Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 15

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET IRF840APBF-BE3 Vishay / Siliconix 1: ₡1 400,05 9 006En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF840APBF-BE3 N.º de artículo de Mouser 78-IRF840APBF-BE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET	Hoja de datos	9 006En existencias	₡1 400,05 ₡811,93 ₡629,76 ₡536,08 ₡473,62	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1 000	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	8 A	850 mOhms	30 V	4 V	38 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 500V 8A N-CH MOSFET IRF840LCPBF-BE3 Vishay / Siliconix 1: ₡1 467,71 2 107En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF840LCPBF-BE3 N.º de artículo de Mouser 78-IRF840LCPBF-BE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 500V 8A N-CH MOSFET	Hoja de datos	2 107En existencias	₡1 467,71 ₡947,25 ₡650,58 ₡530,87 Ver ₡489,76 ₡472,58 ₡457,49	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	8 A	850 mOhms	30 V	4 V	39 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO262 500V 8A N-CH MOSFET IRF840LCLPBF Vishay Semiconductors 1: ₡2 191,16 849En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF840LCLPBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF840LCLPBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO262 500V 8A N-CH MOSFET	Hoja de datos	849En existencias	₡2 191,16 ₡1 113,80 ₡1 009,70 ₡827,54 Ver ₡822,34 ₡806,72 ₡791,11	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-262-3													Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO262 500V 8A N-CH MOSFET IRF840ALPBF Vishay Semiconductors 1: ₡2 097,48 3 742En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF840ALPBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF840ALPBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO262 500V 8A N-CH MOSFET	Hoja de datos	3 742En existencias	₡2 097,48 ₡1 066,95 ₡968,07 ₡791,11 ₡785,90	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1 000	Si	Through Hole	TO-262-3	N-Channel	1 Channel	500 V	8 A	850 mOhms	30 V	2 V	38 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET IRF840APBF Vishay Semiconductors 1: ₡1 608,24 4 186En existencias 6 000Se espera el 2/11/2026	N.º de artículo del Fabricante IRF840APBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF840APBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET	Hoja de datos	4 186En existencias 6 000Se espera el 2/11/2026	₡1 608,24 ₡1 025,32 ₡702,63 ₡645,38	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1 000	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	8 A	850 mOhms	30 V	4 V	38 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET IRF840ASPBF Vishay Semiconductors 1: ₡1 977,77 11 148En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF840ASPBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF840ASPBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET	Hoja de datos	11 148En existencias	₡1 977,77 ₡999,29 ₡895,20 ₡744,27 ₡598,54	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1 000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	8 A	850 mOhms	30 V	2 V	38 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET IRF840LCPBF Vishay Semiconductors 1: ₡1 582,21 2 917En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF840LCPBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF840LCPBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET	Hoja de datos	2 917En existencias	₡1 582,21 ₡905,61 ₡749,47 ₡614,15 Ver ₡608,94 ₡541,28	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	8 A	850 mOhms	30 V	4 V	39 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET IRF840PBF Vishay Semiconductors 1: ₡1 374,03 6 917En existencias 13 000Se espera el 17/5/2027	N.º de artículo del Fabricante IRF840PBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF840PBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET	Hoja de datos	6 917En existencias 13 000Se espera el 17/5/2027	₡1 374,03 ₡890,00 ₡692,22 ₡608,94 ₡572,51	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1 000	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	8 A	850 mOhms	20 V	4 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET IRF840SPBF Vishay Semiconductors 1: ₡1 488,53 14 740En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF840SPBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF840SPBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET	Hoja de datos	14 740En existencias	₡1 488,53 ₡806,72 ₡681,81 ₡608,94 ₡582,92	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1 000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	8 A	850 mOhms	20 V	2 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET IRF840PBF-BE3 Vishay / Siliconix 1: ₡1 431,28 805En existencias 2 000En pedido	N.º de artículo del Fabricante IRF840PBF-BE3 N.º de artículo de Mouser 78-IRF840PBF-BE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET	Hoja de datos	805En existencias 2 000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IRF840PBF-BE3 Existencias: 805 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 1 000 Se espera el 10/9/2027 1 000 Se espera el 8/10/2027 Plazo de entrega de fábrica: 23 Semanas	₡1 431,28 ₡702,63 ₡629,76 ₡562,10 ₡506,93	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1 000	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	8 A	850 mOhms	20 V	4 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 500V 8.0 Amp IRF840ASTRLPBF Vishay Semiconductors 1: ₡2 326,48 718En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF840ASTRLPBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF840ASTRLPBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 500V 8.0 Amp	Hoja de datos	718En existencias	Cinta cortada ₡2 326,48 ₡1 191,87 ₡1 077,36 ₡843,15 Envase tipo carrete ₡588,13 ₡567,31 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	8 A	850 mOhms	30 V	2 V	38 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 500V IRF840ASTRRPBF Vishay Semiconductors 1: ₡2 118,29 744En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF840ASTRRPBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF840ASTRRPBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 500V	Hoja de datos	744En existencias	Cinta cortada ₡2 118,29 ₡1 389,64 ₡973,27 ₡843,15 Envase tipo carrete ₡759,88 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1 600 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	8 A	850 mOhms	30 V	2 V	38 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET IRF840STRLPBF Vishay Semiconductors 1: ₡1 691,51 84En existencias 2 400Se espera el 23/8/2027	N.º de artículo del Fabricante IRF840STRLPBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF840STRLPBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET	Hoja de datos	84En existencias 2 400Se espera el 23/8/2027	Cinta cortada ₡1 691,51 ₡1 087,77 ₡749,47 ₡713,04 Envase tipo carrete ₡640,17 ₡598,54 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	8 A	850 mOhms	20 V	2 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	3.1 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET IRF840STRRPBF Vishay Semiconductors 1: ₡1 972,56 1 027En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF840STRRPBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF840STRRPBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET	Hoja de datos	1 027En existencias	Cinta cortada ₡1 972,56 ₡1 290,75 ₡900,41 ₡697,42 Envase tipo carrete ₡697,42 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	8 A	850 mOhms	20 V	2 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	3.1 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET IRF840LCSPBF Vishay Semiconductors 1: ₡2 222,39 235En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF840LCSPBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF840LCSPBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET	Hoja de datos	235En existencias	₡2 222,39 ₡1 457,30 ₡1 087,77 ₡910,81 Ver ₡837,95 ₡822,34 ₡791,11	Min.: 1 Mult.: 1	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	8 A	850 mOhms	30 V	2 V	39 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Tube

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