OptiMOS™ 6 80V Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80V Power MOSFETs set industry benchmark performance with a wide portfolio offering, including PQFN 3.3mm x 3.3mm, SuperSO8, PQFN 5mm x 6mm Dual-Side Cooling, and PQFN 3.3mm x 3.3mm Source-Down. The 80V family is ideal for high switching frequency applications such as telecom, servers, and solar. The performance improvements of OptiMOS™ 6 80V also demonstrate benefits in battery management systems (BMS).

Resultados: 16
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK
Hoja de datos
987En existencias
Cinta cortada
₡3 617,23
₡2 373,32
₡1 748,76
₡1 550,99
Envase tipo carrete
₡1 389,64
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK 7-pin
Hoja de datos
1 000En existencias
Cinta cortada
₡3 773,37
₡2 019,41
₡1 847,65
₡1 753,97
Envase tipo carrete
₡1 452,10
₡1 426,08
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TOLL
Hoja de datos
909En existencias
Cinta cortada
₡5 298,34
₡2 925,02
₡2 748,06
₡2 597,12
Envase tipo carrete
₡2 597,12
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
Hoja de datos
5 861En existencias
Cinta cortada
₡2 071,45
₡1 051,34
₡952,45
₡785,90
₡754,67
Envase tipo carrete
₡739,06
Min.: 1
Mult.: 1
: 6 000
Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
Hoja de datos
6 064En existencias
Cinta cortada
₡2 045,43
₡1 217,89
₡916,02
₡749,47
Envase tipo carrete
₡702,63
Min.: 1
Mult.: 1
: 6 000
Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 PowerMOSFET, 80 V
Hoja de datos
676En existencias
Cinta cortada
₡2 846,95
₡1 483,33
₡1 353,21
₡1 202,28
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Envase tipo carrete
₡978,47
Min.: 1
Mult.: 1
: 4 000
Si SMD/SMT WSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 170 A 2.5 mOhms 20 V 3.5 V 46 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TO-220
Hoja de datos
420En existencias
₡3 455,89
₡2 321,28
₡1 675,90
₡1 457,30
Min.: 1
Mult.: 1
Si OptiMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
Hoja de datos
870En existencias
Cinta cortada
₡1 951,75
₡999,29
₡890,00
₡733,86
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Envase tipo carrete
₡645,38
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
Hoja de datos
240En existencias
Cinta cortada
₡2 003,79
₡1 009,70
₡910,81
₡744,27
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Envase tipo carrete
₡645,38
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 PowerMOSFET, 80 V
Hoja de datos
643En existencias
Cinta cortada
₡1 811,22
₡905,61
₡822,34
₡666,20
Ver
Envase tipo carrete
₡608,94
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 171 A 2.5 mOhms 20 V 3.5 V 80 V - 55 C + 175 C 167 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
Hoja de datos
3 275En existencias
Cinta cortada
₡3 705,71
₡1 977,77
₡1 811,22
₡1 712,33
Envase tipo carrete
₡1 394,85
Min.: 1
Mult.: 1
: 4 000
OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
Hoja de datos
5 543En existencias
Cinta cortada
₡1 145,02
₡551,69
₡494,44
₡392,95
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Envase tipo carrete
₡324,25
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
Hoja de datos
4 625Se espera el 11/2/2027
Cinta cortada
₡3 533,96
₡1 878,88
₡1 722,74
₡1 608,24
Envase tipo carrete
₡1 504,15
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
Hoja de datos
4 982Se espera el 17/6/2027
Cinta cortada
₡2 430,57
₡1 280,34
₡1 134,61
₡962,86
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Envase tipo carrete
₡848,36
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
Hoja de datos
4 997Se espera el 18/3/2027
Cinta cortada
₡1 374,03
₡676,61
₡608,94
₡485,07
Envase tipo carrete
₡417,41
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
Hoja de datos
3 990Se espera el 11/3/2027
Cinta cortada
₡3 101,97
₡1 675,90
₡1 524,96
₡1 394,85
₡1 363,62
Envase tipo carrete
₡1 134,61
Min.: 1
Mult.: 1
: 4 000
OptiMOS Reel, Cut Tape