Gate Drivers

Diodes Incorporated Gate Drivers cover many applications in power systems and motor drives. These gate drivers act as the interface between the microcontroller and IGBT or MOSFET power switches. Diodes Incorporated gate drivers provide optimum drive characteristics while controlling shoot-through.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 3.4mOhm 10Vgs 100A
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105En existencias
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: 800

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60
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154En existencias
5 000En pedido
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
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2 677En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
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114En existencias
2 500Se espera el 19/10/2026
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 8mOhm 10Vgs 100A
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2 062En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
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6En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
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297En existencias
2 500Se espera el 16/6/2027
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
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20En existencias
6 000En pedido
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
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20En existencias
6 000En pedido
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
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55En existencias
5 000En pedido
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
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184En existencias
15 000Se espera el 19/3/2027
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
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488En existencias
2 500Se espera el 19/2/2027
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 175c N-Ch FET 16mOhm 10Vgs 50A
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2 243En existencias
5 000Se espera el 21/10/2026
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V
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2 602En existencias
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Máx.: 190
: 2 500

Diodes Incorporated Reguladores de tensión lineal 100V INPUT 8.2V 50mA 12 to 100V
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2 371En existencias
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: 2 500

Diodes Incorporated Reguladores de tensión lineal 100V Input 8.2V 30mA Reg Trans
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35En existencias
5 000Se espera el 4/11/2026
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: 2 500

Diodes Incorporated Reguladores de tensión lineal 100V Input 8.2V 30mA Reg Trans
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3 195En existencias
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Máx.: 420
: 1 000

Diodes Incorporated Reguladores de tensión lineal 100V Input 12V 40mA 3V 0.04A 45dB 0.24mA
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695En existencias
75 000En pedido
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Máx.: 5 000
: 5 000

Diodes Incorporated Reguladores de tensión lineal 100V Input 12V 3mA 3V 0.03A 45dB 0.24mA
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4 136En existencias
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: 2 500

Diodes Incorporated Reguladores de tensión lineal 100V Input 12V 3mA 3V 0.03A 45dB 0.24mA
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5 093En existencias
17 000Se espera el 4/11/2026
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Máx.: 1 000
: 1 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 80V 20Vgss 80A
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1 152En existencias
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: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:
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1 776En existencias
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: 2 500

Diodes Incorporated Reguladores de tensión lineal 100V Input 5V 30mA Reg Trans
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218 202En pedido
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Máx.: 7 500
: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
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2 500Se espera el 22/9/2027
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Min.: 1
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: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
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14 970En pedido
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Máx.: 3 000
: 3 000