Gate Drivers

Diodes Incorporated Gate Drivers cover many applications in power systems and motor drives. These gate drivers act as the interface between the microcontroller and IGBT or MOSFET power switches. Diodes Incorporated gate drivers provide optimum drive characteristics while controlling shoot-through.

Resultados: 271
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh Mode 22Vgss 2090pF 41.3nC
6 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
12 000Se espera el 21/6/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
36 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 4 000
: 2 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A
36 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V
4 998Se espera el 24/9/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
40 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 5 000
: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
4 990Se espera el 15/1/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 80V 20Vgss 80A
4 994En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 220
: 2 500
Diodes Incorporated Reguladores de tensión lineal 100V Input 5V 40mA 0.04A 45dB
9 328Se espera el 21/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 350
: 5 000

Diodes Incorporated Reguladores de tensión lineal 100V Input 5V 30mA Reg Trans
19 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 070
: 1 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V
4 680Se espera el 15/1/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
5 898Se espera el 21/5/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
2 993Se espera el 19/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 490
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 180 000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 1
Mult.: 1
: 10 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V 12 000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V 80 000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V 3 000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 18 800Existencias en fábrica disponibles
Min.: 1
Mult.: 1
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Ch Enh FET 20Vgs 9.5A 1949pF 3 000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V 7 500Existencias en fábrica disponibles
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 4 150Existencias en fábrica disponibles
Min.: 1
Mult.: 1
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch Enh 20Vgss 7.3mOhm 70A 2 500Existencias en fábrica disponibles
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 8.6mOhm 10Vgs 45A 17 500Existencias en fábrica disponibles
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 60Vdss 20Vgss 100A 30 000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 25 000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500