom, and telecom applications. Superfast switching Control FETs, together with low EMI Sync FETs, provide solutions that are easy to design. Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs provide excellent gate charge and are optimized for DC-DC conversion.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 99

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Calificación	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+ IPB120N10S405ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡2 191,16 14 053En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB120N10S405ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB120N10S405ATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+ Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 75v 100v n channel auto mosfet	Hoja de datos	14 053En existencias	Cinta cortada ₡2 191,16 ₡1 113,80 ₡1 009,70 ₡843,15 Envase tipo carrete ₡796,31	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	100 V	120 A	5 mOhms	20 V	2.7 V	91 nC	- 55 C	+ 175 C	190 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3 IPB036N12N3 G Infineon Technologies 1: ₡4 122,09 1 138En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB036N12N3 G N.º de artículo de Mouser 726-IPB036N12N3GXT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon nchannel optimos	Hoja de datos	1 138En existencias	Cinta cortada ₡4 122,09 ₡2 758,47 ₡2 217,18 ₡1 972,56 Envase tipo carrete ₡1 743,56 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	Si	SMD/SMT	TO-263-7	N-Channel	1 Channel	120 V	180 A	2.9 mOhms	20 V	2 V	211 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement		OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2 IPB180N04S4-H0 Infineon Technologies 1: ₡2 310,87 976En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB180N04S4-H0 N.º de artículo de Mouser 726-IPB180N04S4-H0	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon nchannel optimos	Hoja de datos	976En existencias	Cinta cortada ₡2 310,87 ₡1 514,55 ₡1 129,41 ₡947,25 Envase tipo carrete ₡822,34 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	Si	SMD/SMT	TO-263-7	N-Channel	1 Channel	40 V	180 A	900 uOhms	20 V	2 V	225 nC	- 55 C	+ 175 C	250 W	Enhancement	AEC-Q100	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3 IPB016N06L3 G Infineon Technologies 1: ₡3 138,41 1 646En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB016N06L3 G N.º de artículo de Mouser 726-IPB016N06L3G	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon nchannel optimos	Hoja de datos	1 646En existencias	Cinta cortada ₡3 138,41 ₡2 055,84 ₡1 514,55 ₡1 348,01 Envase tipo carrete ₡1 191,87 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	Si	SMD/SMT	TO-263-7	N-Channel	1 Channel	60 V	180 A	1.2 mOhms	20 V	1.2 V	166 nC	- 55 C	+ 175 C	250 W	Enhancement		OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3 IPB090N06N3 G Infineon Technologies 1: ₡1 254,32 3 433En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB090N06N3 G N.º de artículo de Mouser 726-IPB090N06N3G	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon nchannel optimos	Hoja de datos	3 433En existencias	Cinta cortada ₡1 254,32 ₡713,04 ₡541,28 ₡434,07 Envase tipo carrete ₡376,82 ₡362,24 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	60 V	50 A	9 mOhms	20 V	3 V	36 nC	- 55 C	+ 175 C	71 W	Enhancement		OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2 IPB180N04S4-01 Infineon Technologies 1: ₡2 029,82 9 286En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB180N04S4-01 N.º de artículo de Mouser 726-IPB180N04S4-01	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon nchannel optimos	Hoja de datos	9 286En existencias	Cinta cortada ₡2 029,82 ₡1 030,52 ₡931,63 ₡765,08 Envase tipo carrete ₡713,04 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	Si	SMD/SMT	TO-263-7	N-Channel	1 Channel	40 V	180 A	1.3 mOhms	20 V	3 V	135 nC	- 55 C	+ 175 C	188 W	Enhancement	AEC-Q100	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3 IPB027N10N3 G Infineon Technologies 1: ₡3 591,21 3 527En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB027N10N3 G N.º de artículo de Mouser 726-IPB027N10N3G	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon nchannel optimos	Hoja de datos	3 527En existencias	Cinta cortada ₡3 591,21 ₡2 352,50 ₡1 733,15 ₡1 540,58 Envase tipo carrete ₡1 379,23 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	100 V	120 A	2.3 mOhms	20 V	2 V	206 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement		OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3 IPB038N12N3 G Infineon Technologies 1: ₡3 023,90 4 609En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPB038N12N3 G N.º de artículo de Mouser 726-IPB038N12N3GXT NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon nchannel optimos	Hoja de datos	4 609En existencias	Cinta cortada ₡3 023,90 ₡2 383,73 ₡1 753,97 ₡1 561,40 Envase tipo carrete ₡1 394,85 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	120 V	120 A	3.2 mOhms	20 V	2 V	211 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement		OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3 IPB011N04L G Infineon Technologies 1: ₡1 998,59 1 740En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPB011N04L G N.