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TPD7107F,BXH

Name: Toshiba TPD7107F,BXH
Brand: Toshiba
SKU: 757-TPD7107FBXH
Price: 1592.62 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

757-TPD7107FBXH

Fabricante N.º:

TPD7107F,BXH

Fabricante:

Toshiba

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) WSON10 N-CH 26V .003A

Hoja de datos:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	WSON-10
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Dp - Disipación de potencia :	1.84 W
Empaquetado:	Tube
Marca:	Toshiba
Tipo de producto:	MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica:	4000
Subcategoría:	Transistors

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TPD7107F,BXH Hoja de datos

Application Notes

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8542391090
USHTS:: 8542390090
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Japón
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

TPD7107F Intelligent Power Device (IPD)

Toshiba TPD7107F Intelligent Power Device is a high-side power MOSFET Gate Driver designed to control the conduction and shut-off of current supplied to automotive Electronic Control Units (ECUs), such as junction boxes and body control modules. Combined with a Toshiba automotive low On-resistance N-channel MOSFET, the TPD7107F can form a high-side switch suitable for the load current. As an electronic switch, free from the contact wear of mechanical relays, the TPD7107F IPD can help to reduce the size and power consumption of automotive ECUs and to make them maintenance-free.

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₡-,--

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₡-,--

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡1 592,62	₡1 592,62
	₡931,63	₡9 316,30
	₡749,47	₡74 947,00
	₡676,61	₡338 305,00
	₡650,58	₡650 580,00
	₡645,38	₡2 581 520,00
12 000	Presupuesto

TPD7107F,BXH

Fabricante: Toshiba

Descripción: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) WSON10 N-CH 26V .003A

Especificaciones

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Cumplimiento de productos y comercio

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