Gate Drivers

Diodes Incorporated Gate Drivers cover many applications in power systems and motor drives. These gate drivers act as the interface between the microcontroller and IGBT or MOSFET power switches. Diodes Incorporated gate drivers provide optimum drive characteristics while controlling shoot-through.

Resultados: 271
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V Plazo de entrega no en existencias 44 Semanas
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode Fet 40Vdss 20Vgss Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 6.5mOhm 10Vgs 100A Plazo de entrega no en existencias 44 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch Enh 20Vgss 7.3mOhm 70A Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020-6 T&R 10K Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 10 000
Mult.: 10 000
: 10 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020-6 T&R 3K Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020-6 T&R 3K Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V Plazo de entrega no en existencias 44 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 20Vgss 2.6W 2090pF Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-6 T&R 10K Plazo de entrega no en existencias 44 Semanas
Min.: 10 000
Mult.: 10 000
: 10 000
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V Plazo de entrega no en existencias 48 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 80V 20Vgss 80A Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Diodes Incorporated Reguladores de tensión lineal 100V Input HV Linear 12V 40mA 0.27mA 38d Plazo de entrega no en existencias 48 Semanas
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

Diodes Incorporated DGD21904MS14-13
Diodes Incorporated Controladores de puertas HV Gate Driver Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Diodes Incorporated DMT3020LFVW-7
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Diodes Incorporated DMTH6016LFVW-13
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000