º de artículo de Mouser 726-IPB011N04LG NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3	Hoja de datos	1 740En existencias	Cinta cortada ₡1 998,59 ₡1 306,37 ₡952,45 ₡801,52 Envase tipo carrete ₡728,65 ₡692,22 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	Si	SMD/SMT	TO-263-7	N-Channel	1 Channel	40 V	180 A	800 uOhms	20 V	1.2 V	346 nC	- 55 C	+ 175 C	250 W	Enhancement		OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7 IRFS7434TRL7PP Infineon Technologies 1: ₡2 737,65 5 199En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRFS7434TRL7PP N.º de artículo de Mouser 942-IRFS7434TRL7PP	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7 Obtenga más información sobre Infineon Technologies ir strongirfet	Hoja de datos	5 199En existencias	Cinta cortada ₡2 737,65 ₡1 420,87 ₡1 295,96 ₡1 077,36 Envase tipo carrete ₡1 077,36 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	TO-263-7	N-Channel	1 Channel	40 V	240 A	1 mOhms	20 V	3 V	210 nC	- 55 C	+ 150 C	245 W	Enhancement		StrongIRFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2 IPB120N04S4-01 Infineon Technologies 1: ₡2 003,79 698En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB120N04S4-01 N.º de artículo de Mouser 726-IPB120N04S4-01	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon nchannel optimos	Hoja de datos	698En existencias	Cinta cortada ₡2 003,79 ₡1 014,91 ₡916,02 ₡749,47 Envase tipo carrete ₡702,63 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	40 V	120 A	2 mOhms	20 V	3 V	176 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	AEC-Q100	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A D2PAK-2 OptiMOS-T2 IPB90N04S4-02 Infineon Technologies 1: ₡1 707,13 969En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB90N04S4-02 N.º de artículo de Mouser 726-IPB90N04S4-02	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A D2PAK-2 OptiMOS-T2 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon nchannel optimos	Hoja de datos	969En existencias	Cinta cortada ₡1 707,13 ₡853,56 ₡770,29 ₡624,56 Envase tipo carrete ₡567,31 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	40 V	90 A	2.1 mOhms	20 V	3 V	91 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement	AEC-Q100	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2 IPB180N04S4-00 Infineon Technologies 1: ₡2 810,51 979En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB180N04S4-00 N.º de artículo de Mouser 726-IPB180N04S4-00	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon nchannel optimos	Hoja de datos	979En existencias	Cinta cortada ₡2 810,51 ₡1 842,45 ₡1 374,03 ₡1 150,23 Envase tipo carrete ₡1 056,54 ₡999,29 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	Si	SMD/SMT	TO-263-7	N-Channel	1 Channel	40 V	180 A	800 uOhms	20 V	2 V	286 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	AEC-Q100	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2 IPB120N04S4-02 Infineon Technologies 1: ₡1 842,45 849En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB120N04S4-02 N.º de artículo de Mouser 726-IPB120N04S4-02	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon nchannel optimos	Hoja de datos	849En existencias	Cinta cortada ₡1 842,45 ₡1 197,07 ₡843,15 ₡713,04 Envase tipo carrete ₡645,38 ₡614,15 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	40 V	120 A	1.58 mOhms	20 V	2 V	134 nC	- 55 C	+ 175 C	158 W	Enhancement	AEC-Q100	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2 IPB107N20NAXT Infineon Technologies 1: ₡5 506,52 3 834En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPB107N20NAXT N.º de artículo de Mouser 726-IPB107N20NAATMA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon nchannel optimos	Hoja de datos	3 834En existencias	Cinta cortada ₡5 506,52 ₡3 893,08 ₡3 242,50 ₡2 888,58 Envase tipo carrete ₡2 701,22 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	200 V	88 A	9.6 mOhms	20 V	2 V	87 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement		OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V) IPB80N06S2L07ATMA3 Infineon Technologies 1: ₡2 081,86 631En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB80N06S2L07ATMA3 N.º de artículo de Mouser 726-IPB80N06S2L07ATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V) Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon nchannel optimos	Hoja de datos	631En existencias	Cinta cortada ₡2 081,86 ₡1 363,62 ₡947,25 ₡822,34 Envase tipo carrete ₡770,29 ₡754,67 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	55 V	80 A	6.7 mOhms	20 V	1.6 V	130 nC	- 55 C	+ 175 C	210 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2 IPB80N04S4-04 Infineon Technologies 1: ₡1 280,34 1 453En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB80N04S4-04 N.º de artículo de Mouser 726-IPB80N04S4-04	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon nchannel optimos	Hoja de datos	1 453En existencias	Cinta cortada ₡1 280,34 ₡822,34 ₡536,08 ₡447,60 Envase tipo carrete ₡391,91 ₡382,54 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	40 V	80 A	4.2 mOhms	20 V	3 V	33 nC	- 55 C	+ 175 C	71 W	Enhancement	AEC-Q100	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) Infineon Technologies IPB80P04P405ATMA2 IPB80P04P405ATMA2 Infineon Technologies 1: ₡1 764,38 1 645En existencias Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante IPB80P04P405ATMA2 N.º de artículo de Mouser 726-IPB80P04P405ATM2 Fin de vida útil	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)	Hoja de datos	1 645En existencias	Cinta cortada ₡1 764,38 ₡884,79 ₡770,29 ₡645,38 Envase tipo carrete ₡593,33	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	Si	SMD/SMT	TO-263-3-2	P-Channel	1 Channel	40 V	80 A	4 mOhms	20 V	3 V	116 nC	- 55 C	+ 175 C	125 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T IPB70N10S3-12 Infineon Technologies 1: ₡2 102,68 700En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPB70N10S3-12 N.º de artículo de Mouser 726-IPB70N10S312 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon nchannel optimos	Hoja de datos	700En existencias	Cinta cortada ₡2 102,68 ₡1 374,03 ₡999,29 ₡843,15 Envase tipo carrete ₡765,08 ₡728,65 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	100 V	70 A	9.4 mOhms	20 V	2 V	66 nC	- 55 C	+ 175 C	125 W	Enhancement	AEC-Q100	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3 IPB037N06N3 G Infineon Technologies 1: ₡1 800,81 821En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB037N06N3 G N.º de artículo de Mouser 726-IPB037N06N3G	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon nchannel optimos	Hoja de datos	821En existencias	Cinta cortada ₡1 800,81 ₡1 165,84 ₡806,72 ₡681,81 Envase tipo carrete ₡614,15 ₡582,92 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	60 V	90 A	3 mOhms	20 V	2 V	98 nC	- 55 C	+ 175 C	188 W	Enhancement		OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1 Infineon Technologies 1: ₡2 331,68 14 313En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQEH46NE2LM7ZCGS Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 25v mosfets	Hoja de datos	14 313En existencias	Cinta cortada ₡2 331,68 ₡1 191,87 ₡1 082,57 ₡921,22 ₡884,79 Envase tipo carrete ₡863,97	Min.: 1 Mult.: 1 : 6 000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	25 V	430 A	480 uOhms	12 V	1.7 V	29 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement		OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V IQEH64NE2LM7UCGSCATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 915,31 5 883En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQEH64NE2LM7UCGSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQEH64NE2LM7UCGS Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 25v mosfets	Hoja de datos	5 883En existencias	Cinta cortada ₡1 915,31 ₡1 124,21 ₡874,38 ₡733,86 ₡702,63 Envase tipo carrete ₡640,17	Min.: 1 Mult.: 1 : 6 000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	25 V	348 A	640 uOhms	16 V	2 V	22 nC	- 55 C	+ 175 C	130 W	Enhancement		OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 Infineon Technologies 1: ₡2 279,64 5 736En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQEH50NE2LM7UCGS Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 25v mosfets	Hoja de datos	5 736En existencias	Cinta cortada ₡2 279,64 ₡1 165,84 ₡1 056,54 ₡890,00 ₡858,77 Envase tipo carrete ₡837,95	Min.: 1 Mult.: 1 : 6 000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	25 V	298 A	500 uOhms	16 V	2 V	27 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement		OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 462,51 4 955En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQEH50NE2LM7ZCGA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 25v mosfets	Hoja de datos	4 955En existencias	Cinta cortada ₡1 462,51 ₡770,29 ₡676,61 ₡562,10 Ver Envase tipo carrete ₡501,73 ₡541,28 ₡530,87 ₡501,73	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	25 V	422 A	500 uOhms	12 V	1.7 V	29 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement		OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V IQEH54NE2LM7UCGATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 410,46 4 897En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQEH54NE2LM7UCGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQEH54NE2LM7UCGA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 25v mosfets	Hoja de datos	4 897En existencias	Cinta cortada ₡1 410,46 ₡749,47 ₡660,99 ₡541,28 Ver Envase tipo carrete ₡482,99 ₡530,87 ₡519,94 ₡482,99	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	25 V	406 A	540 uOhms	16 V	2 V	27 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement		OptiMOS	Reel, Cut Tape